Категории

Показывать по
12 24 48 Все
2304 Подробнее Описание 2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2300 Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 20 Cob, пФ 7 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 17 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2307 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 7 Pin,Вт 1 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 10 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2307 Подробнее Описание 2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2300 Pout min, Вт 7 Pinmax, Вт 1 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 20 Cob, пФ 10 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2324-12L Подробнее Описание 2004-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2400 Pout,Вт 12 Pin,Вт 2 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 2324-20 Подробнее Описание 2005-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2400 Pout,Вт 20 Pin,Вт 4 Gain,дБ 7 Vcc,В 24 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 2324-25 Подробнее Описание 2006-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2400 Pout,Вт 25 Pin,Вт 5 Gain,дБ 7 Vcc,В 24 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 23A003 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 10 Vcc, В 15 Cob, пФ 2,5 КСВН 9:1 Rtjc, (°C/Вт) 45 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A003 Подробнее Описание 3,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 10 Vcc,В 15 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A005 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 2,4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A005 Подробнее Описание 4,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A008 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 3 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A008 Подробнее Описание 5,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi