Категории
MRF3866
Подробнее
F, МГц
400
Vcc, В
28
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Тип корпуса
SO-8
MRF4427
Подробнее
F, МГц
200
Ft, МГц
1300
GNF, дБ
18
Vcc,В
12
Ic, мА
50
Тип корпуса
SO-8
Бренд
Microsemi
MRF517
Подробнее
F, МГц
300
Ft, МГц
3000
GNF, дБ
10
Vcc,В
15
Ic, мА
60
NF, дБ
2
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
MRF544
Подробнее
F, МГц
250
Ft, МГц
1500
GNF, дБ
13
Vcc,В
25
Ic, мА
50
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
MRF545
Подробнее
F, МГц
250
Ft, МГц
1400
GNF, дБ
13
Vcc,В
25
Ic, мА
50
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
MRF553
Подробнее
F, МГц
175
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
11
Тип корпуса
Pwr Macro
Бренд
Microsemi
MRF553
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
12
КПД, %
55
Vcc, В
12
Ic, мА
12
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
Pwr Macro
Бренд
Microsemi
MRF555
Подробнее
F, МГц
470
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
11
Тип корпуса
Pwr Macro
Бренд
Microsemi
MRF555
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
11
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
5
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
Pwr Macro
Бренд
Microsemi
MRF557
Подробнее
F, МГц
870
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
Тип корпуса
Pwr
Бренд
Microsemi
MRF557
Подробнее
Описание
УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
6
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
Pwr Macro
Бренд
Microsemi
MRF559
Подробнее
Описание
УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения
Gain,дБ
8
Vcc,В
12
Cob,пФ
3
fO,МГц
870
Корпус
MACRO-X
Бренд
Microsemi
MRF559
Подробнее
Описание
УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени
Gain min, дБ
8
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
3
Rtjc, (°C/Вт)
50
Корпус
Macro-X
Бренд
Microsemi
MRF559G
Подробнее
Описание
УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения
Cob,пФ
-
Корпус
MACRO-X
Бренд
Microsemi
MRF559GT
Подробнее
Описание
УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения
Cob,пФ
-
Корпус
MACRO-X
MRF559T
Подробнее
Описание
УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения
Cob,пФ
-
Корпус
MACRO-X
MRF581
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
15
Vcc,В
12
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
Macro X
Бренд
Microsemi
MRF5812
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
15
Vcc,В
12
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
SO-8
Бренд
Microsemi
MRF581A
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
15
Vcc,В
12
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
Macro X
MRF586
Подробнее
F, МГц
300
Ft, МГц
3000
GNF, дБ
12
Vcc,В
15
Ic, мА
40
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
MRF5943
Подробнее
F, МГц
300
Ft, МГц
1000
GNF, дБ
15
Vcc,В
15
Ic, мА
35
NF, дБ
5
Тип корпуса
TO-39, SO-8
Бренд
Microsemi
MRF607
Подробнее
F, МГц
175
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
11
Тип корпуса
TO-39
MRF607
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
12
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
15
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
TO-39
MRF837
Подробнее
F, МГц
870
Vcc, В
12
Gain min, дБ
8
Тип корпуса
SO-8, Pwr
Бренд
Microsemi
MRF837
Подробнее
Описание
УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени
Gain min, дБ
8
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
3
Rtjc, (°C/Вт)
45
Корпус
SO-8
Бренд
Microsemi
MRF904
Подробнее
F, МГц
1000
Ft, МГц
4000
GNF, дБ
7
Vcc,В
10
Ic, мА
15
NF, дБ
1
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
MRF914
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
4500
GNF, дБ
15
Vcc,В
10
Ic, мА
15
NF, дБ
2
Тип корпуса
TO-72
MS1001
Подробнее
Описание
ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер
Pout,Вт
75
Pin,Вт
3
Gain,дБ
14
Vcc,В
28
Cob,пФ
350
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1001
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
75
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
14
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
350
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1003
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
100
Pin,Вт
25
Gain,дБ
6
Vcc,В
12
Cob,пФ
390
Корпус
M111
Бренд
Microsemi
MS1003
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
6
Vcc, В
12
Ic, мА
390
КСВН
10:1
Корпус
M111
Бренд
Microsemi
MS1004
Подробнее
Описание
ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер
Pout,Вт
250
Pin,Вт
10
Gain,дБ
14
Vcc,В
50
Cob,пФ
-
ICQ,А
150
Корпус
M177
Бренд
Microsemi
MS1004
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
250
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
14
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Корпус
M177
Бренд
Microsemi
MS1007
Подробнее
Описание
ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер
Pout,Вт
150
Pin,Вт
6
Gain,дБ
14
Vcc,В
50
Cob,пФ
-
ICQ,А
100
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1007f
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
6
Gain min, дБ
14
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
100
КСВН
20:1
Корпус
M174
MS1008
Подробнее
Описание
ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер
Pout,Вт
150
Pin,Вт
6
Gain,дБ
14
Vcc,В
50
Cob,пФ
-
ICQ,А
100
Корпус
M164
Бренд
Microsemi
MS1008
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
6
Gain min, дБ
14
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
100
КСВН
20:1
Корпус
M164
Бренд
Microsemi
MS1011
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
250
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
14
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Корпус
M177
MS1051
Подробнее
Описание
ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер
Pout,Вт
100
Pin,Вт
7
Gain,дБ
11
Vcc,В
12
Cob,пФ
-
ICQ,А
150
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1051
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
7
Gain min, дБ
11
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1076
Подробнее
Описание
ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер
Pout,Вт
220
Pin,Вт
13
Gain,дБ
12
Vcc,В
28
Cob,пФ
-
ICQ,А
750
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1076
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
220
Pin max, Вт
13
Gain min, дБ
12
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
750
КСВН
20:1
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1078
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
130
Pin max, Вт
8
Gain min, дБ
12
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M174
MS1079
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
220
Pin max, Вт
11
Gain min, дБ
13
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Корпус
M174
MS1204
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
6
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
150
Корпус
M174
MS1226
Подробнее
Описание
ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер
Pout,Вт
30
Gain,дБ
18
Vcc,В
28
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
MS1226
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
30
Gain min, дБ
18
КПД, %
60
Vcc, В
28
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
MS1227
Подробнее
Описание
ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер
Pout,Вт
20
Gain,дБ
15
Vcc,В
12
Cob,пФ
100
Корпус
M113
Бренд
Microsemi