СВЧ

0105-50 Подробнее Описание УВЧ 100-500 MHz, Class C, Общий эмиттер Pout,Вт 50 Pin,Вт 7 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 52 fO,МГц 500 Корпус 55JT-2 Бренд Microsemi 0105-50 Подробнее Описание УВЧ, 100-500 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 50 Pin max, Вт 7 Gain min, дБ 8 КПД, % 55 Vcc, В 28 Ic, мА 52 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55JT-2 Бренд Microsemi 0150SC-1250M Подробнее Pout, Вт 1250 Pin, Вт 150 Gain, дБ 9 VCC, В 125 Pulse, мкс 300 DC, % 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0150SC-1250M Подробнее Описание SiC ОВЧ: 160MHz, Class AB, схема с общ. Затвором Pout,Вт 1250 Pin,Вт 190 Gain,dB 9 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0150SC-1250M Подробнее Описание SiC ОВЧ: 160MHz, Class AB, схема с общ. Затвором Pout,Вт 1250 Pin,Вт 190 Gain,dB 9 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0204-125 Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 125 Pin,Вт 25 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 70 fO,МГц 400 Корпус 55JT-2 Бренд Microsemi 0204-125 Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 125 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 8 КПД, % 60 Vcc, В 28 Ic, мА 70 КСВН 5:1 Корпус 55JT-2 Бренд Microsemi 0405-500L Подробнее Описание УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером Pout,Вт 500 Pin,Вт 55 Gain,dB 10 Vcc,В 32 Ти,мкс 1100 DC,% 26 Корпус 55-SL Бренд Microsemi 0405-500L Подробнее Описание УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером Pout,Вт 500 Pin,Вт 55 Gain,dB 10 Vcc,В 32 Ти,мкс 1100 DC,% 26 Корпус 55-SL Бренд Microsemi 0405SC-1000M Подробнее FO min, MHz 406 FO max, MHz 450 Pout, Вт 1000 Pin, Вт 180 Gain, дБ 8 VCC, В 125 Pulse, мкс 300 DC, % 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-1000M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 1000 Pin,Вт 180 Gain,dB 8 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-1000M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 1000 Pin,Вт 180 Gain,dB 8 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-1500M Подробнее FO min, MHz 406 FO max, MHz 450 Pout, Вт 1500 Pin, Вт 270 Gain, дБ 7 VCC, В 125 Pulse, мкс 300 DC, % 6 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-1500M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 1500 Pin,Вт 270 Gain,dB 7 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 6 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-1500M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 1500 Pin,Вт 270 Gain,dB 7 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 6 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-2200M Подробнее FO min, MHz 406 FO max, MHz 450 Pout, Вт 2200 Pin, Вт 440 Gain, дБ 7 VCC, В 125 Pulse, мкс 300 DC, % 6 Корпус 55TW-FET Бренд Microsemi 0405SC-2200M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 2200 Pin,Вт 440 Gain,dB 7 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 6 Корпус 55TW-FET Бренд Microsemi 0405SC-2200M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 2200 Pin,Вт 440 Gain,dB 7 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 6 Корпус 55TW-FET Бренд Microsemi 0510-50A Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс AB, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 50 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 7,0 Vcc, В 28 Cob, пФ 50 КСВН 1 Rtjc, (°C/Вт) 55AV-2 Бренд Microsemi 0910-150M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 150 Pin,Вт 18 Gain,dB 9 Vcc,В 36 Ти,мкс 150 DC,% 2 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 0910-150M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 150 Pin,Вт 18 Gain,dB 9 Vcc,В 36 Ти,мкс 150 DC,% 2 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 0910-300M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 300 Pin,Вт 33 Gain,dB 9 Vcc,В 50 Ти,мкс 150 DC,% 2 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 0910-300M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 300 Pin,Вт 33 Gain,dB 9 Vcc,В 50 Ти,мкс 150 DC,% 2 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 0910-60M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 60 Pin,Вт 9 Gain,dB 8 Vcc,В 40 Ти,мкс 150 DC,% 5 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 0910-60M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 60 Pin,Вт 9 Gain,dB 8 Vcc,В 40 Ти,мкс 150 DC,% 5 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 0912-25 Подробнее Описание DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 25 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55CT-1 Бренд Microsemi 0912-45 Подробнее Описание DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 45 Pin max, Вт 7 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55CT-1 Бренд Microsemi 0912-7 Подробнее Описание DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 7 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 25 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 3 Корпус 55CT-1 Бренд Microsemi 0912LD20 Подробнее Описание LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас Pout min, Вт 20 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 15 Vcc, В 28 Tи, мкс 32 DC, % 2 Корпус 55QT Бренд Microsemi 1000MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс A, схема с ОЭ, CW Gain min, дБ 10 Vcc, В 18 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55FW-2 Бренд Microsemi 1002MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 10 Vcc, В 35 КПД, % 45 Tи, мкс 20 DC, % 1 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 10 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 1004MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 9 Vcc, В 35 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 7 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 1011LD110 Подробнее Описание LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас Pout min, Вт 110 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 13 Vcc, В 32 КПД, % 50 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 3:1 Корпус 55QZ Бренд Microsemi 1011LD200 Подробнее Описание LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас Pout min, Вт 200 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 13 Vcc, В 32 КПД, % 50 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 3:1 Корпус 55QX Бренд Microsemi 1011LD300 Подробнее Описание LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас Pout min, Вт 300 Pin max, Вт 15 Gain min, дБ 13 Vcc, В 32 КПД, % 50 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 3:1 Корпус 55QM Бренд Microsemi 1014-12 Подробнее Описание 1002-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база F,МГц 1400 Pout,Вт 12 Pin,Вт 2 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 12 Корпус 55LT-1 Бренд Microsemi 1014-2 Подробнее Описание 1000-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база F,МГц 1400 Pout,Вт 2 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 4 Корпус 55LT-1 Бренд Microsemi 1014-6A Подробнее Описание 1001-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база F,МГц 1400 Pout,Вт 6 Pin,Вт 1 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 3 Корпус 55LV-1 Бренд Microsemi 1015MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 1035MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 35 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 10500 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 4:1 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 10502 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 4:1 Корпус 55SM-1 Бренд Microsemi 1075MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 12 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 1090MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 90 Pin max, Вт 14 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 10A015 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 3,8 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 29 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A015 Подробнее Описание 501-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер fO,МГц 1000 Pout,Вт 1 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A030 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 7,3 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 12 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A030 Подробнее Описание 502-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер fO,МГц 1000 Pout,Вт 3 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A060 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 6 Gain min, дБ 8 Vcc, В 20 Cob, пФ 10,8 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A060 Подробнее Описание 503-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер fO,МГц 1000 Pout,Вт 6 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10AM05 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 5 Gain min, дБ 10 Vcc, В 20 Ic, мА 1 Cob, пФ 16 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 7 Корпус 55CT-2 10AM20 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 20 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 8 Vcc, В 20 Ic, мА 2 Cob, пФ 40 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55AT-2 1214-110M Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 110 Pin,Вт 20 Gain,dB 7 Vcc,В 50 Ти,мкс 330 DC,% 10 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 1214-110M Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 110 Pin,Вт 20 Gain,dB 7 Vcc,В 50 Ти,мкс 330 DC,% 10 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 1214-110V Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 110 Pin,Вт 20 Gain,dB 7 Vcc,В 50 Ти,мкс 330 DC,% 10 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 1214-110V Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 110 Pin,Вт 20 Gain,dB 7 Vcc,В 50 Ти,мкс 330 DC,% 10 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 1214-150L Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 140 Pin,Вт 27 Gain,dB 7 Vcc,В 36 Ти,мкс 5000 DC,% 20 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-150L Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 140 Pin,Вт 27 Gain,dB 7 Vcc,В 36 Ти,мкс 5000 DC,% 20 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-220M Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 220 Pin,Вт 40 Gain,dB 7 Vcc,В 40 Ти,мкс 150 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-220M Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 220 Pin,Вт 40 Gain,dB 7 Vcc,В 40 Ти,мкс 150 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-30 Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 30 Pin,Вт 60 Gain,dB 6 Vcc,В 28 Ти,мкс 2000 DC,% 20 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 1214-30 Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 30 Pin,Вт 60 Gain,dB 6 Vcc,В 28 Ти,мкс 2000 DC,% 20 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 1214-300 Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 270 Pin,Вт 42 Gain,dB 8 Vcc,В 50 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-300 Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 270 Pin,Вт 42 Gain,dB 8 Vcc,В 50 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-300M Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 300 Pin,Вт 40 Gain,dB 8 Vcc,В 40 Ти,мкс 150 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-300M Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 300 Pin,Вт 40 Gain,dB 8 Vcc,В 40 Ти,мкс 150 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-300V Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 300 Pin,Вт 40 Gain,dB 8 Vcc,В 50 Ти,мкс 330 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-300V Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 300 Pin,Вт 40 Gain,dB 8 Vcc,В 50 Ти,мкс 330 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-32L Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 32 Pin,Вт 5 Gain,dB 7 Vcc,В 36 Ти,мкс 5000 DC,% 20 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 1214-32L Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 32 Pin,Вт 5 Gain,dB 7 Vcc,В 36 Ти,мкс 5000 DC,% 20 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 1214-370M Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 370 Pin,Вт 50 Gain,dB 8 Vcc,В 50 Ти,мкс 330 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-370M Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 