Категории
2A8
Подробнее
Описание
1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д
F, МГц
2000
Gain min, дБ
7
Vcc, В
20
Cob, пФ
2
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
33
Корпус
55EU-2
Бренд
Microsemi
80143
Подробнее
Описание
2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц
F, МГц
2300
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Vcc, В
15
Cob, пФ
3,4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
30
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
MPA201
Подробнее
Описание
10-500 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
1-500
Gain min, дБ
12
Vcc, В
12
Cob, пФ
-
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
33
Корпус
55AZ-2
Бренд
Microsemi
MS3011
Подробнее
Описание
1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д
F, МГц
2000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
7
Vcc, В
18
Cob, пФ
5
КСВН
15:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
M210
MSC80064
Подробнее
Описание
1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д
F, МГц
2000
Gain min, дБ
9
Vcc, В
18
Cob, пФ
2,5
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
45
Корпус
M210
- 1
- 2