Компания Microsemi Corporation представила новый 750 Вт радиочастотный транзистор с высокой подвижностью электронов MDSGN-750ELMV для авиационных применений, выполненный по нитрид-галлиевой технологии на подложке из карбида кремния (GaN-on-SiC HEMT).
Транзистор MDSGN-750ELMV разработан для создания радиолокационных устройств авиационных служб и оборудования предотвращения столкновений самолётов в воздухе. Его целевым назначением являются вторичные радары наблюдения (обзорная РЛС с активным ответом), применяемые в соответствии с международными стандартами для опроса и идентификации самолётов непосредственно вблизи аэропортов и их 200-мильной зоне.
Радиочастотный транзистор MDSGN-750ELMV позволяет получить 750 Вт пиковой мощности, 17 дБ коэффициента усиления мощности и типовым значением КПД стока 70% при работе на частотах 1030/1090 МГц, обеспечивая при этом наивысшую мощность среди однотранзисторных устройств своего класса в данном диапазоне частот.
Кроме того, новый транзистор может работать в режиме Mode-S ELM как в опрашивающих устройствах диапазона 1030 МГц наземного базирования, так и в бортовых транспондерах, работающих на частоте 1090 МГц, а также может быть использован в выходных каскадах высокопроизводительного наземного оборудования. Применение устройств, работающего в стандарте ELM, делает авиаперевозки более безопасными, облегчая совместную передачу погодной информации с информацией о воздушной обстановке в районе полёта на борт воздушного судна. MDSGN-750ELMV применяется для создания оборудования информирования о воздушной обстановке, в системах предотвращения столкновений и определения «свой-чужой».
Основные характеристики транзистор MDSGN-750ELMV компании Microsemi:
• Работа в импульсном режиме ELM:
- посылка из 48 импульсов: 32 мкс (вкл.) / 18 мкс (выкл.)
- период повтора посылок: 24 мс
- долгосрочный коэффициент заполнения: 6.4%
• Выходная мощность: 750 Вт;
• Коэффициент усиления мощности: более 17.2 дБ (минимальное значение);
• Высокий КПД: 70%;
• Напряжение смещения стока: +50 В;
• Напряжение пробоя: более 200 В;
• Низкое тепловое сопротивление: 0.24 °С/Вт;
• Температурная стабильность выходной мощности (в диапазоне от -40°C до +85°C): менее ±0.7 дБ.
Применяемая в процессе производства транзистора MDSGN-750ELMV технология GaN-on-SiC имеет ряд преимуществ перед альтернативными технологическими процессами: более высокую мощность, сокращение списка дополнительных используемых компонентов и уменьшение общего размера разработки. Сам транзистор MDSGN-750ELMV имеет следующие преимущества:
- Асимметричная топология транзистора со сниженными требованиями к согласованию импеданса (нагрузки), может быть использована для замены разработок предыдущих поколений;
- Наивысшие пиковая мощность и коэффициент усиления дают возможность уменьшить количество компонентов выходного каскада и число каналов оконечного усилителя мощности;
- Одна пара транзисторов выходного каскада обеспечивает пиковую выходную мощность равную 1.5 кВт;
- Объединение в выходном каскаде четырёх пар транзисторов позволяет обеспечить пиковую выходную мощность радиолокационного устройства более 5 кВт;
- Уровень напряжения смещения 50В позволяет отказаться от изменения напряжения шины источника питания и предлагает сниженные требования потребления источника постоянного тока;
- Чрезвычайно стабильные параметры транзистора улучшают общие характеристики конечного устройства;
- Размер готового усилителя на 50% меньше размера усилителей, выполненных с применением биполярных и и LDMOS-транзисторов;
- Значительно больший запас уровня напряжения пробоя, по сравнению с компонентами, выполненными по кремниевой и Si LDMOS технологиям, а также возможность работы при более высоких температурах перехода увеличивают значение показателя наработки на отказ;
- Хорошая стабильность параметров во всём рабочем температурном диапазоне: -55°C...+85°C.
Транзистор MDSGN-750ELMV выполнен в асимметричном корпусе 55KR со 100-% высокотемпературной золотой металлизацией корпуса и выводов с герметичным исполнением, обеспечивающим максимальный уровень долгосрочной надёжности.