Категории
0105-50
Подробнее
Описание
УВЧ 100-500 MHz, Class C, Общий эмиттер
Pout,Вт
50
Pin,Вт
7
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
52
fO,МГц
500
Корпус
55JT-2
Бренд
Microsemi
0105-50
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-500 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
50
Pin max, Вт
7
Gain min, дБ
8
КПД, %
55
Vcc, В
28
Ic, мА
52
КСВН
5:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55JT-2
Бренд
Microsemi
0150SC-1250M
Подробнее
Pout, Вт
1250
Pin, Вт
150
Gain, дБ
9
VCC, В
125
Pulse, мкс
300
DC, %
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0150SC-1250M
Подробнее
Описание
SiC ОВЧ: 160MHz, Class AB, схема с общ. Затвором
Pout,Вт
1250
Pin,Вт
190
Gain,dB
9
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0150SC-1250M
Подробнее
Описание
SiC ОВЧ: 160MHz, Class AB, схема с общ. Затвором
Pout,Вт
1250
Pin,Вт
190
Gain,dB
9
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0204-125
Подробнее
Описание
УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
125
Pin,Вт
25
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
70
fO,МГц
400
Корпус
55JT-2
Бренд
Microsemi
0204-125
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
125
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
8
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
70
КСВН
5:1
Корпус
55JT-2
Бренд
Microsemi
0405-500L
Подробнее
Описание
УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером
Pout,Вт
500
Pin,Вт
55
Gain,dB
10
Vcc,В
32
Ти,мкс
1100
DC,%
26
Корпус
55-SL
Бренд
Microsemi
0405-500L
Подробнее
Описание
УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером
Pout,Вт
500
Pin,Вт
55
Gain,dB
10
Vcc,В
32
Ти,мкс
1100
DC,%
26
Корпус
55-SL
Бренд
Microsemi
0405SC-1000M
Подробнее
FO min, MHz
406
FO max, MHz
450
Pout, Вт
1000
Pin, Вт
180
Gain, дБ
8
VCC, В
125
Pulse, мкс
300
DC, %
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-1000M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
1000
Pin,Вт
180
Gain,dB
8
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-1000M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
1000
Pin,Вт
180
Gain,dB
8
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-1500M
Подробнее
FO min, MHz
406
FO max, MHz
450
Pout, Вт
1500
Pin, Вт
270
Gain, дБ
7
VCC, В
125
Pulse, мкс
300
DC, %
6
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-1500M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
1500
Pin,Вт
270
Gain,dB
7
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
6
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-1500M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
1500
Pin,Вт
270
Gain,dB
7
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
6
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-2200M
Подробнее
FO min, MHz
406
FO max, MHz
450
Pout, Вт
2200
Pin, Вт
440
Gain, дБ
7
VCC, В
125
Pulse, мкс
300
DC, %
6
Корпус
55TW-FET
Бренд
Microsemi
0405SC-2200M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
2200
Pin,Вт
440
Gain,dB
7
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
6
Корпус
55TW-FET
Бренд
Microsemi
0405SC-2200M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
2200
Pin,Вт
440
Gain,dB
7
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
6
Корпус
55TW-FET
Бренд
Microsemi
0510-50A
Подробнее
Описание
500-1000 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
F, МГц
1000
Pout min, Вт
50
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
7,0
Vcc, В
28
Cob, пФ
50
КСВН
1
Rtjc, (°C/Вт)
55AV-2
Бренд
Microsemi
0910-150M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
150
Pin,Вт
18
Gain,dB
9
Vcc,В
36
Ти,мкс
150
DC,%
2
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
0910-150M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
150
Pin,Вт
18
Gain,dB
9
Vcc,В
36
Ти,мкс
150
DC,%
2
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
0910-300M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
300
Pin,Вт
33
Gain,dB
9
Vcc,В
50
Ти,мкс
150
DC,%
2
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
0910-300M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
300
Pin,Вт
33
Gain,dB
9
Vcc,В
50
Ти,мкс
150
DC,%
2
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
0910-60M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
60
Pin,Вт
9
Gain,dB
8
Vcc,В
40
Ти,мкс
150
DC,%
5
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
0910-60M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
60
Pin,Вт
9
Gain,dB
8
Vcc,В
40
Ти,мкс
150
DC,%
5
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
0912-25
Подробнее
Описание
DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
25
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55CT-1
Бренд
Microsemi
0912-45
Подробнее
Описание
DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
45
Pin max, Вт
7
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55CT-1
Бренд
Microsemi
0912-7
Подробнее
Описание
DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
7
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
25
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
3
Корпус
55CT-1
Бренд
Microsemi
0912LD20
Подробнее
Описание
LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас
Pout min, Вт
20
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
15
Vcc, В
28
Tи, мкс
32
DC, %
2
Корпус
55QT
Бренд
Microsemi
1000MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс A, схема с ОЭ, CW
Gain min, дБ
10
Vcc, В
18
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
33
Корпус
55FW-2
Бренд
Microsemi
1002MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
10
Vcc, В
35
КПД, %
45
Tи, мкс
20
DC, %
1
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
10
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
1004MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
9
Vcc, В
35
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
7
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
1011LD110
Подробнее
Описание
LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас
Pout min, Вт
110
Pin max, Вт
5
Gain min, дБ
13
Vcc, В
32
КПД, %
50
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
3:1
Корпус
55QZ
Бренд
Microsemi
1011LD200
Подробнее
Описание
LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас
Pout min, Вт
200
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
13
Vcc, В
32
КПД, %
50
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
3:1
Корпус
55QX
Бренд
Microsemi
1011LD300
Подробнее
Описание
LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас
Pout min, Вт
300
Pin max, Вт
15
Gain min, дБ
13
Vcc, В
32
КПД, %
50
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
3:1
Корпус
55QM
Бренд
Microsemi
1014-12
Подробнее
Описание
1002-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база
F,МГц
1400
Pout,Вт
12
Pin,Вт
2
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
12
Корпус
55LT-1
Бренд
Microsemi
1014-2
Подробнее
Описание
1000-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база
F,МГц
1400
Pout,Вт
2
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
4
Корпус
55LT-1
Бренд
Microsemi
1014-6A
Подробнее
Описание
1001-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база
F,МГц
1400
Pout,Вт
6
Pin,Вт
1
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
3
Корпус
55LV-1
Бренд
Microsemi
1015MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
15
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
1035MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
35
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
10500
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
500
Pin max, Вт
70
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
4:1
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
10502
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
500
Pin max, Вт
70
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
4:1
Корпус
55SM-1
Бренд
Microsemi
1075MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
75
Pin max, Вт
12
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
1090MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
90
Pin max, Вт
14
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
10A015
Подробнее
Описание
500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
1000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
9
Vcc, В
20
Cob, пФ
3,8
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
29
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10A015
Подробнее
Описание
501-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
1000
Pout,Вт
1
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10A030
Подробнее
Описание
500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
1000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
9
Vcc, В
20
Cob, пФ
7,3
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
12
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10A030
Подробнее
Описание
502-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
1000
Pout,Вт
3
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10A060
Подробнее
Описание
500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
1000
Pout min, Вт
6
Gain min, дБ
8
Vcc, В
20
Cob, пФ
10,8
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10A060
Подробнее
Описание
503-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
1000
Pout,Вт
6
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10AM05
Подробнее
Описание
500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
1000
Pout min, Вт
5
Gain min, дБ
10
Vcc, В
20
Ic, мА
1
Cob, пФ
16
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
7
Корпус
55CT-2
10AM20
Подробнее
Описание
500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
1000
Pout min, Вт
20
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
8
Vcc, В
20
Ic, мА
2
Cob, пФ
40
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55AT-2
1214-110M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
110
Pin,Вт
20
Gain,dB
7
Vcc,В
50
Ти,мкс
330
DC,%
10
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
1214-110M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
110
Pin,Вт
20
Gain,dB
7
Vcc,В
50
Ти,мкс
330
DC,%
10
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
1214-110V
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
110
Pin,Вт
20
Gain,dB
7
Vcc,В
50
Ти,мкс
330
DC,%
10
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
1214-110V
