Категории

Показывать по
12 24 48 Все
LX5511 Подробнее Корпус MLPQ-16 WLAN 802.11b/g; Client/AP F, ГГц 2,4-2,5 Nc 2 Vcc, В 3,3 Gp, dB 26 EVM (%) 3% Детектор Мощности On-Chip Общий ток потребления 160mA @20dBm OFDM Бренд Microsemi LX5512B Подробнее Корпус MLPQ-16 WLAN 802.11b/g; Client/AP F, ГГц 2,4-2,5 Nc 2 Vcc, В 3,3 - 5,0 Gp, dB 33; 33 EVM (%) 3% Детектор Мощности On-Chip Общий ток потребления 190mA @22dBm OFDM Бренд Microsemi LX5514 Подробнее Корпус MLPQ-12 WLAN 802.11b/g; Client F, ГГц 2,4-2,5 Nc 2 Vcc, В 3,3 Gp, dB 28 EVM (%) 3% Детектор Мощности On-Chip Общий ток потребления 140mA @20dBm OFDM Бренд Microsemi LX5530 Подробнее Корпус MLPQ-16 WLAN 802.11a; 802.16; Client/AP F, ГГц 4,9-5,9 Nc 3 Vcc, В 3,3 - 5,0 Gp, dB 28-33 EVM (%) 3% Детектор Мощности On-Chip Общий ток потребления 360mA @ 22dBm OFDM Бренд Microsemi LX5503 Подробнее Корпус MLPQ-16 WLAN 802.11a F, ГГц 5,15-5,85 Nc 2 Vcc, В 3,3 Gp, dB 22 EVM (%) 4% Общий ток потребления 200mA @ 18dBm OFDM Бренд Microsemi LX5503E Подробнее Корпус MLPQ-16 WLAN 802.11a F, ГГц 4,9-5,85 Nc 2 Vcc, В 3,3 Gp, dB 25 EVM (%) 3% Общий ток потребления 150mA @ 18dBm OFDM Бренд Microsemi LX5506E Подробнее Корпус MLPQ-16 WLAN 802.11a F, ГГц 5,15-5,85 Nc 3 Vcc, В 3,3 Gp, dB 25 EVM (%) 3% Детектор Мощности On-Chip Общий ток потребления 200mA @ 18dBm OFDM Бренд Microsemi LX5510 Подробнее Корпус MLPQ-16 WLAN 802.11b/g F, ГГц 2,4 – 2,5 Nc 2 Vcc, В 3,3 Gp, dB 20 EVM (%) 3% Общий ток потребления 125mA @ 19dBm OFDM Бренд Microsemi LX5512E Подробнее Корпус MLPQ-16 WLAN 802.11b/g F, ГГц 2,4 – 2,5 Nc 2 Vcc, В 3,3 Gp, dB 34 EVM (%) 3% Детектор Мощности On-Chip Общий ток потребления 130mA @ 19dBm OFDM Бренд Microsemi LX5535 Подробнее Корпус MLPQ-16 WLAN 802.11b/g;802.16;WiMAX F, ГГц 2.4-2.5 Nc 3 Vcc, В 5.0 Gp, dB 32 EVM (%) 3.5% Детектор Мощности On-Chip Общий ток потребления 370мА @ 28dBm OFDM Бренд Microsemi LX5540 Подробнее Корпус MLPQ-16 WLAN 802.11b/g F, ГГц 2.3-2.5 Nc 2 Vcc, В 3.3 Gp, dB 28 EVM (%) 3% Детектор Мощности On-Chip Общий ток потребления 145мА@ 20dBm OFDM Бренд Microsemi BD429 Подробнее Корпус 16L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated BD429A Подробнее Корпус 16L SOIC WB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated BD429A1 Подробнее Корпус 16L SOIC WB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated BD429B Подробнее Корпус 28L PLCC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI0429-NES Подробнее Корпус 16L PDIP Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI0429-WMS Подробнее Корпус 16L CSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI0429-WMB Подробнее Корпус 16L CSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1022 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1023 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1024 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1025 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1032 Подробнее Корпус 16L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1038 Подробнее Корпус 28L PLCC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rin=13 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated