Категории

Показывать по
12 24 48 Все
DEI1038 Подробнее Корпус 28L PLCC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rin=13 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1052 Подробнее Корпус 14L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Описание до 500 кГц Бренд Device Engineering Incorporated DEI1070-CMS Подробнее Корпус 8L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1070-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1071-CMS Подробнее Корпус 8L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=10 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1071-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=10 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1072-CMS Подробнее Корпус 8L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1072-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1073-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1074-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=10 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1075-SES Подробнее Корпус 8L EQ SOIC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1170-MES Подробнее Корпус 20L MLPQ Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Выходы с Z-сост. X Rout=0 Ом X Rout=10 Ом X Rout=37,5 Ом X Описание Вывод радиатора соединен с V- Бренд Device Engineering Incorporated