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
110
Pin,Вт
20
Gain,dB
7
Vcc,В
50
Ти,мкс
330
DC,%
10
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
1214-150L
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
140
Pin,Вт
27
Gain,dB
7
Vcc,В
36
Ти,мкс
5000
DC,%
20
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-150L
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
140
Pin,Вт
27
Gain,dB
7
Vcc,В
36
Ти,мкс
5000
DC,%
20
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-220M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
220
Pin,Вт
40
Gain,dB
7
Vcc,В
40
Ти,мкс
150
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-220M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
220
Pin,Вт
40
Gain,dB
7
Vcc,В
40
Ти,мкс
150
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-30
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
30
Pin,Вт
60
Gain,dB
6
Vcc,В
28
Ти,мкс
2000
DC,%
20
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
1214-30
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
30
Pin,Вт
60
Gain,dB
6
Vcc,В
28
Ти,мкс
2000
DC,%
20
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
1214-300
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
270
Pin,Вт
42
Gain,dB
8
Vcc,В
50
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-300
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
270
Pin,Вт
42
Gain,dB
8
Vcc,В
50
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-300M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
300
Pin,Вт
40
Gain,dB
8
Vcc,В
40
Ти,мкс
150
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-300M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
300
Pin,Вт
40
Gain,dB
8
Vcc,В
40
Ти,мкс
150
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-300V
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
300
Pin,Вт
40
Gain,dB
8
Vcc,В
50
Ти,мкс
330
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-300V
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
300
Pin,Вт
40
Gain,dB
8
Vcc,В
50
Ти,мкс
330
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-32L
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
32
Pin,Вт
5
Gain,dB
7
Vcc,В
36
Ти,мкс
5000
DC,%
20
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
1214-32L
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
32
Pin,Вт
5
Gain,dB
7
Vcc,В
36
Ти,мкс
5000
DC,%
20
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
1214-370M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
370
Pin,Вт
50
Gain,dB
8
Vcc,В
50
Ти,мкс
330
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-370M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
370
Pin,Вт
50
Gain,dB
8
Vcc,В
50
Ти,мкс
330
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-370V
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
370
Pin,Вт
50
Gain,dB
8
Vcc,В
50
Ти,мкс
330
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-370V
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
370
Pin,Вт
50
Gain,dB
8
Vcc,В
50
Ти,мкс
330
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1214-55
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
55
Pin,Вт
12
Gain,dB
7
Vcc,В
28
Ти,мкс
2000
DC,%
20
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
1214-55
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
55
Pin,Вт
12
Gain,dB
7
Vcc,В
28
Ти,мкс
2000
DC,%
20
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
1214-550P
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
550
Pin,Вт
87
Gain,dB
9
Vcc,В
42
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
1214-550P
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
550
Pin,Вт
87
Gain,dB
9
Vcc,В
42
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
1214-700P
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
700
Pin,Вт
110
Gain,dB
9
Vcc,В
50
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
1214-700P
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
700
Pin,Вт
110
Gain,dB
9
Vcc,В
50
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
1214-800P
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
800
Pin,Вт
120
Gain,dB
9
Vcc,В
50
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
1214-800P
Подробнее
Описание
L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
800
Pin,Вт
120
Gain,dB
9
Vcc,В
50
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
1517-110M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
110
Pin,Вт
20
Gain,dB
7
Vcc,В
40
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
1517-110M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
110
Pin,Вт
20
Gain,dB
7
Vcc,В
40
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
1517-20M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
20
Pin,Вт
3
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
55LV
Бренд
Microsemi
1517-20M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
20
Pin,Вт
3
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
55LV
Бренд
Microsemi
1517-250M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
250
Pin,Вт
50
Gain,dB
7
Vcc,В
40
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1517-250M
Подробнее
Описание
L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
250
Pin,Вт
50
Gain,dB
7
Vcc,В
40
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
1617-35
Подробнее
Описание
L-диапазон 1400-1600 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
35
Pin,Вт
6
Gain,dB
7
Vcc,В
28
Ти,мкс
5
DC,%
15
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
1617-35
Подробнее
Описание
L-диапазон 1400-1600 MHz, Class C, схема с общ. Ба
Pout,Вт
35
Pin,Вт
6
Gain,dB
7
Vcc,В
28
Ти,мкс
5
DC,%
15
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
1A5
Подробнее
Описание
500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
1000
Gain min, дБ
9
Vcc, В
20
Cob, пФ
2
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
33
Корпус
55ET-2
2001
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
1
Gain,дБ
9
Vcc,В
28
Cob,пФ
4
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2001
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
9
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2003
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
3
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
5
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2003
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
5
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
15
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2005
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
5
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
7
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2005
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
5
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
7
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2010
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
10
Pinmax, Вт
2
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
15
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
6
Корпус
55BT-1
2021-25
Подробнее
Описание
2000-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2100
Pout,Вт
25
Pin,Вт
5
Gain,дБ
7
Vcc,В
24
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
2124-12L
Подробнее
Описание
2003-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2400
Pout,Вт
12
Pin,Вт
2
Gain,дБ
7
Vcc,В
22
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
2223-1,7
Подробнее
Описание
2001-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2300
Pout,Вт
1
Gain,дБ
8
Vcc,В
22
Корпус
55LV-1
Бренд
Microsemi
2224-6L
Подробнее
Описание
2002-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2400
Pout,Вт
6
Pin,Вт
1
Gain,дБ
7
Vcc,В
22
Корпус
55LV-1
Бренд
Microsemi
2225-4L
Подробнее
Описание
2008-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2500
Pout,Вт
3
Gain,дБ
8
Vcc,В
24
Cob,пФ
7
Корпус
55LV-1
Бренд
Microsemi
2301
Подробнее
Описание
2,3 GHz Class C, Общая база
F,МГц
2300
Pout,Вт
1
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Cob,пФ
4
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2301
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
31
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2302
Подробнее
Описание
2,3 GHz Class C, Общая база
F,МГц
2300
Pout,Вт
2
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Cob,пФ
4
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2302
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
5
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2304
Подробнее
Описание
2,3 GHz Class C, Общая база
F,МГц
2300
Pout,Вт
4
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Cob,пФ
7
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2304
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
7
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2307
Подробнее
Описание
2,3 GHz Class C, Общая база
F,МГц
2300
Pout,Вт
7
Pin,Вт
1
Gain,дБ
8
Vcc,В
20
Cob,пФ
10
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2307
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
7
Pinmax, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
10
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2324-12L
Подробнее
Описание
2004-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2400
Pout,Вт
12
Pin,Вт
2
Gain,дБ
7
Vcc,В
20
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
2324-20
Подробнее
Описание
2005-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2400
Pout,Вт
20
Pin,Вт
4
Gain,дБ
7
Vcc,В
24
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
2324-25
Подробнее
Описание
2006-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2400
Pout,Вт
25
Pin,Вт
5
Gain,дБ
7
Vcc,В
24
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
23A003
Подробнее
Описание
2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц
F, МГц
2300
Gain min, дБ
10
Vcc, В
15
Cob, пФ
2,5
КСВН
9:1
Rtjc, (°C/Вт)
45
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A003
Подробнее
Описание
3,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Gain,дБ
10
Vcc,В
15
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A005
Подробнее
Описание
2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц
F, МГц
2300
Gain min, дБ
9
Vcc, В
20
Cob, пФ
2,4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A005
Подробнее
Описание
4,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A008
Подробнее
Описание
2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц
F, МГц