370 Pin,Вт 50 Gain,dB 8 Vcc,В 50 Ти,мкс 330 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-370V Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 370 Pin,Вт 50 Gain,dB 8 Vcc,В 50 Ти,мкс 330 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-370V Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 370 Pin,Вт 50 Gain,dB 8 Vcc,В 50 Ти,мкс 330 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1214-55 Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 55 Pin,Вт 12 Gain,dB 7 Vcc,В 28 Ти,мкс 2000 DC,% 20 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 1214-55 Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 55 Pin,Вт 12 Gain,dB 7 Vcc,В 28 Ти,мкс 2000 DC,% 20 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 1214-550P Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 550 Pin,Вт 87 Gain,dB 9 Vcc,В 42 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 1214-550P Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 550 Pin,Вт 87 Gain,dB 9 Vcc,В 42 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 1214-700P Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 700 Pin,Вт 110 Gain,dB 9 Vcc,В 50 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 1214-700P Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 700 Pin,Вт 110 Gain,dB 9 Vcc,В 50 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 1214-800P Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 800 Pin,Вт 120 Gain,dB 9 Vcc,В 50 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 1214-800P Подробнее Описание L-диапазон 1200-1400 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 800 Pin,Вт 120 Gain,dB 9 Vcc,В 50 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 1517-110M Подробнее Описание L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 110 Pin,Вт 20 Gain,dB 7 Vcc,В 40 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 1517-110M Подробнее Описание L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 110 Pin,Вт 20 Gain,dB 7 Vcc,В 40 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 1517-20M Подробнее Описание L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 20 Pin,Вт 3 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус 55LV Бренд Microsemi 1517-20M Подробнее Описание L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 20 Pin,Вт 3 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус 55LV Бренд Microsemi 1517-250M Подробнее Описание L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 250 Pin,Вт 50 Gain,dB 7 Vcc,В 40 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1517-250M Подробнее Описание L-диапазон 1480-1650 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 250 Pin,Вт 50 Gain,dB 7 Vcc,В 40 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 1617-35 Подробнее Описание L-диапазон 1400-1600 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 35 Pin,Вт 6 Gain,dB 7 Vcc,В 28 Ти,мкс 5 DC,% 15 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi 1617-35 Подробнее Описание L-диапазон 1400-1600 MHz, Class C, схема с общ. Ба Pout,Вт 35 Pin,Вт 6 Gain,dB 7 Vcc,В 28 Ти,мкс 5 DC,% 15 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi 1A5 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55ET-2 2001 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 1 Gain,дБ 9 Vcc,В 28 Cob,пФ 4 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2001 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 9 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2003 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 3 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 5 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2003 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 5 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 15 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2005 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 5 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 7 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2005 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 5 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 7 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2010 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 10 Pinmax, Вт 2 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 15 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 6 Корпус 55BT-1 2021-25 Подробнее Описание 2000-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2100 Pout,Вт 25 Pin,Вт 5 Gain,дБ 7 Vcc,В 24 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 2124-12L Подробнее Описание 2003-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2400 Pout,Вт 12 Pin,Вт 2 Gain,дБ 7 Vcc,В 22 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 2223-1,7 Подробнее Описание 2001-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 1 Gain,дБ 8 Vcc,В 22 Корпус 55LV-1 Бренд Microsemi 2224-6L Подробнее Описание 2002-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2400 Pout,Вт 6 Pin,Вт 1 Gain,дБ 7 Vcc,В 22 Корпус 55LV-1 Бренд Microsemi 2225-4L Подробнее Описание 2008-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2500 Pout,Вт 3 Gain,дБ 8 Vcc,В 24 Cob,пФ 7 Корпус 55LV-1 Бренд Microsemi 2301 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 1 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 4 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2301 Подробнее Описание 2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2300 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 20 Cob, пФ 4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 31 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2302 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 2 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 4 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2302 Подробнее Описание 2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2300 Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 20 Cob, пФ 5 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 25 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2304 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 