Категории
2N3866
Подробнее
F, МГц
400
Vcc, В
28
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
2N3866A
Подробнее
F, МГц
400
Vcc, В
28
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
2N4427
Подробнее
F, МГц
175
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
2N4427
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
4
Rtjc, (°C/Вт)
175
Корпус
TO-39
Бренд
Microsemi
2N5031
Подробнее
F, МГц
400
Ft, МГц
1200
GNF, дБ
12
Vcc,В
6
Ic, мА
1
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
2N5109
Подробнее
F, МГц
200
Ft, МГц
1200
GNF, дБ
12
Vcc,В
15
Ic, мА
50
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
2N5179
Подробнее
F, МГц
100
Ft, МГц
1500
GNF, дБ
20
Vcc,В
6
Ic, мА
5
NF, дБ
4
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
2N6255
Подробнее
F, МГц
175
Vcc, В
12
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
7
Тип корпуса
TO-39
2N6255
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
8
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
15
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
TO-39
2N6304
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
1400
GNF, дБ
14
Vcc,В
10
Ic, мА
14
NF, дБ
5
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
3001
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
30
Vcc, В
28
Cob, пФ
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-1
3003
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
6
КПД, %
30
Vcc, В
28
Cob, пФ
7
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
55BT-1