2300
Gain min, дБ
9
Vcc, В
20
Cob, пФ
3
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A008
Подробнее
Описание
5,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A017
Подробнее
Описание
2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц
F, МГц
2300
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
7
Vcc, В
20
Cob, пФ
4,8
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
16
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A017
Подробнее
Описание
6,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Pout,Вт
1
Gain,дБ
7
Vcc,В
20
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A025
Подробнее
Описание
2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц
F, МГц
2300
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
6
Vcc, В
20
Cob, пФ
6,5
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
11
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
23A025
Подробнее
Описание
7,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2300
Pout,Вт
2
Gain,дБ
6
Vcc,В
20
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
2424-25
Подробнее
Описание
2007-2400 MHz, Class C, Общая база
F,МГц
2470
Pout,Вт
25
Pin,Вт
4
Gain,дБ
7
Vcc,В
24
Корпус
55AP-1
Бренд
Microsemi
2729-125
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
125
Pin,Вт
15
Gain,dB
9
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
55KS-1
Бренд
Microsemi
2729-125
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
125
Pin,Вт
15
Gain,dB
9
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
55KS-1
Бренд
Microsemi
2729-170
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
170
Pin,Вт
25
Gain,dB
8
Vcc,В
38
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
55KS-1
Бренд
Microsemi
2729-170
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
170
Pin,Вт
25
Gain,dB
8
Vcc,В
38
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
55KS-1
Бренд
Microsemi
2729-300P
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
300
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
2729-300P
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
300
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
2731-100M
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
100
Pin,Вт
16
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
55KS-1
Бренд
Microsemi
2731-100M
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
100
Pin,Вт
16
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
55KS-1
Бренд
Microsemi
2731-20
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
20
Pin,Вт
3
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
55CR
Бренд
Microsemi
2731-20
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
20
Pin,Вт
3
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
55CR
Бренд
Microsemi
2731-200P
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
200
Pin,Вт
35
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
2731-200P
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
200
Pin,Вт
35
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
2931-150
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
150
Pin,Вт
21
Gain,dB
8
Vcc,В
38
Ти,мкс
50
DC,%
4
Корпус
55KS-1
Бренд
Microsemi
2931-150
Подробнее
Описание
S-диапазон 2700-3100 MHz
Pout,Вт
150
Pin,Вт
21
Gain,dB
8
Vcc,В
38
Ти,мкс
50
DC,%
4
Корпус
55KS-1
Бренд
Microsemi
2A5
Подробнее
Описание
1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д
F, МГц
2000
Gain min, дБ
7
Vcc, В
20
Cob, пФ
2
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
33
Корпус
55ET-2
Бренд
Microsemi
2A5
Подробнее
Описание
1,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2000
Gain,дБ
7
Vcc,В
20
Корпус
55ET-2
Бренд
Microsemi
2A8
Подробнее
Описание
1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д
F, МГц
2000
Gain min, дБ
7
Vcc, В
20
Cob, пФ
2
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
33
Корпус
55EU-2
Бренд
Microsemi
2A8
Подробнее
Описание
2,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
fO,МГц
2000
Gain,дБ
7
Vcc,В
20
Корпус
55EU-2
Бренд
Microsemi
2N2857
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
1600
GNF, дБ
13
Vcc,В
10
Ic, мА
12
NF, дБ
5
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
2N3866
Подробнее
F, МГц
400
Vcc, В
28
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
2N3866A
Подробнее
F, МГц
400
Vcc, В
28
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
2N4427
Подробнее
F, МГц
175
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
2N4427
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
4
Rtjc, (°C/Вт)
175
Корпус
TO-39
Бренд
Microsemi
2N5031
Подробнее
F, МГц
400
Ft, МГц
1200
GNF, дБ
12
Vcc,В
6
Ic, мА
1
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
2N5109
Подробнее
F, МГц
200
Ft, МГц
1200
GNF, дБ
12
Vcc,В
15
Ic, мА
50
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
2N5179
Подробнее
F, МГц
100
Ft, МГц
1500
GNF, дБ
20
Vcc,В
6
Ic, мА
5
NF, дБ
4
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
2N6255
Подробнее
F, МГц
175
Vcc, В
12
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
7
Тип корпуса
TO-39
2N6255
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
8
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
15
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
TO-39
2N6304
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
1400
GNF, дБ
14
Vcc,В
10
Ic, мА
14
NF, дБ
5
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
3001
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
30
Vcc, В
28
Cob, пФ
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-1
3003
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
6
КПД, %
30
Vcc, В
28
Cob, пФ
7
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
55BT-1
3005
Подробнее
Описание
3,0 GHz Class C, Общая база
F,МГц
3000
Pout,Вт
5
Pin,Вт
1
Gain,дБ
5
Vcc,В
28
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
3005
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
5
Pinmax, Вт
1
Gain min, дБ
5
КПД, %
30
Vcc, В
28
КСВН
9:1
Rtjc, (°C/Вт)
7
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
3134-100M
Подробнее
Описание
S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз
Pout,Вт
100
Pin,Вт
16
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
55KS-1
Бренд
Microsemi
3134-100M
Подробнее
Описание
S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз
Pout,Вт
100
Pin,Вт
16
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
55KS-1
Бренд
Microsemi
3134-180P
Подробнее
Описание
S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз
Pout,Вт
180
Pin,Вт
28
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
3134-180P
Подробнее
Описание
S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз
Pout,Вт
180
Pin,Вт
28
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
3134-200P
Подробнее
Описание
S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз
Pout,Вт
200
Pin,Вт
32
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
3134-200P
Подробнее
Описание
S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз
Pout,Вт
200
Pin,Вт
32
Gain,dB
8
Vcc,В
36
Ти,мкс
100
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
3134-65M
Подробнее
Описание
S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз
Pout,Вт
65
Pin,Вт
11
Gain,dB
8
Vcc,В
34
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
3134-65M
Подробнее
Описание
S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз
Pout,Вт
65
Pin,Вт
11
Gain,dB
8
Vcc,В
34
Ти,мкс
200
DC,%
10
Корпус
(none)
Бренд
Microsemi
80143
Подробнее
Описание
2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц
F, МГц
2300
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Vcc, В
15
Cob, пФ
3,4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
30
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
80143
Подробнее
Описание
2,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т
Pout,Вт
1
Gain,дБ
10
Vcc,В
15
Корпус
55BT-2
Бренд
Microsemi
ARF1500
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
750
fo,МГц
40
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
T1
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF1501
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
750
fo,МГц
40
VDD,В
250
Vdss,В
1200
Корпус
T1
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF1505
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
750
fo,МГц
30
VDD,В
300
Vdss,В
1200
Корпус
T1
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF1510
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
750
fo,МГц
40
VDD,В
400
Vdss,В
1000
Корпус
T1
COO
D
Бренд
Microsemi
ARF1511
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
750
fo,МГц
40
VDD,В
380
Vdss,В
500
Корпус
T1
COO
D
Бренд
Microsemi
ARF1519
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
750
fo,МГц
25
VDD,В
250
Vdss,В
1000
Корпус
T2
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF300
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
300
fo,МГц
45
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
T-11
COO
C-E
Бренд
Microsemi
ARF301
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
300
fo,МГц
45
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
T-11
COO
C-E
Бренд
Microsemi
ARF446G
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
115
fo,МГц
65
VDD,В
250
Vdss,В
1000
Корпус
TO-247CS
COO
C-E
Бренд
Microsemi
ARF447G
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
115
fo,МГц
65
VDD,В
250
Vdss,В
1000
Корпус
TO-247CS
COO
C-E
Бренд
Microsemi
ARF448AG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
115
fo,МГц
65
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
TO-247CS
COO
C-E
Бренд
Microsemi
ARF448BG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
115
fo,МГц
65
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
TO-247CS
COO
C-E
Бренд
Microsemi
ARF449AG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
85
fo,МГц
100
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
TO-247CS
COO
C-E
Бренд
Microsemi
ARF449BG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
85
fo,МГц
100
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
TO-247CS
COO
C-E
Бренд
Microsemi
ARF460AG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
125
fo,МГц
65
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
TO-247CS
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF460BG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
125
fo,МГц
65
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
