Новые N-канальные SiC MOSFET компании Rongtech для силовой электроники

Компания Rongtech объявила о расширении своей линейки N-канальных карбид-кремниевых полевых транзисторов (MOSFET).

SiC MOSFET обладают рядом преимуществ по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET, которые делают их особенно привлекательными для различных приложений, включая силовую электронику, электрические транспортные средства и возобновляемые источники энергии:

• Высокая температура эксплуатации: SiC транзисторы способны работать при значительно более высоких температурах, чем кремниевые, что позволяет уменьшить потребность в системе охлаждения и повышает надежность системы.
• Высокое напряжение: могут обрабатывать более высокие напряжения (до 1200 В и выше), что делает их идеальными для использования в силовых приложениях.
• Низкие потери на переключение: обладают более короткими временами переключения и меньшими потерями на переключение, что приводит к увеличенной эффективности и меньшему нагреву.
• Высокая плотность мощности: имеют более высокую плотность мощности, что позволяет использовать меньшее количество компонентов и снижать размеры и массу систем.
• Улучшенная линейность и динамика: высокая подвижность носителей заряда в SiC позволяет достигать лучших характеристик в части линейности и динамики, что особенно важно в некоторых приложениях.
• Снижение электромагнитных помех (EMI): Благодаря меньшим потерям на переключение и более плавным переходам, SiC MOSFET могут снизить уровень электромагнитных помех по сравнению с кремниевыми транзисторами.

Эти свойства делают карбид-кремниевые MOSFET широко применяемыми в высокоэффективных источниках питания, инверторах, преобразователях и других областях, где важны высокая надежность и КПД.

Основные характеристики новых SiC MOSFET компании Rongtech: