Microsemi Corporation представила новое семейство карбидокремниевый диодов Шоттки с рабочим напряжением 1200В (150°C), предназначенных для широкого диапазона промышленных применений: солнечные инверторы, сварочное оборудование, установки для плазменной резки, устройства быстрой зарядки автомобилей, нефтегазоразведка и т.п.
В отличие от кремния, карбид кремния обладает высокой теплопроводностью, высоким электрическим полем пробоя и высокой плотностью электрического тока, что делает его оптимальным материалом для производства устройств большой мощности. Он также имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0•10−6 K) и не испытывает фазовые переходы, из-за которых может произойти разрушение монокристаллов.
Новые SiC диоды Шоттки компании Microsemi с рабочим напряжением 1200В (150°C) разработаны для применений, в которых требуются высокие рабочие уровни мощности и напряжения, а также необходимо обеспечить большой уровень плотности мощности и показатели надёжности.
Нужно отметить, что в настоящее время компания Microsemi является единственным производителем, предлагающим карбидокремниевые диоды Шоттки в корпусе для поверхностного монтажа D3. Этот тип корпуса имеет большую площадку на обратной стороне, которая повышает уровень достижимой плотности мощности и уменьшает стоимость работ по монтажу компонентов.
Новая линейка карбидокремниевых диодов Шоттки с рабочим напряжением 1200В (150°C) включает в себя следующие устройства:
• APT10SCD120BCT (1200В, 10А, два диода с общим катодом, корпус TO 247);
• APT20SCD120B (1200В, 20А, корпус TO 247);
• APT30SCD120B (1200В, 30А, корпус TO 247);
• APT20SCD120S (1200В, 20А, корпус D3);
• APT30SCD120S (1200В, 30А, корпус D3).
Карбидокремниевые диоды Шоттки компании Microsemi на 1200В (150°C) уже доступны для серийных поставок. Для получения дополнительной информации или получения образцов можете обращаться к официальному дистрибьютору Microsemi Corporation в России – Компании КВЕСТ.