Категории
CSFD
Подробнее
Описание
Dual Drive
Интерфейс
SATA 3Гбит/сек
Разъем
SAS (7+7+15) штырьевых выводов
Форм-фактор (мм)
64
NAND Flash Type
SLC+MLC
Емкость
80Гбайт (SLC:16Гбайт+MLC:64Гбайт) & 160Гбайт (SLC:
Средняя скорость чтения данных (Мбайт/сек)
SLC: до 210 & MLC: до 210
Средняя скорость записи данных (Мбайт/сек)
SLC: до 210 & MLC: до 100
ECC Support
28 бит/1Kбайт (CFast)
Рабочая температура ( °C )
0 ~ + 70
Расширенный диапазон рабочей температуры ( °C )
-
Темпепература хранения ( °C )
-40 ~ + 100
Удар
1500G
Вибрации
15G
Влажность
5%~95%
Напряжение питания
-
Потребляемая мощность
-
Наработка на отказ (часы)
-
Размеры (мм)
100(Д)x69.8(Ш)x9.3(В)
DDR-266
Подробнее
Описание
UDIMM DDR
Емкость
512Мбайт/1Гбайт/2Гбайт
Архитектура памяти
x8 DRAM chip
Напряжение питания
1.8В+-0.1В
Разъем
184-контактный
Латентность Cas сигнала
CL2
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы
Бренд
Apacer
DDR-266
Подробнее
Описание
SO DIMM DDR
Емкость
256Мбайт / 512Мбайт / 1Гбайт
Архитектура памяти
x8 DRAM chip
Напряжение питания
2.6+-0.1В
Разъем
200-контактный
Латентность Cas сигнала
CL2
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы
Бренд
Apacer
DDR-333
Подробнее
Описание
UDIMM DDR
Емкость
512Мбайт/1Гбайт/2Гбайт
Архитектура памяти
x8 DRAM chip
Напряжение питания
1.8В+-0.1В
Разъем
184-контактный
Латентность Cas сигнала
CL2.5
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы
Бренд
Apacer
DDR-333
Подробнее
Описание
SO DIMM DDR
Емкость
256Мбайт / 512Мбайт / 1Гбайт
Архитектура памяти
x8 DRAM chip
Напряжение питания
2.6+-0.1В
Разъем
200-контактный
Латентность Cas сигнала
CL2.5
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы
Бренд
Apacer
DDR-333
Подробнее
Описание
ECC DIMM DDR, ECC RDIMM DDR
Емкость
256Мбайт / 512Мбайт / 1Гбайт, 256Мбайт / 512Мбайт
Архитектура памяти
x8 DRAM chip, x4 , x8 DRAM chip
Напряжение питания
2.5+-0.2В
Разъем
184-контактный
Латентность Cas сигнала
2.5-3-3
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы
Бренд
Apacer
DDR-400
Подробнее
Описание
UDIMM DDR
Емкость
512Мбайт/1Гбайт/2Гбайт
Архитектура памяти
x8 DRAM chip
Напряжение питания
1.8В+-0.1В
Разъем
184-контактный
Латентность Cas сигнала
CL3
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы
Бренд
Apacer
DDR-400
Подробнее
Описание
SO DIMM DDR
Емкость
256Мбайт / 512Мбайт / 1Гбайт
Архитектура памяти
x8 DRAM chip
Напряжение питания
2.6+-0.1В
Разъем
200-контактный
Латентность Cas сигнала
CL3
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы
Бренд
Apacer
DDR-400
Подробнее
Описание
ECC DIMM DDR, ECC RDIMM DDR
Емкость
256Мбайт / 512Мбайт / 1Гбайт, 256Мбайт / 512Мбайт
Архитектура памяти
x8 DRAM chip, x4 , x8 DRAM chip
Напряжение питания
2.6+-0.1В
Разъем
184-контактный
Латентность Cas сигнала
3-3-3
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы, Да
Бренд
Apacer
DDR2-533
Подробнее
Описание
UDIMM DDR2
Емкость
512Мбайт/1Гбайт/2Гбайт
Архитектура памяти
x8 DRAM chip
Напряжение питания
1.8В+-0.1В
Разъем
240-контактный
Латентность Cas сигнала
CL4
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы
Бренд
Apacer
DDR2-533
Подробнее
Описание
Micro DIMM DDR2, SO DIMM DDR2
Емкость
512Мбайт/1Гбайт, 512Мбайт/1Гбайт/2Гбайт
Архитектура памяти
x8 DRAM chip
Напряжение питания
1.8В+-0.1В
Разъем
214-контактный, 200-контактный
Латентность Cas сигнала
CL4
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы
Бренд
Apacer
DDR2-533
Подробнее
Описание
ECC DIMM DDR2, ECC RDIMM DDR2, FBDIMM DDR2
Емкость
512Мбайт / 1Гбайт / 2Гбайт, 512Мбайт / 1Гбайт / 2Г
Архитектура памяти
x8 FBGA DRAM chip, x4 , x8 FBGA DRAM chip
Напряжение питания
1.8+-0.1В
Разъем
240-контактный
Латентность Cas сигнала
4-4-4
JEDEC
+
RoHS
+
Гарантия
Ограниченная сроком службы
Бренд
Apacer