Категории

Показывать по
12 24 48 Все
Заказные тонкопленочные схемы и компоненты Подробнее Бренд ATC Низкотемпературная технология производства керамики Подробнее Бренд ATC 100A Подробнее Sпп, мм 1,40 x 1,40 Емкость, пФ 0,1 - 100 VDC max, В 150 Материал Диэлектрика Фарфор (P90) ТКЕ, ppm/°C +90 ± 20 S-параметры S-параметры ESR, Ом при 30МГц - ESR, Ом при 150МГц > 0,028 ESR, Ом при 500МГц > 0,051 ESR, Ом при 1000МГц 0,39 - 0,072 SFR, МГц 9110 - 1000 Бренд ATC 100B Подробнее Sпп, мм 2,79 x 2,79 Емкость, пФ 0,1 - 1000 VDC max, В 500 Материал Диэлектрика Фарфор (P90) ТКЕ, ppm/°C +90 ± 20 S-параметры S-параметры ESR, Ом при 30МГц - ESR, Ом при 150МГц > 0,015 ESR, Ом при 500МГц > 0,027 ESR, Ом при 1000МГц 0,115 SFR, МГц 2030 - 230 Бренд ATC 100C Подробнее Sпп, мм 5,84 x 6,35 Емкость, пФ 1 - 2700 VDC max, В 2500 Материал Диэлектрика Фарфор (P90) ТКЕ, ppm/°C +90 ± 30 ESR, Ом при 30МГц 0,072 - 0,007 ESR, Ом при 150МГц > 0,016 ESR, Ом при 500МГц >0,251 ESR, Ом при 1000МГц 0,355 SFR, МГц 1457 - 95 Бренд ATC 100E Подробнее Sпп, мм 9,65 x 9,65 Емкость, пФ 1 - 5100 VDC max, В 7200 Материал Диэлектрика Фарфор (P90) ТКЕ, ppm/°C +90 ± 30 ESR, Ом при 30МГц 0,076 - 0,010 ESR, Ом при 150МГц > 0,022 ESR, Ом при 500МГц > 0,266 ESR, Ом при 1000МГц 0,376 SFR, МГц 1110 -55 Бренд ATC 700A Подробнее Sпп, мм 1,40 x 1,40 Емкость, пФ 0,1 - 1000 VDC max, В 150 Материал Диэлектрика Фарфор и Керамика (NPO) ТКЕ, ppm/°C 0 ± 30 S-параметры S-параметры ESR, Ом при 30МГц - ESR, Ом при 150МГц > 0,035 ESR, Ом при 500МГц > 0,064 ESR, Ом при 1000МГц 0,429 SFR, МГц 9110 - 330 Бренд ATC 700B Подробнее Sпп, мм 2,79 x 2,79 Емкость, пФ 0,1 - 5100 VDC max, В 500 Материал Диэлектрика Фарфор и Керамика (NPO) ТКЕ, ppm/°C 0 ± 30 S-параметры S-параметры ESR, Ом при 30МГц - ESR, Ом при 150МГц > 0,025 ESR, Ом при 500МГц > 0,09 ESR, Ом при 1000МГц 0,126 SFR, МГц 1840 - 100 Бренд ATC 700C Подробнее Sпп, мм 5,84 x 6,35 Емкость, пФ 1 - 2700 VDC max, В 2500 Материал Диэлектрика Фарфор (NPO) ТКЕ, ppm/°C 0 ± 30 ESR, Ом при 30МГц 0,072 - 0,007 ESR, Ом при 150МГц > 0,016 ESR, Ом при 500МГц > 0,251 ESR, Ом при 1000МГц 0,355 SFR, МГц 1457 - 95 Бренд ATC 700E Подробнее Sпп, мм 9,65 x 9,65 Емкость, пФ 1 - 2200 VDC max, В 7200 Материал Диэлектрика Фарфор (NPO) ТКЕ, ppm/°C 0 ± 30 ESR, Ом при 30МГц 0,076 - 0,014 ESR, Ом при 150МГц > 0,03 ESR, Ом при 500МГц > 0,055 ESR, Ом при 1000МГц 0,376 SFR, МГц 1110 - 82 Бренд ATC 600L Подробнее Sпп, мм 1,02 x ,51 Емкость, пФ 0,1 - 27 VDC max, В 200 Материал Диэлектрика Сверхнизк. ESR, Высок. Q (NPO) ТКЕ, ppm/°C 0 ± 30 S-параметры Гориз. S-пар. Вертикал. Верт. ESR, Ом при 30МГц - ESR, Ом при 500МГц > 0,063 ESR, Ом при 1000МГц < 0,086 SFR, МГц 11,31 - 2780 Бренд ATC 600S Подробнее Sпп, мм 1,60 x ,81 Емкость, пФ 0,1 - 100 VDC max, В 250 Материал Диэлектрика Сверхнизк. ESR, Высок. Q (NPO) ТКЕ, ppm/°C 0 ± 30 S-параметры Гориз. S-пар. Вертикал. Верт. ESR, Ом при 30МГц - ESR, Ом при 150МГц > 0,034 ESR, Ом при 500МГц > 0,043 ESR, Ом при 1000МГц > 0,07 SFR, МГц 10,5 - 1200 Бренд ATC