Rongtech

В линейке появились два N-Channel SiC MOSFET с единой тепловой моделью — вы выбираете приоритет: потери проводимости или потери переключения.


рис.1 RTQ170N100 


рис. 2 RTW170N055 
  • RTW170N055 (RDS(on) = 55 мОм тип., ID,pulse = 112 А) Минимальное сопротивление открытого канала. Оптимален для схем с высокими рабочими токами и низкой частотой переключения, где доминируют статические потери. Обеспечивает меньший нагрев в длительных режим.
  • RTQ170N100 (RDS(on) = 100 мОм тип., Qg = 74 нКл) Почти на 30 % меньше заряд затвора, чем у модели 55 мОм. Это даёт более быстрые фронты и меньшую энергию на каждый цикл переключения (Eon = 629 мкДж против 880 мкДж у 55-мОм версии). Выбор для высокочастотных преобразователей и схем с ограниченной мощностью драйвера.
 

Общие параметры, упрощающие разработку:

  • тепловое сопротивление RthJC = 0,55 °C/Вт — одинаковое для обеих позиций, радиатор считается единообразно;
  • рост RDS(on) при нагреве до 150 °C не превышает 30 % — тепловой расчёт предсказуем;
  • рабочий диапазон температур –55…+175 °C;
  • ток утечки при 1700 В < 100 мкА — безопасность высоковольтной шины.
 

Как это применить:

Оба компонента имеют идентичные посадочные размеры (TO‑247) и тепловой интерфейс. Вы можете разработать одну плату и ставить тот кристалл, который лучше ложится под конкретную частоту и ток вашего устройства. Это снижает количество типоразмеров радиаторов и упрощает логистику.

Запросите образцы и сравните суммарные потери (проводимость + коммутация) в вашей рабочей точке — результат покажет оптимальный выбор без пересчёта механики.