Категории

Показывать по
12 24 48 Все
DEI1054 Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1058 Подробнее Корпус 16L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 6 Lightning Protection X Описание Преобразователи уровней сигналов. 28В/GND Бренд Device Engineering Incorporated DEI1058 Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1066-SES Подробнее Корпус 16L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 8 Lightning Protection X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND с после Бренд Device Engineering Incorporated DEI1066-SES Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1066-WMB Подробнее Корпус 16L CSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 8 Lightning Protection X Burn-in X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND с после Бренд Device Engineering Incorporated DEI1066-WMB Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1066-WMS Подробнее Корпус 16L CSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 8 Lightning Protection X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND с после Бренд Device Engineering Incorporated DEI1066-WMS Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1070-CMS Подробнее Корпус 8L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1070-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1071-CMS Подробнее Корпус 8L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=10 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1071-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=10 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1072-CMS Подробнее Корпус 8L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1072-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1073-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1074-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=10 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1075-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1084 Подробнее DEI1085 Подробнее DEI1090-SES Подробнее Корпус 16L WB SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 8 Описание Другое. Драйвер светодиодов Бренд Device Engineering Incorporated DEI1090-SES Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1166-TES Подробнее Корпус 24L TSSOP Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 8 Lightning Protection X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND с пара Бренд Device Engineering Incorporated DEI1166-TES Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1166-TMS Подробнее Корпус 24L TSSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 8 Lightning Protection X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND с парал Бренд Device Engineering Incorporated DEI1166-TMS Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1170-MES Подробнее Корпус 20L MLPQ Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=0 Ом X Rout=10 Ом X Rout=37,5 Ом X Описание Вывод радиатора соединен с V- Бренд Device Engineering Incorporated DEI1171-MES Подробнее Корпус 20L MLPQ Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=0 Ом X Rout=10 Ом X Rout=37,5 Ом X Описание Вывод радиатора изолирован Бренд Device Engineering Incorporated DEI1270-MES Подробнее Корпус 38L MLPQ Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 2 Выходы с Z-сост. X Rout=0 Ом X Rout=10 Ом X Rout=37,5 Ом X Описание Вывод радиатора соединен с V- Бренд Device Engineering Incorporated DEI1271-MES Подробнее Корпус 38L MLPQ Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 2 Выходы с Z-сост. X Rout=0 Ом X Rout=10 Ом X Rout=37,5 Ом X Описание Вывод радиатора изолирован Бренд Device Engineering Incorporated DEI3182A-CMB Подробнее Корпус 16L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Rout=37,5 Ом X Burn-in X Описание Точная замена для устаревших устройств (RM3182A/ R Бренд Device Engineering Incorporated DEI3182A-CMS Подробнее Корпус 16L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Rout=37,5 Ом X Описание Точная замена для устаревших устройств (RM3182A/ R Бренд Device Engineering Incorporated DEI3182A-DMB Подробнее Корпус 16L SB CDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Rout=37,5 Ом X Burn-in X Описание Точная замена для устаревших устройств (RM3182A/ R Бренд Device Engineering Incorporated DEI3182A-DMS Подробнее Корпус 16L SB CDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Rout=37,5 Ом X Описание Точная замена для устаревших устройств (RM3182A/ R Бренд Device Engineering Incorporated DEI3182A-EMB Подробнее Корпус 28L CLCC Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Rout=37,5 Ом X Burn-in X Описание Точная замена для устаревших устройств (RM3182A/ R Бренд Device Engineering Incorporated DEI3182A-EMS Подробнее Корпус 28L CLCC Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Rout=37,5 Ом X Описание Точная замена для устаревших устройств (RM3182A/ R Бренд Device Engineering Incorporated DEI3283-CMB Подробнее Тыстовый вывод есть Корпус 20L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 2 Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated DEI3283-CMS Подробнее Тыстовый вывод есть Корпус 20L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 2 Бренд Device Engineering Incorporated DEI3283-EMB Подробнее Тыстовый вывод есть Корпус 20L CLCC Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 2 Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated DEI3283-EMS Подробнее Тыстовый вывод есть Корпус 20L CLCC Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 2 Бренд Device Engineering Incorporated DEI3283-SAB Подробнее Тыстовый вывод есть Корпус 20L SOIC Темпер. диапазон A = -40°C - +125°C Число каналов 2 Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated DEI3283-SAS Подробнее Тыстовый вывод есть Корпус 20L SOIC Темпер. диапазон A = -40°C - +125°C Число каналов 2 Бренд Device Engineering Incorporated DEI3283-SEB Подробнее Тыстовый вывод есть Корпус 20L SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 2 Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated DEI3283-SES Подробнее Тыстовый вывод есть Корпус 20L SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 2 Бренд Device Engineering Incorporated DEI3283-SMB Подробнее Тыстовый вывод есть Корпус 20L SOIC Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 2 Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated DEI3283-SMS Подробнее Тыстовый вывод есть Корпус 20L SOIC Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 2 Бренд Device Engineering Incorporated E4237 Подробнее Описание Сдвоенное PMU Диапазон 16,25В, +40мА Особенности 2 токовых диапазона, стабильная работа на емкостну Корпус, мм 80-pin MQFP, 64-pad LPCC Бренд Semtech E4257 Подробнее Описание Сдвоенное PMU Диапазон 16,25В, +40мА Особенности 4 токовых диапазона, стабильная работа на емкостну Корпус, мм 80-pin MQFP, 64-pad LPCC Бренд Semtech