Категории

Показывать по
12 24 48 Все
2731-200P Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 200 Pin,Вт 35 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 2931-150 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 150 Pin,Вт 21 Gain,dB 8 Vcc,В 38 Ти,мкс 50 DC,% 4 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2931-150 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 150 Pin,Вт 21 Gain,dB 8 Vcc,В 38 Ти,мкс 50 DC,% 4 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2A5 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55ET-2 Бренд Microsemi 2A5 Подробнее Описание 1,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2000 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55ET-2 Бренд Microsemi 2A8 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55EU-2 Бренд Microsemi 2A8 Подробнее Описание 2,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2000 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55EU-2 Бренд Microsemi 2N2857 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 1600 GNF, дБ 13 Vcc,В 10 Ic, мА 12 NF, дБ 5 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 2N3866 Подробнее F, МГц 400 Vcc, В 28 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N3866A Подробнее F, МГц 400 Vcc, В 28 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N4427 Подробнее F, МГц 175 Vcc, В 12 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N4427 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 4 Rtjc, (°C/Вт) 175 Корпус TO-39 Бренд Microsemi