Показывать по
12 24 48 Все
APTGV100H60BTPG Подробнее Vces, В 600 Ic, А 100 Vce(on),В 1,5 NTC + Корпус SP6-P Бренд Microsemi APTGV25H120BG Подробнее Vces, В 1200 Ic, А 25 Vce(on),В 1,7 NTC - Корпус SP4 Бренд Microsemi APTGV50H120BTPG Подробнее Vces, В 1200 Ic, А 50 Vce(on),В 1,7 NTC + Корпус SP6-P Бренд Microsemi APTGV50H60BG Подробнее Vces, В 600 Ic, А 50 Vce(on),В 1,5 NTC - Корпус SP4 Бренд Microsemi APTM08TAM04PG Подробнее VDss, В 75 ID, А 90 RDS(on), мОм 4 NTC - Корпус SP6-P Бренд Microsemi APTM08TDUM04PG Подробнее VDss, В 75 ID, А 90 RDS(on), мОм 4 NTC - Корпус SP6-P Бренд Microsemi APTM100A12STG Подробнее VDss, В 1000 ID, А 50 RDS(on), мОм 120 NTC + Корпус LP8W Бренд Microsemi APTM100A13DG Подробнее VDss, В 1000 ID, А 49 RDS(on), мОм 130 NTC - Корпус SP6 Бренд Microsemi APTM100A13SC Подробнее Описание Полумост с последовательными диодами и параллельны Vdss, В 1000 Rds(on), Ом 130 Id, A 49 Tf(Id), нс 15 Тип MOSFET MOS 7 Корпус SP-6 Бренд Microsemi APTM100A13SCG Подробнее VDss, В 1000 ID, А 49 RDS(on), мОм 130 NTC - Корпус SP6 Бренд Microsemi APTM100A13SG Подробнее VDss, В 1000 ID, А 49 RDS(on), мОм 130 NTC - Корпус SP6 Бренд Microsemi APTM100A18FTG Подробнее VDss, В 1000 ID, А 33 RDS(on), мОм 180 NTC - Корпус SP4 Бренд Microsemi