2A52A
PDF, 122 KB
Технические характеристики
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Gain min, дБ | 7 |
| Vcc, В | 20 |
| Rtjc, (°C/Вт) | 33 |
| Бренд | Microsemi |
| Описание | 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц до 2,0 ГГц) |
| F, МГц | 2000 |
| Cob, пФ | 2 |
| КСВН | 30:1 |
| Корпус | 55ET-2 |