Транзистор SiC MOSFET RCS014N120P4L

Компания Rongtech объявила о расширении своей линейки N-канальных карбид-кремниевых полевых транзисторов (MOSFET).

 

SiC MOSFET обладают рядом преимуществ по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET, которые делают их особенно привлекательными для различных приложений, включая силовую электронику, электрические транспортные средства и возобновляемые источники энергии: 

 

 1. Высокая температура эксплуатации: SiC транзисторы способны работать при значительно более высоких температурах, чем кремниевые, что позволяет уменьшить потребность в системе охлаждения и повышает надежность системы.

 

2.Высокое напряжение: могут обрабатывать более высокие напряжения (до 1200 В и выше), что делает их идеальными для использования в силовых приложениях.

 

3. Низкие потери на переключение: обладают более короткими временами переключения и меньшими потерями на переключение, что приводит к увеличенной эффективности и меньшему нагреву.

 

4. Высокая плотность мощности: имеют более высокую плотность мощности, что позволяет использовать меньшее количество компонентов и снижать размеры и массу систем.

 

5. Улучшенная линейность и динамика: высокая подвижность носителей заряда в SiC позволяет достигать лучших характеристик в части линейности и динамики, что особенно важно в некоторых приложениях.

 

6. Снижение электромагнитных помех (EMI): Благодаря меньшим потерям на переключение и более плавным переходам, SiC MOSFET могут снизить уровень электромагнитных помех по сравнению с кремниевыми транзисторами.

 

Эти свойства делают карбид-кремниевые MOSFET широко применяемыми в высокоэффективных источниках питания, инверторах, преобразователях и других областях, где важны высокая надежность и КПД.

 

Основные характеристики новых SiC MOSFET компании Rongtech:

 

Device	V(BR)DSS, В	RDS(ON), мОм	ID MAX, А	PD, при TC = 25°C, Вт	TJ, Tstg, ˚С	TL, ˚С	Package
RCS014N120P4L	1200	14	160	682	от -55 до +175	270	TO-247-4L
RTC030N120P4L		30	75	431
RTC080N120P4L-C1		80	35	180

 

Получить Консультацию