Категории

Показывать по
12 24 48 Все
DRF1201 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 2000 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1202 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 2000 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 500 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1203 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 650 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1300 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 1500 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 500 Корпус T4 COO D-E Бренд Microsemi DRF1301 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 1500 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T4 COO D-E Бренд Microsemi DRF200G Подробнее Описание ИС драйвера СВЧ-транзистора Pout,Вт 50 fo,МГц 30 VDD,В 25 Vdss,В 1 Корпус D-E Бренд Microsemi ITC1000 Подробнее Описание Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1000 Pin max, Вт 158 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 1 DC, % 1 КСВН 4:1 Корпус 55SW-1 Бренд Microsemi ITC1100 Подробнее Описание Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1000 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 50 Tи, мкс 1 DC, % 1 КСВН 4:1 Корпус 55SW-1 Бренд Microsemi JTDA150A Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 145 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 45 Tи, мкс 7 DC, % 22 КСВН 3:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi JTDA50 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 50 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 22 КСВН 10:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi JTDB25 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 25 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 40 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi JTDB75 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 15 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 40 КСВН 3:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi