Компания Rongtech представила новые спецификации на выпускаемые SiC диоды Шоттки 5-го поколения, предназначенных для использования в промышленных источниках питания, зарядных устройствах и солнечных инверторах.
Использование передовой технологии SiC SBD пятого поколения компании Rongtech, обеспечивает диодам высочайшие характеристики и надежность. Они обладают более высоким КПД, более высокой рабочей температурой и меньшими потерями, работают на более высоких частотах, чем классические решения на основе Si, и обеспечивают низкий ток утечки при обратном напряжении до 1200 В. Применение диодов Шоттки 5-го поколения компании Rongtech может способствовать миниатюризации системы и снижению её общего веса.
Стоит обратить внимание также на то, что благодаря массовому производству указанных диодов компании Rongtech удалось добиться снижения их стоимости.
| Партномер |
VRRM, В |
IF (135˚C), А |
VF (25˚C), В |
QC, нКл |
Packege |
|
RTS120J020B5 |
1200 |
28 |
1.40 |
95 |
Bare Die |
|
RTS120J030B5 |
39 |
1.40 |
137 |
||
|
RTS120J040B5 |
46 |
1.45 |
166 |
||
|
RTS120J050B5 |
58 |
1.40 |
236 |
||
|
RTS120J060B5 |
65 |
1.40 |
281 |