Категории
APTGV100H60BTPG
Подробнее
Vces, В
600
Ic, А
100
Vce(on),В
1,5
NTC
+
Корпус
SP6-P
Бренд
Microsemi
APTGV25H120BG
Подробнее
Vces, В
1200
Ic, А
25
Vce(on),В
1,7
NTC
-
Корпус
SP4
Бренд
Microsemi
APTGV50H120BTPG
Подробнее
Vces, В
1200
Ic, А
50
Vce(on),В
1,7
NTC
+
Корпус
SP6-P
Бренд
Microsemi
APTGV50H60BG
Подробнее
Vces, В
600
Ic, А
50
Vce(on),В
1,5
NTC
-
Корпус
SP4
Бренд
Microsemi
APTM08TAM04PG
Подробнее
VDss, В
75
ID, А
90
RDS(on), мОм
4
NTC
-
Корпус
SP6-P
Бренд
Microsemi
APTM08TDUM04PG
Подробнее
VDss, В
75
ID, А
90
RDS(on), мОм
4
NTC
-
Корпус
SP6-P
Бренд
Microsemi
APTM100A12STG
Подробнее
VDss, В
1000
ID, А
50
RDS(on), мОм
120
NTC
+
Корпус
LP8W
Бренд
Microsemi
APTM100A13DG
Подробнее
VDss, В
1000
ID, А
49
RDS(on), мОм
130
NTC
-
Корпус
SP6
Бренд
Microsemi
APTM100A13SC
Подробнее
Описание
Полумост с последовательными диодами и параллельны
Vdss, В
1000
Rds(on), Ом
130
Id, A
49
Tf(Id), нс
15
Тип MOSFET
MOS 7
Корпус
SP-6
Бренд
Microsemi
APTM100A13SCG
Подробнее
VDss, В
1000
ID, А
49
RDS(on), мОм
130
NTC
-
Корпус
SP6
Бренд
Microsemi
APTM100A13SG
Подробнее
VDss, В
1000
ID, А
49
RDS(on), мОм
130
NTC
-
Корпус
SP6
Бренд
Microsemi
APTM100A18FTG
Подробнее
VDss, В
1000
ID, А
33
RDS(on), мОм
180
NTC
-
Корпус
SP4
Бренд
Microsemi