4 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 7 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2304 Подробнее Описание 2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2300 Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 20 Cob, пФ 7 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 17 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2307 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 7 Pin,Вт 1 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 10 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2307 Подробнее Описание 2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2300 Pout min, Вт 7 Pinmax, Вт 1 Gain min, дБ 8 КПД, % 40 Vcc, В 20 Cob, пФ 10 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2324-12L Подробнее Описание 2004-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2400 Pout,Вт 12 Pin,Вт 2 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 2324-20 Подробнее Описание 2005-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2400 Pout,Вт 20 Pin,Вт 4 Gain,дБ 7 Vcc,В 24 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 2324-25 Подробнее Описание 2006-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2400 Pout,Вт 25 Pin,Вт 5 Gain,дБ 7 Vcc,В 24 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 23A003 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 10 Vcc, В 15 Cob, пФ 2,5 КСВН 9:1 Rtjc, (°C/Вт) 45 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A003 Подробнее Описание 3,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 10 Vcc,В 15 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A005 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 2,4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A005 Подробнее Описание 4,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A008 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 3 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A008 Подробнее Описание 5,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A017 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 4,8 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 16 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A017 Подробнее Описание 6,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Pout,Вт 1 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A025 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 6 Vcc, В 20 Cob, пФ 6,5 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 11 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A025 Подробнее Описание 7,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Pout,Вт 2 Gain,дБ 6 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 2424-25 Подробнее Описание 2007-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2470 Pout,Вт 25 Pin,Вт 4 Gain,дБ 7 Vcc,В 24 Корпус 55AP-1 Бренд Microsemi 2729-125 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 125 Pin,Вт 15 Gain,dB 9 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2729-125 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 125 Pin,Вт 15 Gain,dB 9 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2729-170 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 170 Pin,Вт 25 Gain,dB 8 Vcc,В 38 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2729-170 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 170 Pin,Вт 25 Gain,dB 8 Vcc,В 38 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2729-300P Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 300 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 2729-300P Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 300 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 2731-100M Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 100 Pin,Вт 16 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2731-100M Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 100 Pin,Вт 16 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2731-20 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 20 Pin,Вт 3 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55CR Бренд Microsemi 2731-20 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 20 Pin,Вт 3 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55CR Бренд Microsemi 2731-200P Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 200 Pin,Вт 35 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 2731-200P Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 200 Pin,Вт 35 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 2931-150 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 150 Pin,Вт 21 Gain,dB 8 Vcc,В 38 Ти,мкс 50 DC,% 4 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2931-150 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 150 Pin,Вт 21 Gain,dB 8 Vcc,В 38 Ти,мкс 50 DC,% 4 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2A5 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55ET-2 Бренд Microsemi 2A5 Подробнее Описание 1,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2000 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55ET-2 Бренд Microsemi 2A8 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55EU-2 Бренд Microsemi 2A8 Подробнее Описание 2,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2000 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55EU-2 Бренд Microsemi 2N2857 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 1600 GNF, дБ 13 Vcc,В 10 Ic, мА 12 NF, дБ 5 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 2N3866 Подробнее F, МГц 400 Vcc, В 28 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N3866A Подробнее F, МГц 400 Vcc, В 28 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N4427 Подробнее F, МГц 175 Vcc, В 12 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N4427 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 4 Rtjc, (°C/Вт) 175 Корпус TO-39 Бренд Microsemi 2N5031 Подробнее F, МГц 400 Ft, МГц 1200 GNF, дБ 12 Vcc,В 6 Ic, мА 1 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 2N5109 Подробнее F, МГц 200 Ft, МГц 1200 GNF, дБ 12 Vcc,В 15 Ic, мА 50 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N5179 Подробнее F, МГц 100 Ft, МГц 1500 GNF, дБ 20 Vcc,В 6 Ic, мА 