Категории
PPHX60F60A
Подробнее
Vces, В
600
VCE(on), В
2
Ic, А
60
Корпус
TO-254
PPHX60L60A
Подробнее
Vces, В
600
VCE(on), В
2
Ic, А
60
Корпус
TO-254
PPHZ52F120A
Подробнее
Vces, В
1200
VCE(on), В
3
Ic, А
52
Корпус
TO-254
PPNGZ52F120A
Подробнее
Vces, В
1200
VCE(on), В
3
Ic, А
52
Корпус
TO-258
Бренд
Microsemi
PPNHZ52F120A
Подробнее
Vces, В
1200
VCE(on), В
3
Ic, А
52
Корпус
TO-258
Бренд
Microsemi
Транзистор SiC MOSFET RCS014N120P4L
Подробнее
Бренд
Rongtech
Напряжение, В
1200
Rds, мОм
14
Id, max, А
160
Pd, Вт
682
Тип корпуса
TO-247-4L
Транзистор SiC MOSFET RTC030N120P4L
Подробнее
Бренд
Rongtech
Напряжение, В
1200
Rds, мОм
30
Id, max, А
75
Pd, Вт
431
Тип корпуса
TO-247-4L
Транзистор SiC MOSFET RTC080N120P4L-C1
Подробнее
Бренд
Rongtech
Напряжение, В
1200
Rds, мОм
80
Id, max, А
35
Pd, Вт
180
Тип корпуса
TO-247-4L


