Компания Microsemi Corporation представила новые карбидокремниевые (SiC) диоды Шоттки, предназначенные для создания авиационного, сварочного и силового оборудования, включая фотогальванические инверторы, с рабочим напряжением 650 В.
Карбидокремниевая технология обладает множеством преимуществ по сравнению с кремниевой технологией изготовления полупроводниковых устройств, включая более высокое значение напряжённости поля пробоя и более высокую удельную теплопроводность. Эти характеристики позволяют создавать решения, обладающие более высокими техническими параметрами: нулевое время обратного восстановления, независимость параметров компонента от рабочей температуры, более высокое рабочее напряжение. Благодаря этому достигаются новые значения показателей производительности, эффективности и надёжности разработок. SiC диоды Шоттки идеально подходят разработчикам силовой электроники, желающим повысить КПД создаваемых устройств.
Линейка 650В SiC диодов Шоттки компании Microsemi на текущий момент включает:
- APT10SCD65K (650В, 10A, корпус TO 220);
- APT10SCD65KCT (650В, 10A, корпус TO 220, два диода с общим катодом);
- APT20SCD65K (650В, 20A, корпус TO 220);
- APT30SCD65B (650В, 30A, корпус TO 247).
Представленные решения также применены в составе силовых модулей компании Microsemi, предназначенных для применения в авиационных разработках, сварочном оборудовании, зарядных устройствах аккумуляторов и в других промышленных силовых устройствах. Новые 650В карбидокремниевые диоды Шоттки уже доступны для серийных поставок, для получения образцов обращайтесь к официальному дистрибьютору Microsemi Corporation – Компании КВЕСТ.