Категории
2N2857
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
1600
GNF, дБ
13
Vcc,В
10
Ic, мА
12
NF, дБ
5
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
BFR92ALTI
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
4500
Vcc,В
1
Ic, мА
3
NF, дБ
3
Тип корпуса
SOT-23
MRF914
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
4500
GNF, дБ
15
Vcc,В
10
Ic, мА
15
NF, дБ
2
Тип корпуса
TO-72
BFR96
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
14
Vcc,В
10
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
Macro T
MRF581
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
15
Vcc,В
12
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
Macro X
Бренд
Microsemi
MRF581A
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
15
Vcc,В
12
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
Macro X
MRF5812
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
15
Vcc,В
12
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
SO-8
Бренд
Microsemi
BFR91
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
16
Vcc,В
5
Ic, мА
30
NF, дБ
1
Тип корпуса
Macro T
BFR90
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
18
Vcc,В
5
Ic, мА
14
NF, дБ
2
Тип корпуса
Macro T
MRF904
Подробнее
F, МГц
1000
Ft, МГц
4000
GNF, дБ
7
Vcc,В
10
Ic, мА
15
NF, дБ
1
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
MMBR911LT1
Подробнее
F, МГц
1000
Ft, МГц
6000
GNF, дБ
11
Vcc,В
10
Ic, мА
10
NF, дБ
2
Тип корпуса
SOT-23
Бренд
Microsemi
MPA201
Подробнее
Описание
10-500 MHz, Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
500
Gain,дБ
12
Vcc,В
12
Корпус
55AU-2
Бренд
Microsemi
IA5
Подробнее
Описание
500-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55ET-2
10A015
Подробнее
Описание
501-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
1000
Pout,Вт
1
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10A030
Подробнее
Описание
502-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
1000
Pout,Вт
3
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10A060
Подробнее
Описание
503-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
1000
Pout,Вт
6
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
2A5
Подробнее
Описание
1,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2000
Gain,дБ
7
Vcc,В
20
Корпус
55ET-2
Бренд
Microsemi
2A8
Подробнее
Описание
2,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2000
Gain,дБ
7
Vcc,В
20
Корпус
55EU-2
Бренд
Microsemi
80143
Подробнее
Описание
2,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
Pout,Вт
1
Gain,дБ
10
Vcc,В
15
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A003
Подробнее
Описание
3,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Gain,дБ
10
Vcc,В
15
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A005
Подробнее
Описание
4,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A008
Подробнее
Описание
5,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A017
Подробнее
Описание
6,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Pout,Вт
1
Gain,дБ
7
Vcc,В
20
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A025
Подробнее
Описание
7,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Pout,Вт
2
Gain,дБ
6
Vcc,В
20
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
2001
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
1
Gain,дБ
9
Vcc,В
28
Cob,пФ
4
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
MS3022
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
1
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
3
Корпус
M210
Бренд
Microsemi
2003
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
3
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
5
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
MS3023
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
3
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
9
Корпус
M210
Бренд
Microsemi
2005
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
5
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
7
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2301
Подробнее
Описание
2,3 GHz Class C, Общая база
F,МГц
2300
Pout,Вт
1
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Cob,пФ
4
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2302
Подробнее
Описание
2,3 GHz Class C, Общая база
F,МГц
2300
Pout,Вт
2
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Cob,пФ
4
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2304
Подробнее
Описание
2,3 GHz Class C, Общая база
F,МГц
2300
Pout,Вт
4
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Cob,пФ
7
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2307
Подробнее
Описание
2,3 GHz Class C, Общая база
F,МГц
2300
Pout,Вт
7
Pin,Вт
1
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Cob,пФ
10
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
3005
Подробнее
Описание
3,0 GHz Class C, Общая база
F,МГц
3000
Pout,Вт
5
Pin,Вт
1
Gain,дБ
5
Vcc,В
28
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2001
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
9
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2003
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
5
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
15
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
MS2003
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
7
КПД, %
35
Vcc, В
28
Cob, пФ
9
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
M210
2005
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
5
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
7
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
MS3024
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
5
Pinmax, Вт
1
Gain min, дБ
7
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
10
Rtjc, (°C/Вт)
6
Корпус
M210
2010
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
10
Pinmax, Вт
2
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
15
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
6
Корпус
55BT-1
2301
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
31
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2302
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
5
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2304
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
7
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2307
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
7
Pinmax, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
10
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
3001
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
30
Vcc, В
28
Cob, пФ
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-1
3003
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
6
КПД, %
30
Vcc, В
28
Cob, пФ
7
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
55BT-1
3005
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
5
Pinmax, Вт
1
Gain min, дБ
5
КПД, %
30
Vcc, В
28
КСВН
9:1
Rtjc, (°C/Вт)
7
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
MS1277
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
225
Pout min, Вт
14
Gain min, дБ
14
Vcc, В
28
Ic, мА
2
IMD, дБ
-55
КСВН
1
Rtjc, (°C/Вт)
M111