Microsemi Corporation сообщает, что Центр военного снабжения в г. Колумбус (Defense Supply Center Columbus - DSCC) предоставил сертификат на космическое применение радиационно-стойких силовых MOSFET-транзисторов, выпускаемых компанией. Силовые полевые транзисторы с каналом N-типа присоединяются к уже сертифицированным DSCC силовым МОП-транзисторам Microsemi с каналом P-типа и завершают линейку этих радиационно-стойких изделий.
Компания Microsemi выпускает 20 новых радиационно-стойких герметичных силовых MOSFET-транзисторов в трёх видах корпусов для сквозного монтажа и двух корпусах для поверхностного монтажа. Эти радиационно-стойкие полевые транзисторы созданы в соответствие с требованиями стандарта MIL-PRF-19500 по уровню суммарной дозы излучения до 300 крад (Si).
Предоставив разработчикам новую линию радиационно-стойких MOSEFT-транзисторов, компания Microsemi подтвердила свою приверженность космической промышленности и статус поставщика № 1 силовых дискретных компонентов на рынке высоконадёжных изделий. Более того, компания уже ведёт разработки, направленные на создание следующего поколения радиационно-стойких изделий.
Все новые MOSFET-транзисторы были разработаны, чтобы соответствовать требованиям, предъявляемым к космической аппаратуре. Радиационно-стойкие MOSFET-транзисторы наиболее часто используются в источниках питания, преобразователях напряжения, блоках управления приводом и другой преобразовательной технике. Они используют последние технологии производства полупроводниковых пластин, разработанные компанией Microsemi.
Особенности радиационно-стойких MOSFET-транзисторов компании Microsemi:
- Суммарная доза радиационной стойкости до 300 крад (Si);
- Рабочее напряжение 100 или 200В для MOSFET-транзисторов с каналом N-типа;
- Рабочее напряжение 100В для MOSFET-транзисторов с каналом P-типа;
- Три вида герметичных корпусов, предназначенных для сквозного монтажа;
- Два вида герметичных корпусов, предназначенных для поверхностного монтажа;
- Высокая скорость переключений, низкое RDS(ON) (сопротивление канала исток-сток);
- Устойчивость к воздействиям единичных событий.
Полный список сертифицированных в DSCC для космических применений радиационно-стойких силовых N- и P-канальных MOSFET-транзисторов компании Microsemi для поверхностного монтажа и монтажа в отверстия:
MOSFET-транзистор | BVDSS, В | RDS(ON), Ом | I (D), А | Тип канала | Корпус | MIL-PRF-19500 |
JANSR2N7261 |
100 |
0.18 |
8.0 |
N |
TO-205AF(TO-39) |
/601 |
JANSF2N7261 | 100 | 0.18 | 8.0 | N | TO-205AF(TO-39) | /601 |
JANSR2N7262 | 200 | 0.18 | 5.5 | N | TO-205AF(TO-39) | /601 |
JANSF2N7262 | 200 | 0.18 | 5.5 | N | TO-205AF(TO-39) | /601 |
JANSR2N7261U | 100 | 0.18 | 8.0 | N | 18 Pin LCC | /601 |
JANSF2N7261U | 100 | 0.18 | 8.0 | N | 18 Pin LCC | /601 |
JANSR2N7262U | 200 | 0.18 | 5.5 | N | 18 Pin LCC | /601 |
JANSF2N7262U | 100 | 0.18 | 5.5 | N | 18 Pin LCC | /601 |
JANSR2N7268 | 100 | 0.065 | 34 | N | TO-254AA | /603 |
JANSF2N7268 | 100 | 0.065 | 34 | N | TO-254AA | /603 |
JANSR2N7269 | 200 | 0.10 | 26 | N | TO-254AA | /603 |
JANSF2N7269 | 200 | 0.10 | 26 | N | TO-254AA | /603 |
JANSR2N7268U | 100 | 0.065 | 34 | N | TO-267AB(SMD1) | /603 |
JANSF2N7268U | 100 | 0.065 | 34 | N | TO-267AB(SMD1) | /603 |
JANSR2N7269U | 200 | 0.10 | 26 | N | TO-267AB(SMD1) | /603 |
JANSF2N7269U | 200 | 0.10 | 26 | N | TO-267AB(SMD1) | /603 |
JANSR2N7380 | 100 | 0.18 | 14.4 | N | TO-257AA | /614 |
JANSF2N7380 | 100 | 0.18 | 14.4 | N | TO-257AA | /614 |
JANSR2N7381 | 200 | 0.4 | 9.4 | N | TO-257AA | /614 |
JANSF2N7381 | 200 | 0.4 | 9.4 | N | TO-257AA | /614 |
JANSM2N7382 | -100 | 0.3 | -11.0 | P | TO-257AA | /615 |
JANSD2N7382 | -100 | 0.3 | -11.0 | P | TO-257AA | /615 |
JANSR2N7382 | -100 | 0.3 | -11.0 | P | TO-257AA | /615 |
JANSF2N7382 | -100 | 0.3 | -11.0 | P | TO-257AA | /615 |
JANSF2N7389 | -100 | 0.3 | -6.5 | P | T0-205AF(T0-39) | /630 |
JANSR2N7389 | -100 | 0.3 | -6.5 | P | T0-205AF(T0-39) | /630 |
JANSF2N7389U | -100 | 0.3 | -6.5 | P | 18 Pin LCC | /630 |
JANSR2N7389U | -100 | 0.3 | -6.5 | P | 18 Pin LCC | /630 |
Все радиационно-стойкие MOSFET-транзисторы Microsemi предлагаются до обеспечения радиационной стойкости (RHA) уровня F (полная доза ионизации 300 крад (Si)). Так же доступны все более низкие стандартные уровни суммарной дозы ионизации.