Технические характеристики

Характеристика Значение
R, Ом 100
C (пФ) 20
Vrwm, В 5
Vbr, В 6
CL-G, пФ 24
Число линий 4
Описание ESD/EMI-защита SIM-карт
L, нГн -
Корпус SLP1713P8