Категории

Показывать по
12 24 48 Все
2N2857 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 1600 GNF, дБ 13 Vcc,В 10 Ic, мА 12 NF, дБ 5 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi BFR92ALTI Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 4500 Vcc,В 1 Ic, мА 3 NF, дБ 3 Тип корпуса SOT-23 MRF914 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 4500 GNF, дБ 15 Vcc,В 10 Ic, мА 15 NF, дБ 2 Тип корпуса TO-72 BFR96 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 14 Vcc,В 10 Ic, мА 50 NF, дБ 2 Тип корпуса Macro T MRF581 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 15 Vcc,В 12 Ic, мА 50 NF, дБ 2 Тип корпуса Macro X Бренд Microsemi MRF581A Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 15 Vcc,В 12 Ic, мА 50 NF, дБ 2 Тип корпуса Macro X MRF5812 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 15 Vcc,В 12 Ic, мА 50 NF, дБ 2 Тип корпуса SO-8 Бренд Microsemi BFR91 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 16 Vcc,В 5 Ic, мА 30 NF, дБ 1 Тип корпуса Macro T BFR90 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 18 Vcc,В 5 Ic, мА 14 NF, дБ 2 Тип корпуса Macro T MRF904 Подробнее F, МГц 1000 Ft, МГц 4000 GNF, дБ 7 Vcc,В 10 Ic, мА 15 NF, дБ 1 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi MMBR911LT1 Подробнее F, МГц 1000 Ft, МГц 6000 GNF, дБ 11 Vcc,В 10 Ic, мА 10 NF, дБ 2 Тип корпуса SOT-23 Бренд Microsemi MPA201 Подробнее Описание 10-500 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 500 Gain,дБ 12 Vcc,В 12 Корпус 55AU-2 Бренд Microsemi IA5 Подробнее Описание 500-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55ET-2 10A015 Подробнее Описание 501-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер fO,МГц 1000 Pout,Вт 1 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A030 Подробнее Описание 502-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер fO,МГц 1000 Pout,Вт 3 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A060 Подробнее Описание 503-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер fO,МГц 1000 Pout,Вт 6 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 2A5 Подробнее Описание 1,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2000 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55ET-2 Бренд Microsemi 2A8 Подробнее Описание 2,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2000 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55EU-2 Бренд Microsemi 80143 Подробнее Описание 2,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т Pout,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 15 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A003 Подробнее Описание 3,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 10 Vcc,В 15 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A005 Подробнее Описание 4,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A008 Подробнее Описание 5,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A017 Подробнее Описание 6,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Pout,Вт 1 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A025 Подробнее Описание 7,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Pout,Вт 2 Gain,дБ 6 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 2001 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 1 Gain,дБ 9 Vcc,В 28 Cob,пФ 4 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi MS3022 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 1 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 3 Корпус M210 Бренд Microsemi 2003 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 3 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 5 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi MS3023 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 3 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 9 Корпус M210 Бренд Microsemi 2005 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 5 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 7 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2301 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 1 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 4 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2302 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 2 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 4 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2304 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 4 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 7 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2307 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 7 Pin,Вт 1 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 10 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 3005 Подробнее Описание 3,0 GHz Class C, Общая база F,МГц 3000 Pout,Вт 5 Pin,Вт 1 Gain,дБ 5 Vcc,В 28 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2001 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 9 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2003 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 5 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 15 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi MS2003 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 7 КПД, % 35 Vcc, В 28 Cob, пФ 9 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус M210 2005 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 5 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 7 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi MS3024 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 5 Pinmax, Вт 1 Gain min, дБ 7 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 10 Rtjc, (°C/Вт) 6 Корпус M210 2010 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 10 Pinmax, Вт 2 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 15 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 6 Корпус 55BT-1 2301 Подробнее Описание 2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2300 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 20 Cob, пФ 4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 31 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2302 Подробнее Описание 2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2300 Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 20 Cob, пФ 5 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 25 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2304 Подробнее Описание 2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2300 Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 20 Cob, пФ 7 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 17 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2307 Подробнее Описание 2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2300 Pout min, Вт 7 Pinmax, Вт 1 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 20 Cob, пФ 10 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 3001 Подробнее Описание 3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 3000 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 8 КПД, % 30 Vcc, В 28 Cob, пФ 4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-1 3003 Подробнее Описание 3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 3000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 6 КПД, % 30 Vcc, В 28 Cob, пФ 7 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 17 Корпус 55BT-1 3005 Подробнее Описание 3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 3000 Pout min, Вт 5 Pinmax, Вт 1 Gain min, дБ 5 КПД, % 30 Vcc, В 28 КСВН 9:1 Rtjc, (°C/Вт) 7 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi MS1277 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 225 Pout min, Вт 14 Gain min, дБ 14 Vcc, В 28 Ic, мА 2 IMD, дБ -55 КСВН 1 Rtjc, (°C/Вт) M111