Категории

Показывать по
12 24 48 Все
MS2200 Подробнее Описание УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером Pout,Вт 500 Pin,Вт 54 Gain,dB 10 Vcc,В 40 Ти,мкс 250 DC,% 10 Корпус MS102 Бренд Microsemi MS2200 Подробнее Описание УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером Pout,Вт 500 Pin,Вт 54 Gain,dB 10 Vcc,В 40 Ти,мкс 250 DC,% 10 Корпус MS102 Бренд Microsemi MS2201 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 9 Vcc, В 28 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 Rtjc, (°C/Вт) 10 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2202 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 9 Vcc, В 35 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 10 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2203 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ Gain min, дБ 10 Vcc, В 18 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2204 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ Gain min, дБ 10 Vcc, В 18 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 25 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2205 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 9 Vcc, В 28 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 5 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2206 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 10 Vcc, В 28 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2207 Подробнее Описание TCAS 1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 63 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 15:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MS2209 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 90 Pin max, Вт 13 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 10 DC, % 10 Корпус M218 Бренд Microsemi MS2210 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 300 Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 10 DC, % 10 КСВН 15:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MS2211 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 6 Gain min, дБ 9 Vcc, В 28 КПД, % 45 Tи, мкс 6 DC, % 21 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 7 Корпус M22 Бренд Microsemi