Категории

Показывать по
12 24 48 Все
2N3866 Подробнее F, МГц 400 Vcc, В 28 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N3866A Подробнее F, МГц 400 Vcc, В 28 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N4427 Подробнее F, МГц 175 Vcc, В 12 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N4427 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 4 Rtjc, (°C/Вт) 175 Корпус TO-39 Бренд Microsemi 2N5031 Подробнее F, МГц 400 Ft, МГц 1200 GNF, дБ 12 Vcc,В 6 Ic, мА 1 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 2N5109 Подробнее F, МГц 200 Ft, МГц 1200 GNF, дБ 12 Vcc,В 15 Ic, мА 50 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N5179 Подробнее F, МГц 100 Ft, МГц 1500 GNF, дБ 20 Vcc,В 6 Ic, мА 5 NF, дБ 4 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 2N6255 Подробнее F, МГц 175 Vcc, В 12 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 7 Тип корпуса TO-39 2N6255 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 8 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 15 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус TO-39 2N6304 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 1400 GNF, дБ 14 Vcc,В 10 Ic, мА 14 NF, дБ 5 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 3001 Подробнее Описание 3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 3000 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 8 КПД, % 30 Vcc, В 28 Cob, пФ 4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-1 3003 Подробнее Описание 3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 3000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 6 КПД, % 30 Vcc, В 28 Cob, пФ 7 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 17 Корпус 55BT-1 3005 Подробнее Описание 3,0 GHz Class C, Общая база F,МГц 3000 Pout,Вт 5 Pin,Вт 1 Gain,дБ 5 Vcc,В 28 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 3005 Подробнее Описание 3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 3000 Pout min, Вт 5 Pinmax, Вт 1 Gain min, дБ 5 КПД, % 30 Vcc, В 28 КСВН 9:1 Rtjc, (°C/Вт) 7 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 3134-100M Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 100 Pin,Вт 16 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 3134-100M Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 100 Pin,Вт 16 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 3134-180P Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 180 Pin,Вт 28 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 3134-180P Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 180 Pin,Вт 28 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 3134-200P Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 200 Pin,Вт 32 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 3134-200P Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 200 Pin,Вт 32 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 3134-65M Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 65 Pin,Вт 11 Gain,dB 8 Vcc,В 34 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 3134-65M Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 65 Pin,Вт 11 Gain,dB 8 Vcc,В 34 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 80143 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Vcc, В 15 Cob, пФ 3,4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 30 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 80143 Подробнее Описание 2,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т Pout,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 15 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi