Категории

Показывать по
12 24 48 Все
10A015 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 3,8 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 29 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A030 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 7,3 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 12 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A060 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 6 Gain min, дБ 8 Vcc, В 20 Cob, пФ 10,8 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10AM05 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 5 Gain min, дБ 10 Vcc, В 20 Ic, мА 1 Cob, пФ 16 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 7 Корпус 55CT-2 10AM20 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 20 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 8 Vcc, В 20 Ic, мА 2 Cob, пФ 40 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55AT-2 1A5 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55ET-2 23A003 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 10 Vcc, В 15 Cob, пФ 2,5 КСВН 9:1 Rtjc, (°C/Вт) 45 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A005 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 2,4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A008 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 3 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A017 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 4,8 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 16 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A025 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 6 Vcc, В 20 Cob, пФ 6,5 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 11 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 2A5 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55ET-2 Бренд Microsemi