Microsemi Corporation объявила о разработке усовершенствованных нитрид-галлиевых полевых транзисторов для космических аппаратов, силовых преобразователей военного назначения, мощных высокочастотных преобразователей и других радиационно-стойких применений.
Microsemi Corporation ведёт разработку совместно с Efficient Power Conversion (EPC), которая является первой в мире компанией, выпустившей полевые транзисторы на основе нитрида галлия на кремнии по технологии eGaN®. Совместные усилия компаний сконцентрированы на создании линейки высокоэффективных полевых транзисторов для устройств, требующих высокой степени надёжности в условиях радиационного излучения, таких как изделия для космоса и продукция военного назначения.
Первые радиационно-стойкие полевые GaN транзисторы новой линейки будут предлагаться Microsemi в диапазонах рабочих напряжений 40, 60, 100, 150 и 200В и будут иметь сопротивление открытого канала исток-сток в диапазоне 4-100 мОм. Ожидается, что транзисторы будут иметь отличные характеристики при высоких температурах и температуру перехода, близкую к 300°C. Радиационно-стойкие полевые транзисторы Microsemi планируется поставлять в корпусах для поверхностного и выводного монтажа, а также в бескорпусном исполнении.
В усовершенствованных полевых транзисторах Microsemi для радиационно-стойких применений будет применяться полупроводниковый материал с большой шириной запрещённой зоны, что повышает производительность по сравнению с традиционными радиационно-стойкими кремниевыми МОП-транзисторами.
Новые радиационно-стойкие полевые транзисторы Microsemi имеют следующие особенности и преимущества:
- Очень низкая паразитная ёмкость, что позволяет уменьшить потери переключения вдвое, позволяя создавать высокоэффективное оборудование;
- Более низкое сопротивление канала в открытом состоянии, что позволяет минимизировать потери проводимости и увеличить коэффициент передачи цепи;
- Отличная стойкость к радиационным воздействиям.
Предварительное тестирование воздействия радиационного излучения на работоспособность полевых GaN транзисторов показало их хорошую устойчивость к различным видам воздействий единичных событий (Single Event Effects - SEE) и суммарной поглощённой дозе излучения (Total Ionizing Dose – TID). Полученные результаты позволят разработать полевые транзисторы как для высокоорбитальных космических аппаратов, так и для аппаратов, работающих в условиях глубокого космоса. Microsemi Corporation будет работать в тесном сотрудничестве с Управлением тыла министерства обороны США (Defense Logistics Agency - DLA), чтобы разработать тестовые спецификации, удовлетворяющие требованиям стандарта MIL-PRF-19500, для подтверждения качества предлагаемых транзисторов.
Образцы новых радиационно-стойких GaN полевых транзисторов компании Microsemi будут доступны для разработчиков космической аппаратуры уже с середины 2011 г., а серийное производство этих транзисторов планируется запустить с ноября 2011 г.