Категории

Показывать по
12 24 48 Все
DEI1016C Подробнее Корпус 40L PDIP Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Бренд Device Engineering Incorporated DEI1022 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1023 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1024 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1025 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1026 Подробнее Корпус 16L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 6 Lightning Protection X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND Бренд Device Engineering Incorporated DEI1026 Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1026-WMB Подробнее Корпус 16L CSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 6 Lightning Protection X Burn-in X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND Бренд Device Engineering Incorporated DEI1026-WMB Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1026-WMS Подробнее Корпус 16L CSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 6 Lightning Protection X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND Бренд Device Engineering Incorporated DEI1026-WMS Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1026A-SES Подробнее Корпус 16L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 6 Lightning Protection X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND, отвеча Бренд Device Engineering Incorporated