TO-247CS
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF463AG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
100
fo,МГц
100
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
TO-247CS
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF463AP1G
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
100
fo,МГц
100
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
TO-247CS
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF463BG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
100
fo,МГц
100
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
TO-247CS
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF463BP1G
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
100
fo,МГц
100
VDD,В
125
Vdss,В
500
Корпус
TO-247CS
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF465AG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
125
fo,МГц
65
VDD,В
300
Vdss,В
1200
Корпус
TO-247CS
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF465BG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
125
fo,МГц
65
VDD,В
300
Vdss,В
1200
Корпус
TO-247CS
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF466AG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
300
fo,МГц
45
VDD,В
250
Vdss,В
1000
Корпус
TO-264
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF466BG
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
300
fo,МГц
45
VDD,В
250
Vdss,В
1000
Корпус
TO-264
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF466FL
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
300
fo,МГц
45
VDD,В
200
Vdss,В
1000
Корпус
T2
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF467FL
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
300
fo,МГц
45
VDD,В
200
Vdss,В
1000
Корпус
T2
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF473
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
300
fo,МГц
150
VDD,В
165
Vdss,В
500
Корпус
M208
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF475FL
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
300
fo,МГц
130
VDD,В
160
Vdss,В
500
Корпус
T3A
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF476FL
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
300
fo,МГц
150
VDD,В
165
Vdss,В
500
Корпус
T3C
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF477FL
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
400
fo,МГц
65
VDD,В
165
Vdss,В
500
Корпус
T3C
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF520
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
150
fo,МГц
100
VDD,В
165
Vdss,В
500
Корпус
M174
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF521
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
150
fo,МГц
150
VDD,В
165
Vdss,В
500
Корпус
M174
COO
A-E
Бренд
Microsemi
BFR90
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
18
Vcc,В
5
Ic, мА
14
NF, дБ
2
Тип корпуса
Macro T
BFR91
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
16
Vcc,В
5
Ic, мА
30
NF, дБ
1
Тип корпуса
Macro T
BFR92ALTI
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
4500
Vcc,В
1
Ic, мА
3
NF, дБ
3
Тип корпуса
SOT-23
BFR96
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
14
Vcc,В
10
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
Macro T
BFY90
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
1300
GNF, дБ
20
Vcc,В
5
Ic, мА
25
NF, дБ
2
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
BYI-1
Подробнее
Сопротивление, Ом
1,0
Корпус
55FV
Бренд
Microsemi
BYI-1F
Подробнее
Сопротивление, Ом
1,0
Корпус
55GV
Бренд
Microsemi
BYI-1T
Подробнее
Сопротивление, Ом
1,0
Корпус
55LU
Бренд
Microsemi
BYI-1Z
Подробнее
Сопротивление, Ом
1,0
Корпус
55FU
Бренд
Microsemi
C1-28
Подробнее
Описание
УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
1
Gain,дБ
10
Vcc,В
28
Cob,пФ
3,5
Корпус
55FU-2
Бренд
Microsemi
DME150
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Корпус
55AY-1
Бренд
Microsemi
DME375A
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
375
Pin max, Вт
85
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
30:1
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
DME500
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
500
Pin max, Вт
125
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
DME800
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
800
Pin max, Вт
100
Gain min, дБ
9
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
5:1
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
DRF100
Подробнее
Описание
ИС драйвера СВЧ-транзистора
Pout,Вт
50
fo,МГц
30
VDD,В
25
Vdss,В
1
Корпус
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1200
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
560
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
1000
Rjc,(°C/Вт)
1
Корпус
T2B
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1201
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
2000
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
1000
Корпус
T2B
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1202
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
2000
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
500
Корпус
T2B
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1203
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
650
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
1000
Корпус
T2B
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1300
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
1500
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
500
Корпус
T4
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1301
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
1500
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
1000
Корпус
T4
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF200G
Подробнее
Описание
ИС драйвера СВЧ-транзистора
Pout,Вт
50
fo,МГц
30
VDD,В
25
Vdss,В
1
Корпус
D-E
Бренд
Microsemi
IA5
Подробнее
Описание
500-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55ET-2
ITC1000
Подробнее
Описание
Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
1000
Pin max, Вт
158
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
1
DC, %
1
КСВН
4:1
Корпус
55SW-1
Бренд
Microsemi
ITC1100
Подробнее
Описание
Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
1000
Pin max, Вт
100
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
КПД, %
50
Tи, мкс
1
DC, %
1
КСВН
4:1
Корпус
55SW-1
Бренд
Microsemi
JTDA150A
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
145
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
7
Vcc, В
36
КПД, %
45
Tи, мкс
7
DC, %
22
КСВН
3:1
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
JTDA50
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
50
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
7
Vcc, В
36
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
22
КСВН
10:1
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
JTDB25
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
25
Pin max, Вт
5
Gain min, дБ
7
Vcc, В
36
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
40
КСВН
5:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
JTDB75
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
75
Pin max, Вт
15
Gain min, дБ
7
Vcc, В
36
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
40
КСВН
3:1
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
MDS1100
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
1100
Pin max, Вт
115
Gain min, дБ
9
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
128
DC, %
2
КСВН
4:1
Корпус
55TU-1
Бренд
Microsemi
MDS140L
Подробнее
Описание
MODE S-EML, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pin max, Вт
15
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
MDS400
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
400
Pin max, Вт
90
Gain min, дБ
6
Vcc, В
45
КПД, %
35
Tи, мкс
32
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
MDS500L
Подробнее
Описание
MODE S-EML, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
500
Pin max, Вт
70
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
55
Tи, мкс
2400
DC, %
6
КСВН
3:1
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
MDS60L
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pin max, Вт
60
Gain min, дБ
6
Vcc, В
10
КПД, %
50
Tи, мкс
2400
DC, %
6
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
MDS70
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
70
Pin max, Вт
6
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
Tи, мкс
128
DC, %
2
Корпус
55CX-1
Бренд
Microsemi
MDS800
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
800
Pin max, Вт
100
Gain min, дБ
9
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
128
DC, %
2
КСВН
4:1
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
MMBR5179LT1
Подробнее
F, МГц
200
Ft, МГц
1400
Vcc,В
6
Ic, мА
1
NF, дБ
4
Тип корпуса
SOT-23
Бренд
Microsemi
MMBR911LT1
Подробнее
F, МГц
1000
Ft, МГц
6000
GNF, дБ
11
Vcc,В
10
Ic, мА
10
NF, дБ
2
Тип корпуса
SOT-23
Бренд
Microsemi
MPA201
Подробнее
Описание
10-500 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
1-500
Gain min, дБ
12
Vcc, В
12
Cob, пФ
-
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
33
Корпус
55AZ-2
Бренд
Microsemi
MPA201
Подробнее
Описание
10-500 MHz, Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
500
Gain,дБ
12
Vcc,В
12
Корпус
55AU-2
Бренд
Microsemi
MRF3866
Подробнее
F, МГц
400
Vcc, В
28
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Тип корпуса
SO-8
MRF4427
Подробнее
F, МГц
200
Ft, МГц
1300
GNF, дБ
18
Vcc,В
12
Ic, мА
50
Тип корпуса
SO-8
Бренд
Microsemi
MRF517
Подробнее
F, МГц
300
Ft, МГц
3000
GNF, дБ
10
Vcc,В
15
Ic, мА
60
NF, дБ
2
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
MRF544
Подробнее
F, МГц
250
Ft, МГц
1500
GNF, дБ
13
Vcc,В
25
Ic, мА
50
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
MRF545
Подробнее
F, МГц
250
Ft, МГц
1400
GNF, дБ
13
Vcc,В
25
Ic, мА
50
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
MRF553
Подробнее
F, МГц
175
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
11
Тип корпуса
Pwr Macro
Бренд
Microsemi
MRF553
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
12
КПД, %
55
Vcc, В
12
Ic, мА
12
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
Pwr Macro
Бренд
Microsemi
MRF555
Подробнее
F, МГц
470
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
11
Тип корпуса
Pwr Macro
Бренд
Microsemi
MRF555
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
