Компания Microsemi представила SiC MOSFET транзистор MSC040SMA120B, обладающий улучшенными тепловыми параметрами и низкими коммутационными потерями.
Представленный МОП-транзистор является представителем нового семейства карбидокремниевых компонентов компании Microsemi, которые предлагают клиентам значительные преимущества по сравнению с конкурирующим предложениями. Он предназначен для применения в широком спектре промышленного оборудования: фотоэлектрические инверторы, преобразователи, электроприводы, интеллектуальные сети распределения электроэнергии, индукционный нагрев и сварка, а также зарядные устройства электромобилей.
Стоит отметить, что высокий КПД устройства позволяет создавать лёгкие и малогабаритные системы, он легко управляется при параллельном включении, не требует применения внешнего диода обратной цепи, а также обладает улучшенными тепловыми параметрами и низкими коммутационными потерями в широком диапазоне температур от -55˚С до +175˚С.
Основные особенности транзистора MSC040SMA120B компании Microsemi:
● Низкая ёмкость и низкий заряд затвора;
● Высокая скорость коммутации благодаря низкому внутреннему сопротивлению затвора;
● Устойчивая работа при высокой температуре перехода кристалла;
● Быстрый и надёжный встроенный диод;
● Отличная стойкость к лавинному пробою;
● Соответствует требованиям директивы RoHS.
Основные параметры SiC MOSFET транзистора Microsemi:
● Напряжение сток-исток: 1200 В;
● Максимальный постоянный ток при температуре T = 25 °С: 64 А;
● Максимальный постоянный ток при температуре T = 100 °C: 45 А;
● Максимальный импульсный ток: 105 А;
● Напряжение затвор-исток: от -10 до 25 В;
● Сопротивление открытого канала: 40 мОм;
● Прямое падение встроенного диода: 3,9 В;
● Время восстановления обратного диода: 100 нс.