Контактная информация

Офис в г. Выборг

+7 (812) 913-27-55
info@icquest.ru

188800, Россия, Ленинградская область, Выборг, улица Советская, д. 5, 2 этаж.


Офис в г. Санкт-Петербург

+7 (812) 913-27-55
info@icquest.ru

197198, Россия, Санкт-Петербург, пр-кт Большой П.С., д. 7/4, лит. А, пом. 5Н, оф. 2.

Запрос

Здесь вы можете отправить нам запрос на поставку или задать вопрос.

Логотип помпании Quest Дистрибьютор
Электронных Компонентов
  • Каталог
  • Производители
  • Новости
  • Публикации
  • Компания
EN
  • Quest
  • Каталог
  • Транзисторы

Категории

  • СВЧ
  • Силовые
Показывать по
12 24 48 Все
VRF152E Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 150 Pin,Вт 6 Gain,дБ 14 VDD,В 50 Coss,пФ 220 Корпус M174 Бренд Microsemi VRF154FL Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 600 Pin,Вт 16 Gain,дБ 17 VDD,В 50 Coss,пФ 950 Корпус T2 Бренд Microsemi VRF157FL Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 600 Pin,Вт 16 Gain,дБ 21 VDD,В 50 Coss,пФ 950 Корпус T2 Бренд Microsemi VRF2933 Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 300 Pin,Вт 2 VDD,В 50 Корпус M177 Бренд Microsemi Z0-8F Подробнее Сопротивление, Ом 1,0 Корпус 55GU Транзистор SiC MOSFET RCS014N120P4L Транзистор SiC MOSFET RCS014N120P4L Подробнее Бренд Rongtech Напряжение, В 1200 Rds, мОм 14 Id, max, А 160 Pd, Вт 682 Тип корпуса TO-247-4L Транзистор SiC MOSFET RTC030N120P4L Транзистор SiC MOSFET RTC030N120P4L Подробнее Бренд Rongtech Напряжение, В 1200 Rds, мОм 30 Id, max, А 75 Pd, Вт 431 Тип корпуса TO-247-4L Транзистор SiC MOSFET RTC080N120P4L-C1 Транзистор SiC MOSFET RTC080N120P4L-C1 Подробнее Бренд Rongtech Напряжение, В 1200 Rds, мОм 80 Id, max, А 35 Pd, Вт 180 Тип корпуса TO-247-4L
  • 1
  • 2
  • ...
  • 139
  • 140
  • 141
  • 142
  • 143
  • 144
  • 145
Бренд

© 2026 ООО «Квест»

Создание сайта — Студия 2И