Компания Rongtech представила новые спецификации на выпускаемые SiC диоды Шоттки 5-го поколения, предназначенных для использования в промышленных источниках питания, зарядных устройствах и солнечных инверторах.

Использование передовой технологии SiC SBD пятого поколения компании Rongtech, обеспечивает диодам высочайшие характеристики и надежность. Они обладают более высоким КПД, более высокой рабочей температурой и меньшими потерями, работают на более высоких частотах, чем классические решения на основе Si, и обеспечивают низкий ток утечки при обратном напряжении до 1200 В. Применение диодов Шоттки 5-го поколения компании Rongtech может способствовать миниатюризации системы и снижению её общего веса.

Стоит обратить внимание также на то, что благодаря массовому производству указанных диодов компании Rongtech удалось добиться снижения их стоимости.

Партномер

VRRM, В

IF (135˚C), А

VF (25˚C), В

QC, нКл

Packege

RTS120J020B5

1200

28

1.40

95

Bare Die

RTS120J030B5

39

1.40

137

RTS120J040B5

46

1.45

166

RTS120J050B5

58

1.40

236

RTS120J060B5

65

1.40

281