При проектировании и изготовлении современных компонентов силовой электроники особое внимание уделяется повышению энергоэффективности и одновременному снижению их стоимости и массогабаритных показателей. Одним из возможных способов улучшения этих характеристик является применение полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны, в частности карбида кремния (SiC). В прошлом году компания Apex Microtechnology начала серийный выпуск первых карбид-кремниевых изделий собственного производства.
В краткой обзорной статье рассматриваются отличительные особенности и варианты использования высокоинтегрированных драйверов со встроенными силовыми SiC MOSFET.
Более подробно Вы сможете ознакомиться со статьей в нашем разделе "Публикации".