Новости

24.05
...

Новое поколение карбидокремниевых MOSFET транзисторов и диодов Шоттки компании Microsemi

Компания Microsemi объявила о начале поставок образцов нового поколения карбидокремниевых MOSFET транзисторов класса 1200 В / 25 мОм и 80 мОм, диодов Шоттки с рабочими параметрами 700 В / 50 А, а также соответствующих кристаллов.

Новое поколение карбидокремниевых MOSFET транзисторов и диодов Шоттки компании MicrosemiНовое поколение карбидокремниевых MOSFET транзисторов и диодов Шоттки компании Microsemi предназначено для применения в разработках для промышленного и автомобильных рынков, включая гибридные машины и электромобили, проводные/индуктивные бортовые зарядные устройства, мощные DC/DC преобразователи и устройства трансмиссии/регулирования тягового усилия электромобиля. Компоненты могут также быть применены в импульсных блоках питания, фотогальванических инверторах и блоках управления приводом в медицинских, авиационных и других высоконадёжных устройствах.

Планируется, что в ближайшее время новое поколение SiC MOSFET транзисторов и диодов компании Microsemi будет сертифицировано на соответствие требованиям AEC-Q101, что ещё раз подтвердит их высокую надёжность. В проведённых испытаниях компоненты демонстрируют высокие показатели стойкости к многократному выключению при индуктивной нагрузке при номинальном токе без деградации или отказов.

Представленные SiC MOSFET транзисторы и диоды предлагают потребителям значительные преимущества по сравнению с конкурирующим предложениями, такие как более эффективная коммутация на высоких частотах, а также более высокий уровень стойкости к эффекту выключения при индуктивной нагрузке и стойкости к короткому замыканию обеспечивает получение отличного уровня надёжности и устойчивости. Например, SiC MOSFET транзисторы разработаны с идеальным балансом специально выбранного сопротивления во включенном состоянии, низкого порогового напряжения затвора, теплового сопротивления и ёмкости затвора.

Предназначенные для применения в высоконадёжных приборах и обладая низким изменением параметров под воздействием температуры, компоненты показывают более высокую эффективность (по сравнению с кремниевыми изделиями и биполярными транзисторами с изолированным затвором) в широком диапазоне температур до +175˚С. Также представленные компоненты обеспечивают отличный уровень целостности и стойкости затвора, что подтверждено тестами на обратное смещение при высокой температуре и тестом на деградацию подзатворного диэлектрика.