Категории

Показывать по
12 24 48 Все
ARF466FL Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 45 VDD,В 200 Vdss,В 1000 Корпус T2 COO A-E Бренд Microsemi ARF467FL Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 45 VDD,В 200 Vdss,В 1000 Корпус T2 COO A-E Бренд Microsemi ARF473 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 150 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус M208 COO A-E Бренд Microsemi ARF475FL Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 130 VDD,В 160 Vdss,В 500 Корпус T3A COO A-E Бренд Microsemi ARF476FL Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 150 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус T3C COO A-E Бренд Microsemi ARF477FL Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 400 fo,МГц 65 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус T3C COO A-E Бренд Microsemi ARF520 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 150 fo,МГц 100 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус M174 COO A-E Бренд Microsemi ARF521 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 150 fo,МГц 150 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус M174 COO A-E Бренд Microsemi BFR90 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 18 Vcc,В 5 Ic, мА 14 NF, дБ 2 Тип корпуса Macro T BFR91 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 16 Vcc,В 5 Ic, мА 30 NF, дБ 1 Тип корпуса Macro T BFR92ALTI Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 4500 Vcc,В 1 Ic, мА 3 NF, дБ 3 Тип корпуса SOT-23 BFR96 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 14 Vcc,В 10 Ic, мА 50 NF, дБ 2 Тип корпуса Macro T BFY90 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 1300 GNF, дБ 20 Vcc,В 5 Ic, мА 25 NF, дБ 2 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi BYI-1 Подробнее Сопротивление, Ом 1,0 Корпус 55FV Бренд Microsemi BYI-1F Подробнее Сопротивление, Ом 1,0 Корпус 55GV Бренд Microsemi BYI-1T Подробнее Сопротивление, Ом 1,0 Корпус 55LU Бренд Microsemi BYI-1Z Подробнее Сопротивление, Ом 1,0 Корпус 55FU Бренд Microsemi C1-28 Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 28 Cob,пФ 3,5 Корпус 55FU-2 Бренд Microsemi DME150 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус 55AY-1 Бренд Microsemi DME375A Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 375 Pin max, Вт 85 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi DME500 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 125 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi DME800 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 800 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 9 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 5:1 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi DRF100 Подробнее Описание ИС драйвера СВЧ-транзистора Pout,Вт 50 fo,МГц 30 VDD,В 25 Vdss,В 1 Корпус D-E Бренд Microsemi DRF1200 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 560 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Rjc,(°C/Вт) 1 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1201 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 2000 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1202 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 2000 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 500 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1203 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 650 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1300 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 1500 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 500 Корпус T4 COO D-E Бренд Microsemi DRF1301 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 1500 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T4 COO D-E Бренд Microsemi DRF200G Подробнее Описание ИС драйвера СВЧ-транзистора Pout,Вт 50 fo,МГц 30 VDD,В 25 Vdss,В 1 Корпус D-E Бренд Microsemi IA5 Подробнее Описание 500-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55ET-2 ITC1000 Подробнее Описание Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1000 Pin max, Вт 158 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 1 DC, % 1 КСВН 4:1 Корпус 55SW-1 Бренд Microsemi ITC1100 Подробнее Описание Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1000 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 50 Tи, мкс 1 DC, % 1 КСВН 4:1 Корпус 55SW-1 Бренд Microsemi JTDA150A Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 145 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 45 Tи, мкс 7 DC, % 22 КСВН 3:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi JTDA50 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 50 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 22 КСВН 10:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi JTDB25 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 25 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 40 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi JTDB75 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 15 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 40 КСВН 3:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi MDS1100 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1100 Pin max, Вт 115 Gain min, дБ 9 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 128 DC, % 2 КСВН 4:1 Корпус 55TU-1 Бренд Microsemi MDS140L Подробнее Описание MODE S-EML, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pin max, Вт 15 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi MDS400 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 90 Gain min, дБ 6 Vcc, В 45 КПД, % 35 Tи, мкс 32 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi MDS500L Подробнее Описание MODE S-EML, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 55 Tи, мкс 2400 DC, % 6 КСВН 3:1 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi MDS60L Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 6 Vcc, В 10 КПД, % 50 Tи, мкс 2400 DC, % 6 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi MDS70 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 70 Pin max, Вт 6 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 Tи, мкс 128 DC, % 2 Корпус 55CX-1 Бренд Microsemi MDS800 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 800 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 9 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 128 DC, % 2 КСВН 4:1 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi MMBR5179LT1 Подробнее F, МГц 200 Ft, МГц 1400 Vcc,В 6 Ic, мА 1 NF, дБ 4 Тип корпуса SOT-23 Бренд Microsemi MMBR911LT1 Подробнее F, МГц 1000 Ft, МГц 6000 GNF, дБ 11 Vcc,В 10 Ic, мА 10 NF, дБ 2 Тип корпуса SOT-23 Бренд Microsemi MPA201 Подробнее Описание 10-500 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1-500 Gain min, дБ 12 Vcc, В 12 Cob, пФ - КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55AZ-2 Бренд Microsemi MPA201 Подробнее Описание 10-500 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 500 Gain,дБ 12 Vcc,В 12 Корпус 55AU-2 Бренд Microsemi