Компания X-REL Semiconductor представила XTR1K1210 - карбидокремниевый диод Шоттки модификации 4H-SiC с максимальной рабочей температурой перехода +250°C, обеспечивающего работу в диапазоне температур от -60°C до +230°C.
Карбидокремниевый диод XTR1K1210 обладает нулевой энергией обратного восстановления, что позволяет успешно применять его в высокочастотных и высокоэффективных силовых схемах, при этом компонент предъявляет минимальные требования к охлаждению.
Целью разработки компанией X-REL Semiconductor данного силового диода были снижение стоимости конечной схемы и сокращение времени адаптации компонента. Он доступен в упрочнённом корпусе для сквозного монтажа, а также в виде некорпусированных кристаллов.
Основные особенности SiC диода Шоттки XTR1K1210:
• Диапазон рабочих температур: от -60°C до +230°C
• Обратное напряжение до 1200 В
• Прямое напряжение падения, при If=10A:
- Vf = 1.7 В, при +25°C
- Vf = 3.7 В, при +230°C
• Положительный температурный коэффициент для безопасной работы и простого параллельного включения
• Чрезвычайно быстрое время переключения, не зависящее от температуры
• Фактически нулевое время обратного и прямого восстановления
• Высокопрочный корпус TO-257 для сквозного монтажа.
Возможные области применения:
• Высоконадёжные разработки, автомобильные устройства, авиация, скважинное оборудование.
• Преобразователи напряжения, электроприводы, импульсные источники питания, ККМ (корректоры коэффициента мощности).
