Категории

Показывать по
12 24 48 Все
MS1649 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 9 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 12 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус TO-39 Бренд Microsemi MS2003 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 7 КПД, % 35 Vcc, В 28 Cob, пФ 9 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус M210 MS2200 Подробнее Описание УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером Pout,Вт 500 Pin,Вт 54 Gain,dB 10 Vcc,В 40 Ти,мкс 250 DC,% 10 Корпус MS102 Бренд Microsemi MS2200 Подробнее Описание УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером Pout,Вт 500 Pin,Вт 54 Gain,dB 10 Vcc,В 40 Ти,мкс 250 DC,% 10 Корпус MS102 Бренд Microsemi MS2201 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 9 Vcc, В 28 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 Rtjc, (°C/Вт) 10 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2202 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 9 Vcc, В 35 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 10 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2203 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ Gain min, дБ 10 Vcc, В 18 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2204 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ Gain min, дБ 10 Vcc, В 18 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 25 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2205 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 9 Vcc, В 28 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 5 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2206 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 10 Vcc, В 28 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2207 Подробнее Описание TCAS 1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 63 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 15:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MS2209 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 90 Pin max, Вт 13 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 10 DC, % 10 Корпус M218 Бренд Microsemi MS2210 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 300 Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 10 DC, % 10 КСВН 15:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MS2211 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 6 Gain min, дБ 9 Vcc, В 28 КПД, % 45 Tи, мкс 6 DC, % 21 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 7 Корпус M22 Бренд Microsemi MS2212 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 2 Gain min, дБ 8 Vcc, В 28 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 21 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 3 Корпус M22 Бренд Microsemi MS2213 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 30 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 7 Vcc, В 35 КПД, % 40 Tи, мкс 6 DC, % 21 КСВН 15:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M214 Бренд Microsemi MS2214 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 85 Pin max, Вт 15 Gain min, дБ 7 Vcc, В 35 КПД, % 40 Tи, мкс 6 DC, % 21 КСВН 5:1 Корпус M218 Бренд Microsemi MS2215 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 26 Gain min, дБ 7 Vcc, В 35 КПД, % 45 Tи, мкс 7 DC, % 21 Корпус M216 Бренд Microsemi MS2267 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 250 Pin max, Вт 40 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 20 DC, % 5 Корпус M214 Бренд Microsemi MS2272 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 350 Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 10 DC, % 10 КСВН 15:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MS2290 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ Gain min, дБ 10 Vcc, В 18 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 25 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2321 Подробнее Описание DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 30 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M105 Бренд Microsemi MS2341 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 35 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 30 Tи, мкс 10 DC, % 1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2361 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 13 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 Tи, мкс 10 DC, % 1 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2393 Подробнее Описание Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Класс С, сх Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус M138 Бренд Microsemi MS2421 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 300 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус M103 Бренд Microsemi MS2441 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 90 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус M112 Бренд Microsemi MS2472 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 550 Pin max, Вт 150 Gain min, дБ 5 Vcc, В 50 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус M112 Бренд Microsemi MS2473 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 600 Pin max, Вт 150 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус M112 Бренд Microsemi MS2553 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 35 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 43 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2553C Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 35 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 Tи, мкс 10 DC, % 1 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2554 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 250 Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус M218 Бренд Microsemi MS2575 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 35 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 48 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M115 Бренд Microsemi MS3011 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 7 Vcc, В 18 Cob, пФ 5 КСВН 15:1 Rtjc, (°C/Вт) 17 Корпус M210 MS3022 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 1 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 3 Корпус M210 Бренд Microsemi MS3023 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 3 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 9 Корпус M210 Бренд Microsemi MS3024 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 5 Pinmax, Вт 1 Gain min, дБ 7 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 10 Rtjc, (°C/Вт) 6 Корпус M210 MS652S Подробнее Описание УВЧ 470 MHz, Class C, Общего назначения Pout,Вт 5 Gain,дБ 10 Vcc,В 12 Cob,пФ 15 Корпус M123 Бренд Microsemi MS652S Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 5 Gain min, дБ 10 КПД, % 60 Vcc, В 12 Ic, мА 15 Rtjc, (°C/Вт) 11 Корпус M123 Бренд Microsemi MSC1015MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 Корпус M115 Бренд Microsemi MSC1075MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 13 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M115 Бренд Microsemi MSC1175M Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 175 Pin max, Вт 30 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус M218 Бренд Microsemi MSC1350M Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 350 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус M218 Бренд Microsemi MSC1400M Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 90 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 25:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MSC1450M Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 450 Pin max, Вт 90 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 25:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MSC80064 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 9 Vcc, В 18 Cob, пФ 2,5 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 45 Корпус M210 S200-50 Подробнее Описание ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер Pout,Вт 200 Pin,Вт 12 Gain,дБ 12 Vcc,В 50 Cob,пФ 300 Корпус 55HX-2 Бренд Microsemi S200-50 Подробнее Описание ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 200 Pin max, Вт 12 Gain min, дБ 12 КПД, % 60 Vcc, В 50 Ic, мА 300 КСВН 30:1 Корпус 55HX-2 Бренд Microsemi