11
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
5
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
Pwr Macro
Бренд
Microsemi
MRF557
Подробнее
F, МГц
870
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
Тип корпуса
Pwr
Бренд
Microsemi
MRF557
Подробнее
Описание
УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
6
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
Pwr Macro
Бренд
Microsemi
MRF559
Подробнее
Описание
УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения
Gain,дБ
8
Vcc,В
12
Cob,пФ
3
fO,МГц
870
Корпус
MACRO-X
Бренд
Microsemi
MRF559
Подробнее
Описание
УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени
Gain min, дБ
8
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
3
Rtjc, (°C/Вт)
50
Корпус
Macro-X
Бренд
Microsemi
MRF559G
Подробнее
Описание
УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения
Cob,пФ
-
Корпус
MACRO-X
Бренд
Microsemi
MRF559GT
Подробнее
Описание
УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения
Cob,пФ
-
Корпус
MACRO-X
MRF559T
Подробнее
Описание
УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения
Cob,пФ
-
Корпус
MACRO-X
MRF581
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
15
Vcc,В
12
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
Macro X
Бренд
Microsemi
MRF5812
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
15
Vcc,В
12
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
SO-8
Бренд
Microsemi
MRF581A
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
5000
GNF, дБ
15
Vcc,В
12
Ic, мА
50
NF, дБ
2
Тип корпуса
Macro X
MRF586
Подробнее
F, МГц
300
Ft, МГц
3000
GNF, дБ
12
Vcc,В
15
Ic, мА
40
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
MRF5943
Подробнее
F, МГц
300
Ft, МГц
1000
GNF, дБ
15
Vcc,В
15
Ic, мА
35
NF, дБ
5
Тип корпуса
TO-39, SO-8
Бренд
Microsemi
MRF607
Подробнее
F, МГц
175
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
11
Тип корпуса
TO-39
MRF607
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
12
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
15
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
TO-39
MRF837
Подробнее
F, МГц
870
Vcc, В
12
Gain min, дБ
8
Тип корпуса
SO-8, Pwr
Бренд
Microsemi
MRF837
Подробнее
Описание
УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени
Gain min, дБ
8
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
3
Rtjc, (°C/Вт)
45
Корпус
SO-8
Бренд
Microsemi
MRF904
Подробнее
F, МГц
1000
Ft, МГц
4000
GNF, дБ
7
Vcc,В
10
Ic, мА
15
NF, дБ
1
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
MRF914
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
4500
GNF, дБ
15
Vcc,В
10
Ic, мА
15
NF, дБ
2
Тип корпуса
TO-72
MS1001
Подробнее
Описание
ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер
Pout,Вт
75
Pin,Вт
3
Gain,дБ
14
Vcc,В
28
Cob,пФ
350
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1001
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
75
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
14
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
350
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1003
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
100
Pin,Вт
25
Gain,дБ
6
Vcc,В
12
Cob,пФ
390
Корпус
M111
Бренд
Microsemi
MS1003
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
6
Vcc, В
12
Ic, мА
390
КСВН
10:1
Корпус
M111
Бренд
Microsemi
MS1004
Подробнее
Описание
ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер
Pout,Вт
250
Pin,Вт
10
Gain,дБ
14
Vcc,В
50
Cob,пФ
-
ICQ,А
150
Корпус
M177
Бренд
Microsemi
MS1004
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
250
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
14
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Корпус
M177
Бренд
Microsemi
MS1007
Подробнее
Описание
ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер
Pout,Вт
150
Pin,Вт
6
Gain,дБ
14
Vcc,В
50
Cob,пФ
-
ICQ,А
100
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1007f
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
6
Gain min, дБ
14
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
100
КСВН
20:1
Корпус
M174
MS1008
Подробнее
Описание
ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер
Pout,Вт
150
Pin,Вт
6
Gain,дБ
14
Vcc,В
50
Cob,пФ
-
ICQ,А
100
Корпус
M164
Бренд
Microsemi
MS1008
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
6
Gain min, дБ
14
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
100
КСВН
20:1
Корпус
M164
Бренд
Microsemi
MS1011
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
250
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
14
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Корпус
M177
MS1051
Подробнее
Описание
ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер
Pout,Вт
100
Pin,Вт
7
Gain,дБ
11
Vcc,В
12
Cob,пФ
-
ICQ,А
150
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1051
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
7
Gain min, дБ
11
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1076
Подробнее
Описание
ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер
Pout,Вт
220
Pin,Вт
13
Gain,дБ
12
Vcc,В
28
Cob,пФ
-
ICQ,А
750
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1076
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
220
Pin max, Вт
13
Gain min, дБ
12
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
750
КСВН
20:1
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
MS1078
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
130
Pin max, Вт
8
Gain min, дБ
12
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M174
MS1079
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
Pout min, Вт
220
Pin max, Вт
11
Gain min, дБ
13
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Корпус
M174
MS1204
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
6
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
150
Корпус
M174
MS1226
Подробнее
Описание
ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер
Pout,Вт
30
Gain,дБ
18
Vcc,В
28
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
MS1226
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
30
Gain min, дБ
18
КПД, %
60
Vcc, В
28
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
MS1227
Подробнее
Описание
ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер
Pout,Вт
20
Gain,дБ
15
Vcc,В
12
Cob,пФ
100
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
MS1227
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
20
Gain min, дБ
15
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
100
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
MS1261
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
15
Pin,Вт
1
Gain,дБ
12
Vcc,В
12
Cob,пФ
45
Корпус
M122
Бренд
Microsemi
MS1261
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
15
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
12
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
45
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
M122
Бренд
Microsemi
MS1263
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
15
Pin max, Вт
2
Gain min, дБ
7
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
50
Rtjc, (°C/Вт)
4
Корпус
M142
MS1277
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
225
Pout min, Вт
14
Gain min, дБ
14
Vcc, В
28
Ic, мА
2
IMD, дБ
-55
КСВН
1
Rtjc, (°C/Вт)
M111
MS1278
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
225
Pout min, Вт
100
Gain min, дБ
11
Vcc, В
28
IMD, дБ
-50
КСВН
1
Rtjc, (°C/Вт)
M168
MS1279
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
225
Pout min, Вт
20
Gain min, дБ
8
Vcc, В
25
Ic, мА
2
IMD, дБ
-50
КСВН
1
Rtjc, (°C/Вт)
M130
MS1280
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
225
Pout min, Вт
20
Gain min, дБ
7
Vcc, В
28
Ic, мА
3
IMD, дБ
-50
КСВН
1
Rtjc, (°C/Вт)
M164
MS1281
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
18
Gain min, дБ
9
КПД, %
70
Vcc, В
28
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Корпус
M174
MS1329
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
60
Pin,Вт
12
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
80
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
MS1329
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
60
Pin max, Вт
12
Gain min, дБ
7
КПД, %
55
Vcc, В
28
Ic, мА
80
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
MS1336
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
30
Pin,Вт
3
Gain,дБ
10
Vcc,В
12
Cob,пФ
120
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
MS1336
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
30
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
Vcc, В
12
Ic, мА
120
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
MS1337
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
30
Pin,Вт
3
Gain,дБ
10
Vcc,В
12
Cob,пФ
120
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
MS1337
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
30
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
Vcc, В
12
Ic, мА
120
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
MS1401
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
11
КПД, %
50
Vcc, В
7
Ic, мА
19
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
11
Корпус
M123
MS1402
Подробнее
Описание
УВЧ 470 MHz, Class C, Общего назначения
Pout,Вт
2
Gain,дБ
10
Vcc,В
12
Cob,пФ
10
Корпус
M122
Бренд
Microsemi
MS1402
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
10
Vcc, В
12
Ic, мА
10
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
M122
Бренд
Microsemi
MS1403
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
12
КПД, %
50
Vcc, В
7
Ic, мА
6
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
M123
MS1404
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
5
Gain min, дБ
8
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
19
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
11
Корпус
M122
MS1406
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
20
Pin,Вт
3
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
35
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
MS1406
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
20
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
8
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
35
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
5
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
MS1408
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
20
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
