Категории
2304
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
7
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2307
Подробнее
Описание
2,3 GHz Class C, Общая база
F,МГц
2300
Pout,Вт
7
Pin,Вт
1
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Cob,пФ
10
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2307
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
7
Pinmax, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
10
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2324-12L
Подробнее
Описание
2004-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2400
Pout,Вт
12
Pin,Вт
2
Gain,дБ
7
Vcc,В
20
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
2324-20
Подробнее
Описание
2005-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2400
Pout,Вт
20
Pin,Вт
4
Gain,дБ
7
Vcc,В
24
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
2324-25
Подробнее
Описание
2006-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2400
Pout,Вт
25
Pin,Вт
5
Gain,дБ
7
Vcc,В
24
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
23A003
Подробнее
Описание
2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц
F, МГц
2300
Gain min, дБ
10
Vcc, В
15
Cob, пФ
2,5
КСВН
9:1
Rtjc, (°C/Вт)
45
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A003
Подробнее
Описание
3,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Gain,дБ
10
Vcc,В
15
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A005
Подробнее
Описание
2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц
F, МГц
2300
Gain min, дБ
9
Vcc, В
20
Cob, пФ
2,4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A005
Подробнее
Описание
4,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A008
Подробнее
Описание
2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц
F, МГц
2300
Gain min, дБ
9
Vcc, В
20
Cob, пФ
3
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A008
Подробнее
Описание
5,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi