Microsemi Corporation сообщает о расширении своего семейства высокочастотных драйверов МОП-транзисторов и гибридных микросхем, включающих в свой состав и драйвера и транзисторы.
Драйвер DRF200, одноканальные гибридные микросхемы DRF1201 и DRF1202, а также двухканальная DRF1300 предназначены для использования в радиочастотных высоковольтных генераторах класса D и E с рабочими частотами от 2 до 50МГц. Драйверы широко используются для генерации плазмы, возбуждения CO2-лазеров, в импульсных усилителях мощности, импульсных генераторах, ультразвуковых преобразователях и оптико-акустических модуляторах.
Основные характеристики высокочастотных драйверов компании Microsemi:
- Возможность управления МОП транзисторами с входной емкостью 3нФ (DRF200);
- Импульсная выходная мощность до 1100Вт (DRF1201);
- Использование недорогих безфланцевых корпусов;
- Частота переключения до 50 МГц (при 50Ом нагрузке);
- Функционирование в классах усиления D и E;
- Увеличенная область безопасной работы (SOA);
- Высокое значение допустимого отклонения рассогласования нагрузки;
- Превосходная термостойкость.
Драйвер DRF200, работающий в ключевом режиме, оптимизирован инженерами компании Microsemi для управления мощными 500В и 1000В МОП-транзисторами. До недавнего времени использование МОП-транзисторов на радиочастотах было затруднено влиянием значительной ёмкости затвора. Данный драйвер способен управлять высокочастотными транзисторами с входной ёмкостью более 3нФ и напряжением питания 15В на частоте 15МГц.
Для дальнейшей оптимизации рабочих характеристик устройств были разработаны одноканальные гибридные микросхемы DRF1201 и DRF1202, объединяющие в одном корпусе драйвер, фильтрующие конденсаторы и либо 500В, либо 1000В высокочастотный МОП-транзистор. Качество функционирования таких устройств повышается вследствие уменьшения паразитных связей между драйвером, конденсатором и транзистором.
Микросхема DRF1300 представляет собой двухканальную гибридную микросхему, каждый канал которой состоит из драйвера и 1000В транзистора, используемого в двухтактном режиме. Все микросхемы семейства DRF компании Microsemi отличаются использованием запатентованной технологии уменьшения "звона" для устранения перекрестных помех в мостовых или двухтактных схемах. Также у всех микросхем существует возможность выбора между применением инвертирующей и неинвертирующей топологий, за исключением DRF200 (только неинвертирующая).
Использование гибридных микросхем DRF семейства позволяет упростить разработку недорогих мощных высокочастотных усилителей классов D и E, функционирующих на высоких рабочих напряжениях с различным сопротивлением нагрузки. Новые 1000В микросхемы Microsemi способны стабильно работать при напряжении 125В и сопротивлении нагрузки 50Ом. Высокое значение импеданса делает возможным параллельное включение устройств. Увеличенное значение рабочего напряжения приводит к уменьшению постоянного тока, необходимого для получения заданной выходной мощности, что в свою очередь вызывает повышение эффективности и сокращение размеров, веса и стоимости других компонентов системы.
Микросхемы семейства DRF выпускаются компанией Microsemi в безфланцевых корпусах, которые отличаются низким тепловым сопротивлением и малой стоимостью.