8
КПД, %
55
Vcc, В
28
Ic, мА
35
Rtjc, (°C/Вт)
5
Корпус
M113
MS1426
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
10
Pin max, Вт
2
Gain min, дБ
7
Vcc, В
12
Ic, мА
26
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
3
Корпус
M122
MS1453
Подробнее
Описание
УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
960
Pout min, Вт
30
Gain min, дБ
7
Vcc, В
24
КСВН
3
Rtjc, (°C/Вт)
M142
MS1454
Подробнее
Описание
УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
30
Gain min, дБ
7
Vcc, В
24
КПД, %
50
IMD, дБ
-60
КСВН
2
Rtjc, (°C/Вт)
M142
MS1455
Подробнее
Описание
УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени
Pout min, Вт
45
Pin max, Вт
15
Gain min, дБ
4
Vcc, В
12
Ic, мА
100
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M142
MS1501
Подробнее
Описание
УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
8
Vcc, В
25
IMD, дБ
-60
КСВН
11
Rtjc, (°C/Вт)
M122
MS1502
Подробнее
Описание
УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
860
Gain min, дБ
9
Vcc, В
20
IMD, дБ
-60
КСВН
5
Rtjc, (°C/Вт)
M122
MS1503
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
20
Gain min, дБ
7
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
100
Корпус
M111
MS1504
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
30
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
КПД, %
55
Vcc, В
13
Ic, мА
95
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M135
MS1505
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
30
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
КПД, %
55
Vcc, В
13
Ic, мА
95
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M113
MS1506
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
40
Pin,Вт
5
Gain,дБ
9
Vcc,В
13
Cob,пФ
95
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
MS1506
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
40
Pin max, Вт
5
Gain min, дБ
9
КПД, %
55
Vcc, В
13
Ic, мА
95
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
MS1507
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
40
Pin max, Вт
5
Gain min, дБ
9
Vcc, В
13
Ic, мА
95
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M113
MS1509
Подробнее
Описание
УВЧ 100-500 MHz, Class C, Общий эмиттер
Pout,Вт
100
Pin,Вт
28
Gain,дБ
5
Vcc,В
28
Cob,пФ
100
Корпус
M168
Бренд
Microsemi
MS1509
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-500 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
28
Gain min, дБ
5
КПД, %
55
Vcc, В
28
Ic, мА
100
КСВН
5:1
Корпус
M168
Бренд
Microsemi
MS1511
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
70
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
8
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
65
КСВН
20:1
Корпус
M111
MS1512
Подробнее
Описание
УВЧ 860-960 MHz, Class A/AB, Общий эмиттер
Pout,Вт
1
Gain,дБ
10
Vcc,В
20
IMD Type,дБ
-60
Корпус
M122
Бренд
Microsemi
MS1512
Подробнее
Описание
УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Vcc, В
20
IMD, дБ
-60
КСВН
9
Rtjc, (°C/Вт)
M122
Бренд
Microsemi
MS1533
Подробнее
Описание
УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
150
Gain min, дБ
6
Vcc, В
28
Ic, мА
2
КПД, %
45
Rtjc, (°C/Вт)
M175
MS1579
Подробнее
Описание
УВЧ 860-960 MHz, Class A/AB, Общий эмиттер
Pout,Вт
14
Gain,дБ
8
Vcc,В
25
ICQ,А
1
IMD Type,дБ
-45
Корпус
M156
Бренд
Microsemi
MS1579
Подробнее
Описание
УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
14
Gain min, дБ
8
Vcc, В
25
Ic, мА
1
IMD, дБ
-45
КСВН
2
Rtjc, (°C/Вт)
M156
Бренд
Microsemi
MS1581
Подробнее
Описание
УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
7
Vcc, В
25
IMD, дБ
-60
КСВН
5
Rtjc, (°C/Вт)
M122
MS1582
Подробнее
Описание
УВЧ 860-960 MHz, Class A/AB, Общий эмиттер
Pout,Вт
25
Gain,дБ
9
Vcc,В
25
ICQ,А
3
IMD Type,дБ
-45
Корпус
M173
Бренд
Microsemi
MS1582
Подробнее
Описание
УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
25
Gain min, дБ
9
Vcc, В
25
Ic, мА
3
IMD, дБ
-45
КСВН
1
Rtjc, (°C/Вт)
M173
Бренд
Microsemi
MS1642P
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
10
Gain min, дБ
12
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
12
Rtjc, (°C/Вт)
6
Корпус
M123
MS1649
Подробнее
F, МГц
470
Vcc, В
12
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
10
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
MS1649
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
9
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
12
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
TO-39
Бренд
Microsemi
MS2003
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
7
КПД, %
35
Vcc, В
28
Cob, пФ
9
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
M210
MS2200
Подробнее
Описание
УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером
Pout,Вт
500
Pin,Вт
54
Gain,dB
10
Vcc,В
40
Ти,мкс
250
DC,%
10
Корпус
MS102
Бренд
Microsemi
MS2200
Подробнее
Описание
УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером
Pout,Вт
500
Pin,Вт
54
Gain,dB
10
Vcc,В
40
Ти,мкс
250
DC,%
10
Корпус
MS102
Бренд
Microsemi
MS2201
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
9
Vcc, В
28
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
Rtjc, (°C/Вт)
10
Корпус
M220
Бренд
Microsemi
MS2202
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
9
Vcc, В
35
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
10
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
MS2203
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ
Gain min, дБ
10
Vcc, В
18
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
M220
Бренд
Microsemi
MS2204
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ
Gain min, дБ
10
Vcc, В
18
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
MS2205
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
9
Vcc, В
28
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
5
Корпус
M220
Бренд
Microsemi
MS2206
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
10
Vcc, В
28
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
MS2207
Подробнее
Описание
TCAS 1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
400
Pin max, Вт
63
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
15:1
Корпус
M216
Бренд
Microsemi
MS2209
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
90
Pin max, Вт
13
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
38
Tи, мкс
10
DC, %
10
Корпус
M218
Бренд
Microsemi
MS2210
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
300
Pin max, Вт
60
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
38
Tи, мкс
10
DC, %
10
КСВН
15:1
Корпус
M216
Бренд
Microsemi
MS2211
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
6
Gain min, дБ
9
Vcc, В
28
КПД, %
45
Tи, мкс
6
DC, %
21
КСВН
5:1
Rtjc, (°C/Вт)
7
Корпус
M22
Бренд
Microsemi
MS2212
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
15
Pin max, Вт
2
Gain min, дБ
8
Vcc, В
28
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
21
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
3
Корпус
M22
Бренд
Microsemi
MS2213
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
30
Pin max, Вт
5
Gain min, дБ
7
Vcc, В
35
КПД, %
40
Tи, мкс
6
DC, %
21
КСВН
15:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M214
Бренд
Microsemi
MS2214
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
85
Pin max, Вт
15
Gain min, дБ
7
Vcc, В
35
КПД, %
40
Tи, мкс
6
DC, %
21
КСВН
5:1
Корпус
M218
Бренд
Microsemi
MS2215
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
26
Gain min, дБ
7
Vcc, В
35
КПД, %
45
Tи, мкс
7
DC, %
21
Корпус
M216
Бренд
Microsemi
MS2267
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
250
Pin max, Вт
40
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
38
Tи, мкс
20
DC, %
5
Корпус
M214
Бренд
Microsemi
MS2272
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
350
Pin max, Вт
60
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
38
Tи, мкс
10
DC, %
10
КСВН
15:1
Корпус
M216
Бренд
Microsemi
MS2290
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ
Gain min, дБ
10
Vcc, В
18
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
MS2321
Подробнее
Описание
DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
15
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
КПД, %
30
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M105
Бренд
Microsemi
MS2341
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
35
Pin max, Вт
5
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
30
Tи, мкс
10
DC, %
1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
MS2361
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
75
Pin max, Вт
13
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
Tи, мкс
10
DC, %
1
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
MS2393
Подробнее
Описание
Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Класс С, сх
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
30:1
Корпус
M138
Бренд
Microsemi
MS2421
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
300
Pin max, Вт
70
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
30:1
Корпус
M103
Бренд
Microsemi
MS2441
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
400
Pin max, Вт
90
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
30:1
Корпус
M112
Бренд
Microsemi
MS2472
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
550
Pin max, Вт
150
Gain min, дБ
5
Vcc, В
50
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
30:1
Корпус
M112
Бренд
Microsemi
MS2473
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
600
Pin max, Вт
150
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
30:1
Корпус
M112
Бренд
Microsemi
MS2553
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
35
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
КПД, %
43
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M220
Бренд
Microsemi
MS2553C
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
35
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
Tи, мкс
10
DC, %
1
Корпус
M220
Бренд
Microsemi
MS2554
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
250
Pin max, Вт
60
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Корпус
M218
Бренд
Microsemi
MS2575
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
35
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
КПД, %
48
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
MS3011
Подробнее
Описание
1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д
F, МГц
2000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
7
Vcc, В
18
Cob, пФ
5
КСВН
15:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
M210
MS3022
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
1
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
3
Корпус
M210
Бренд
Microsemi
MS3023
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
3
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
9
Корпус
M210
Бренд
Microsemi
MS3024
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
5
Pinmax, Вт
1
Gain min, дБ
7
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
10
Rtjc, (°C/Вт)
6
Корпус
M210
MS652S
Подробнее
Описание
УВЧ 470 MHz, Class C, Общего назначения
Pout,Вт
5
Gain,дБ
10
Vcc,В
12
Cob,пФ
15
Корпус
M123
Бренд
Microsemi
MS652S
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
5
Gain min, дБ
10
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
15
Rtjc, (°C/Вт)
11
Корпус
M123
Бренд
Microsemi
MSC1015MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
15
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
MSC1075MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
75
Pin max, Вт
13
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
MSC1175M
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
175
Pin max, Вт
30
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Корпус
M218
Бренд
Microsemi
MSC1350M
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
350
Pin max, Вт
70
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Корпус
M218
Бренд
Microsemi
MSC1400M
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
400
Pin max, Вт
90
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
25:1
Корпус
M216
Бренд
Microsemi
MSC1450M
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
450
Pin max, Вт
90
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
25:1
Корпус
M216
Бренд
Microsemi
MSC80064
Подробнее
Описание
1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д
F, МГц
2000
Gain min, дБ
9
Vcc, В
18
Cob, пФ
2,5
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
45
Корпус
M210
S200-50
Подробнее
Описание
ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер
Pout,Вт
200
Pin,Вт
12
Gain,дБ
12
Vcc,В
50
Cob,пФ
300
Корпус
55HX-2
Бренд
Microsemi
S200-50
Подробнее
Описание
ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
200
Pin max, Вт
12
Gain min, дБ
12
КПД, %
60
Vcc, В
50
Ic, мА
300
КСВН
30:1
Корпус
55HX-2
Бренд
Microsemi
SD1013
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
10
Pin,Вт
1
Gain,дБ
10
Vcc,В
28
Cob,пФ
15
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
SD1013
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
10
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
10
КПД, %
55
Vcc, В
28
Ic, мА
15
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
13
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
SD1013-03
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
10
Pin,Вт
1
Gain,дБ
10
Vcc,В
28
Cob,пФ
15
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
SD1013-03
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
10
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
10
КПД, %
55
Vcc, В
28
Ic, мА
15
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
13
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
SD1014-06
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
15
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
6
КПД, %
60
Vcc, В
12
Ic, мА
10
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
5
Корпус
M113
SD1015
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
30
Pin,Вт
3
Gain,дБ
10
Vcc,В
28
Cob,пФ
250
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
SD1015
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
30
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
Vcc, В
28
Ic, мА
250
Rtjc, (°C/Вт)
4
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
SD1018
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
40
Pin,Вт
14
Gain,дБ
4
Vcc,В
12
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
SD1018
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
40
Pin max, Вт
14
Gain min, дБ
4
КПД, %
70
Vcc, В
12
Ic, мА
200
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
SD1018-06
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
40
Pin,Вт
14
Gain,дБ
4
Vcc,В
12
Cob,пФ
200
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
SD1018-06
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
40
Pin max, Вт
14
Gain min, дБ
4
КПД, %
70
Vcc, В
12
Ic, мА
200
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
SD1019
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
30
Pin,Вт
10
Gain,дБ
5
Vcc,В
13
Cob,пФ
150
Корпус
M130
Бренд
Microsemi
SD1019
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
30
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
5
КПД, %
55
Vcc, В
13
Ic, мА
150
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M174, M130
Бренд
Microsemi
SD1019-05
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
100
Pin,Вт
25
Gain,дБ
6
Vcc,В
28
Cob,пФ
150
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
SD1127
Подробнее
F, МГц
175
Vcc, В
12
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
12
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
SD1127
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
12
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
20
Rtjc, (°C/Вт)
22
Корпус
TO-39
Бренд
Microsemi
SD1143
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
10
Gain min, дБ
10
Vcc, В
12
Ic, мА
45
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
M135
SD1143-01
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
10
Gain min, дБ
10
Vcc, В
12
Ic, мА
45
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
M113
SD1146
Подробнее
Описание
УВЧ 470 MHz, Class C, Общего назначения
Pout,Вт
10
Pin,Вт
2
Gain,дБ
6
Vcc,В
12
Cob,пФ
30
Корпус
M122
Бренд
Microsemi
SD1146
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
10
Pin max, Вт
2
Gain min, дБ
6
Vcc, В
12
Ic, мА
30
Rtjc, (°C/Вт)
4
Корпус
M122
Бренд
Microsemi
SD1224
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
40
Pin,Вт
7
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
65
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
SD1224
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
40
Pin max, Вт
7
Gain min, дБ
7
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
65
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M135
Бренд
Microsemi
SD1224-02
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
40
Pin,Вт
7
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
65
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
SD1420-01
Подробнее
Описание
УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
960
Gain min, дБ
9
Vcc, В
24
КСВН
20
Rtjc, (°C/Вт)
M123
SD1422
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
25
Pin max, Вт
6
Gain min, дБ
6
Vcc, В
12
Ic, мА
70
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
M111
SD1429-03
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
15
Pin max, Вт
2
Gain min, дБ
7
Vcc, В
12
Ic, мА
50
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
4
Корпус
M111
SD1444
Подробнее
F, МГц
470
Vcc, В
12
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
8
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
SD1444
Подробнее
Описание
УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
8
КПД, %
50
Vcc, В
12
Ic, мА
15
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
TO-39
Бренд
Microsemi
SD1485
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ
F, МГц
225
Pout min, Вт
200
Gain min, дБ
11
Vcc, В
32
Ic, мА
1
IMD, дБ
-50
Rtjc, (°C/Вт)
M175
SD1526-01
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
5
Gain min, дБ
9
Vcc, В
28
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
SD1536-03
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
90
Pin max, Вт
13
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Корпус
M115
Бренд
Microsemi
SD1536-08
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
90
Pin max, Вт
13
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Корпус
M105
Бренд
Microsemi
SRF4427
Подробнее
F, МГц
175
Vcc, В
12
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
17
Тип корпуса
SO-8
Бренд
Microsemi
SRF4427
Подробнее
Описание
ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Gain,дБ
17
Vcc,В
12
Cob,пФ
4
Корпус
SO-8
Бренд
Microsemi
SRF4427
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Gain min, дБ
17
Vcc, В
12
Ic, мА
4
Rtjc, (°C/Вт)
125
Корпус
SO-8
Бренд
Microsemi
TAN15
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
15
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
7
Vcc, В
40
КПД, %
40
Tи, мкс
20
DC, %
5
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55LT-1
Бренд
Microsemi
TAN150
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
30
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
38
Tи, мкс
20
DC, %
5
КСВН
10:1
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
TAN250A
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
250
Pin max, Вт
60
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
20
DC, %
5
КСВН
5:1
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
TAN300
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
300
Pin max, Вт
60
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
20
DC, %
5
КСВН
5:1
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
TAN350
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
350
Pin max, Вт
70
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
10
КСВН
3:1
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
TAN500
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
500
Pin max, Вт
70
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
10
Tи, мкс
10
КСВН
-
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
TAN75A
Подробнее
Описание
TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
75
Pin max, Вт
12
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
20
DC, %
5
КСВН
30:1
Корпус
55AZ-1
Бренд
Microsemi
TCS1200
Подробнее
Описание
TCAS 1030 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
1200
Pin max, Вт
150
Gain min, дБ
9
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
4:1
Корпус
55TU-1
Бренд
Microsemi
TCS450
Подробнее
Описание
TCAS 1030 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
450
Pin max, Вт
100
Gain min, дБ
6
Vcc, В
45
КПД, %
35
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
10:1
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
TCS800
Подробнее
Описание
TCAS 1030 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
800
Pin max, Вт
100
Gain min, дБ
9
Vcc, В
45
КПД, %
45
Tи, мкс
32
DC, %
1
КСВН
4:1
Корпус
55SM-1
Бренд
Microsemi
TPR1000
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
1000
Pin max, Вт
208
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
43
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
9:1
Корпус
55KV-1
Бренд
Microsemi
TPR175
Подробнее
Описание
Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Класс С, сх
Pout min, Вт
175
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
30:1
Корпус
55CX-1
Бренд
Microsemi
TPR400
Подробнее
Описание
Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Класс С, сх
Pout min, Вт
400
Pin max, Вт
75
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Корпус
55CT-1
Бренд
Microsemi
TPR500
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
500
Pin max, Вт
150
Gain min, дБ
5
Vcc, В
50
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55CT-1
Бренд
Microsemi
TPR500A
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
500
Pin max, Вт
150
Gain min, дБ
5
Vcc, В
50
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
TPR700
Подробнее
Описание
Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
700
Pin max, Вт
150
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
UMIL10
Подробнее
Описание
УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
10
Pin,Вт
1
Gain,дБ
10
Vcc,В
28
Cob,пФ
11,5
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
UMIL10
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
10
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
10
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
11
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
6
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
UMIL100
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
19
Gain min, дБ
7
КПД, %
55
Vcc, В
28
Ic, мА
120
КСВН
5:1
Корпус
55HV-2
UMIL100A
Подробнее
Описание
УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
100
Pin,Вт
16
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
120
Корпус
55JU-2
Бренд
Microsemi
UMIL100A
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
16
Gain min, дБ
8
КПД, %
55
Vcc, В
28
Ic, мА
120
КСВН
4,5:1
Корпус
55JU-2
Бренд
Microsemi
UMIL10P
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
10
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
10
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
11
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
6
Корпус
55FU-2
UMIL25
Подробнее
Описание
УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
25
Pin,Вт
3
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
22
Корпус
55HV-2
Бренд
Microsemi
UMIL25
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
25
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
8
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
22
КСВН
5:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
55HV-2
Бренд
Microsemi
UMIL3
Подробнее
Описание
УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
3
Gain,дБ
11
Vcc,В
28
Cob,пФ
4,5
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
UMIL3
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
11
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
16
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
UMIL60
Подробнее
Описание
УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
60
Pin,Вт
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
70
Корпус
55HW-2
Бренд
Microsemi
UMIL60
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
60
Pin max, Вт
8
Gain min, дБ
8
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
70
КСВН
5:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55HW-2
Бренд
Microsemi
UMIL80
Подробнее
Описание
УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
80
Pin,Вт
10
Gain,дБ
9
Vcc,В
28
Cob,пФ
80
Корпус
55HU-2
Бренд
Microsemi
UMIL80
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
80
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
9
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
80
КСВН
5:1
Корпус
55HV-2
Бренд
Microsemi
UTV005
Подробнее
Описание
УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
860
Gain,дБ
10
Vcc,В
20
IMD Type,дБ
-60
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
UTV005
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
860
Gain min, дБ
10
Vcc, В
20
IMD, дБ
-60
КСВН
22
Rtjc, (°C/Вт)
55FT-2
Бренд
Microsemi
UTV005P
Подробнее
Описание
УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
860
Gain,дБ
10
Vcc,В
20
IMD Type,дБ
-60
Корпус
55FU-2
Бренд
Microsemi
UTV010
Подробнее
Описание
УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
860
Pout,Вт
1
Gain,дБ
10
Vcc,В
20
IMD Type,дБ
-60
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
UTV010
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
10
Vcc, В
20
IMD, дБ
-60
КСВН
12
Rtjc, (°C/Вт)
55FT-2
Бренд
Microsemi
UTV020
Подробнее
Описание
УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
860
Pout,Вт
2
Gain,дБ
10
Vcc,В
25
IMD Type,дБ
-60
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
UTV020
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
10
Vcc, В
25
IMD, дБ
-60
КСВН
10
Rtjc, (°C/Вт)
55FT-2
Бренд
Microsemi
UTV040
Подробнее
Описание
УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
860
Pout,Вт
4
Gain,дБ
8
Vcc,В
25
IMD Type,дБ
-60
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
UTV040
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
8
Vcc, В
25
IMD, дБ
-60
КСВН
7
Rtjc, (°C/Вт)
55FT-2
Бренд
Microsemi
UTV080
Подробнее
Описание
УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
860
Pout,Вт
8
Gain,дБ
9
Vcc,В
26
ICQ,А
1
IMD Type,дБ
-58
Корпус
55JV-2
Бренд
Microsemi
UTV080
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
8
Gain min, дБ
9
Vcc, В
26
Ic, мА
1
IMD, дБ
-58
КСВН
2
Rtjc, (°C/Вт)
55JV-2
Бренд
Microsemi
UTV120
Подробнее
Описание
УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
860
Pout,Вт
12
Gain,дБ
8
Vcc,В
26
ICQ,А
1
IMD Type,дБ
-52
Корпус
55JT-2
Бренд
Microsemi
UTV120
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
12
Gain min, дБ
8
Vcc, В
26
Ic, мА
1
IMD, дБ
-52
КСВН
1
Rtjc, (°C/Вт)
55JT-2
Бренд
Microsemi
UTV200
Подробнее
Описание
УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
860
Pout,Вт
20
Gain,дБ
8
Vcc,В
26
ICQ,А
2
IMD Type,дБ
-48
Корпус
55JV-2
Бренд
Microsemi
UTV200
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
20
Gain min, дБ
8
Vcc, В
26
Ic, мА
2
IMD, дБ
-48
КСВН
1
Rtjc, (°C/Вт)
55JV-2
Бренд
Microsemi
UTV8100B
Подробнее
Описание
УВЧ TV 470-860 MHz, Class AB, Общий эмиттер
fO,МГц
860
Pout,Вт
100
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
IMD Type,дБ
55
Бренд
Microsemi
UTV8100B
Подробнее
Описание
УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
F, МГц
860
Pout min, Вт
100
Gain min, дБ
8
Vcc, В
28
КПД, %
55
КСВН
5:1
Rtjc, (°C/Вт)
55RT-2
Бренд
Microsemi
VAM80
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
80
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
9
КПД, %
65
Vcc, В
27
Ic, мА
75
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
55HT-2
VMIL100
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м
Pout min, Вт
100
Pin max, Вт
20
Gain min, дБ
7
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
220
КСВН
30:1
Корпус
55HV-2
VRF141
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
150
Pin,Вт
15
Gain,дБ
10
VDD,В
28
Coss,пФ
420
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
VRF141
Подробнее
Описание
VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
7
Gain min, дБ
13
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
420
КСВН
30:1
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
VRF141G
Подробнее
Описание
VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ
Pout min, Вт
300
Pin max, Вт
7
Gain min, дБ
13
КПД, %
50
Vcc, В
28
Ic, мА
420
КСВН
30:1
Корпус
M208
VRF148A
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
30
Pin,Вт
1
Gain,дБ
15
VDD,В
50
Coss,пФ
35
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
VRF148A
Подробнее
Описание
VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ
Pout min, Вт
30
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
15
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
35
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
M113
Бренд
Microsemi
VRF150
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
150
Pin,Вт
15
Gain,дБ
10
VDD,В
50
Coss,пФ
240
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
VRF150
Подробнее
Описание
VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
15
Gain min, дБ
10
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
240
КСВН
30:1
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
VRF151
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
150
Pin,Вт
6
Gain,дБ
14
VDD,В
50
Coss,пФ
220
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
VRF151
Подробнее
Описание
VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
6
Gain min, дБ
14
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
220
КСВН
30:1
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
VRF151E
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
150
Pin,Вт
6
Gain,дБ
14
VDD,В
50
Coss,пФ
220
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
VRF151G
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
300
Pin,Вт
6
Gain,дБ
14
VDD,В
50
Coss,пФ
200
Корпус
M208
Бренд
Microsemi
VRF151G
Подробнее
Описание
VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ
Pout min, Вт
300
Pin max, Вт
6
Gain min, дБ
14
КПД, %
50
Vcc, В
50
Ic, мА
220
КСВН
30:1
Корпус
M208
Бренд
Microsemi
VRF152
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
150
Pin,Вт
6
Gain,дБ
14
VDD,В
50
Coss,пФ
220
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
VRF152E
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
150
Pin,Вт
6
Gain,дБ
14
VDD,В
50
Coss,пФ
220
Корпус
M174
Бренд
Microsemi
VRF154FL
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
600
Pin,Вт
16
Gain,дБ
17
VDD,В
50
Coss,пФ
950
Корпус
T2
Бренд
Microsemi
VRF157FL
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
600
Pin,Вт
16
Gain,дБ
21
VDD,В
50
Coss,пФ
950
Корпус
T2
Бренд
Microsemi
VRF2933
Подробнее
Описание
Рабочее напряжние 50В
Pout,Вт
300
Pin,Вт
2
VDD,В
50
Корпус
M177
Бренд
Microsemi
Z0-8F
Подробнее
Сопротивление, Ом
1,0
Корпус
55GU