Контактная информация

Офис в г. Выборг

+7 (812) 913-27-55
info@icquest.ru

188800, Россия, Ленинградская область, Выборг, улица Советская, д. 5, 2 этаж.


Офис в г. Санкт-Петербург

+7 (812) 913-27-55
info@icquest.ru

197198, Россия, Санкт-Петербург, пр-кт Большой П.С., д. 7/4, лит. А, пом. 5Н, оф. 2.

Запрос

Здесь вы можете отправить нам запрос на поставку или задать вопрос.

Логотип помпании Quest Дистрибьютор
Электронных Компонентов
  • Каталог
  • Производители
  • Новости
  • Публикации
  • Компания
EN
  • Quest
  • Каталог
  • Транзисторы
  • Силовые
  • Полевые

Категории

  • Power MOS 5®
  • Power MOS 7®
  • Power MOS 8®
  • CollMOS
  • Линейные
  • Карбидокремниевые SiC MOSFET
Показывать по
12 24 48 Все
APT9F100B Подробнее VDss, В 1000 RDS(on), Ом 1 ID, А 9 Корпус TO-247 [B] APT9F100S Подробнее VDss, В 1000 RDS(on), Ом 1 ID, А 9 Корпус D3 [S] APT9M100B Подробнее VDss, В 1000 RDS(on), Ом 1 ID, А 9 Корпус TO-247 [B] Бренд Microsemi APT9M100S Подробнее VDss, В 1000 RDS(on), Ом 1 ID, А 9 Корпус D3 [S] Бренд Microsemi Транзистор SiC MOSFET RCS014N120P4L Транзистор SiC MOSFET RCS014N120P4L Подробнее Бренд Rongtech Напряжение, В 1200 Rds, мОм 14 Id, max, А 160 Pd, Вт 682 Тип корпуса TO-247-4L Транзистор SiC MOSFET RTC030N120P4L Транзистор SiC MOSFET RTC030N120P4L Подробнее Бренд Rongtech Напряжение, В 1200 Rds, мОм 30 Id, max, А 75 Pd, Вт 431 Тип корпуса TO-247-4L Транзистор SiC MOSFET RTC080N120P4L-C1 Транзистор SiC MOSFET RTC080N120P4L-C1 Подробнее Бренд Rongtech Напряжение, В 1200 Rds, мОм 80 Id, max, А 35 Pd, Вт 180 Тип корпуса TO-247-4L
  • 1
  • 2
  • ...
  • 71
  • 72
  • 73
  • 74
  • 75
  • 76
  • 77
Напряжение, В
Rds, мОм
Id, max, А
Pd, Вт
Тип корпуса
Бренд

© 2025 ООО «Квест»

Создание сайта — Студия 2И