Категории

Показывать по
12 24 48 Все
DEI1066-WMB Подробнее Корпус 16L CSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 8 Lightning Protection X Burn-in X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND с после Бренд Device Engineering Incorporated DEI1066-WMB Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1066-WMS Подробнее Корпус 16L CSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 8 Lightning Protection X Описание Преобразователи уровней сигналов. Open/GND с после Бренд Device Engineering Incorporated DEI1066-WMS Подробнее Бренд Device Engineering Incorporated DEI1070-CMS Подробнее Корпус 8L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1070-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1071-CMS Подробнее Корпус 8L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=10 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1071-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=10 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1072-CMS Подробнее Корпус 8L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1072-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1073-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1074-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=10 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated