Категории
MS1455
Подробнее
Описание
УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени
Pout min, Вт
45
Pin max, Вт
15
Gain min, дБ
4
Vcc, В
12
Ic, мА
100
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M142
MS1503
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
20
Gain min, дБ
7
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
100
Корпус
M111
MS1504
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
30
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
КПД, %
55
Vcc, В
13
Ic, мА
95
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M135
MS1505
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
30
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
КПД, %
55
Vcc, В
13
Ic, мА
95
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M113
MS1506
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
40
Pin max, Вт
5
Gain min, дБ
9
КПД, %
55
Vcc, В
13
Ic, мА
95
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
MS1507
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
40
Pin max, Вт
5
Gain min, дБ
9
Vcc, В
13
Ic, мА
95
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M113
MS1509
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-500 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
28
Gain min, дБ
5
КПД, %
55
Vcc, В
28
Ic, мА
100
КСВН
5:1
Корпус
M168
Бренд
Microsemi
MS1511
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
70
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
8
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
65
КСВН
20:1
Корпус
M111
MS1642P
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
10
Gain min, дБ
12
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
12
Rtjc, (°C/Вт)
6
Корпус
M123
MS1649
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
9
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
12
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
TO-39
Бренд
Microsemi
MS652S
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
5
Gain min, дБ
10
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
15
Rtjc, (°C/Вт)
11
Корпус
M123
Бренд
Microsemi
S200-50
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
200
Pin max, Вт
12
Gain min, дБ
12
КПД, %
60
Vcc, В
50
Ic, мА
300
КСВН
30:1
Корпус
55HX-2
Бренд
Microsemi