5 NF, дБ 4 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 2N6255 Подробнее F, МГц 175 Vcc, В 12 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 7 Тип корпуса TO-39 2N6255 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 8 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 15 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус TO-39 2N6304 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 1400 GNF, дБ 14 Vcc,В 10 Ic, мА 14 NF, дБ 5 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 3001 Подробнее Описание 3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 3000 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 8 КПД, % 30 Vcc, В 28 Cob, пФ 4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-1 3003 Подробнее Описание 3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 3000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 6 КПД, % 30 Vcc, В 28 Cob, пФ 7 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 17 Корпус 55BT-1 3005 Подробнее Описание 3,0 GHz Class C, Общая база F,МГц 3000 Pout,Вт 5 Pin,Вт 1 Gain,дБ 5 Vcc,В 28 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 3005 Подробнее Описание 3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 3000 Pout min, Вт 5 Pinmax, Вт 1 Gain min, дБ 5 КПД, % 30 Vcc, В 28 КСВН 9:1 Rtjc, (°C/Вт) 7 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 3134-100M Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 100 Pin,Вт 16 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 3134-100M Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 100 Pin,Вт 16 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 3134-180P Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 180 Pin,Вт 28 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 3134-180P Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 180 Pin,Вт 28 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 3134-200P Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 200 Pin,Вт 32 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 3134-200P Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 200 Pin,Вт 32 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 3134-65M Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 65 Pin,Вт 11 Gain,dB 8 Vcc,В 34 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 3134-65M Подробнее Описание S-диапазон 3100-3400 MHz, Class C,схема с общ. Баз Pout,Вт 65 Pin,Вт 11 Gain,dB 8 Vcc,В 34 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 80143 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Vcc, В 15 Cob, пФ 3,4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 30 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 80143 Подробнее Описание 2,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т Pout,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 15 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi ARF1500 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 750 fo,МГц 40 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус T1 COO A-E Бренд Microsemi ARF1501 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 750 fo,МГц 40 VDD,В 250 Vdss,В 1200 Корпус T1 COO A-E Бренд Microsemi ARF1505 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 750 fo,МГц 30 VDD,В 300 Vdss,В 1200 Корпус T1 COO A-E Бренд Microsemi ARF1510 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 750 fo,МГц 40 VDD,В 400 Vdss,В 1000 Корпус T1 COO D Бренд Microsemi ARF1511 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 750 fo,МГц 40 VDD,В 380 Vdss,В 500 Корпус T1 COO D Бренд Microsemi ARF1519 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 750 fo,МГц 25 VDD,В 250 Vdss,В 1000 Корпус T2 COO A-E Бренд Microsemi ARF300 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 45 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус T-11 COO C-E Бренд Microsemi ARF301 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 45 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус T-11 COO C-E Бренд Microsemi ARF446G Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 115 fo,МГц 65 VDD,В 250 Vdss,В 1000 Корпус TO-247CS COO C-E Бренд Microsemi ARF447G Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 115 fo,МГц 65 VDD,В 250 Vdss,В 1000 Корпус TO-247CS COO C-E Бренд Microsemi ARF448AG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 115 fo,МГц 65 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус TO-247CS COO C-E Бренд Microsemi ARF448BG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 115 fo,МГц 65 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус TO-247CS COO C-E Бренд Microsemi ARF449AG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 85 fo,МГц 100 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус TO-247CS COO C-E Бренд Microsemi ARF449BG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 85 fo,МГц 100 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус TO-247CS COO C-E Бренд Microsemi ARF460AG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 125 fo,МГц 65 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус TO-247CS COO A-E Бренд Microsemi ARF460BG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 125 fo,МГц 65 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус TO-247CS COO A-E Бренд Microsemi ARF463AG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 100 fo,МГц 100 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус TO-247CS COO A-E Бренд Microsemi ARF463AP1G Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 100 fo,МГц 100 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус TO-247CS COO A-E Бренд Microsemi ARF463BG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 100 fo,МГц 100 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус TO-247CS COO A-E Бренд Microsemi ARF463BP1G Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 100 fo,МГц 100 VDD,В 125 Vdss,В 500 Корпус TO-247CS COO A-E Бренд Microsemi ARF465AG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 125 fo,МГц 65 VDD,В 300 Vdss,В 1200 Корпус TO-247CS COO A-E Бренд Microsemi ARF465BG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 125 fo,МГц 65 VDD,В 300 Vdss,В 1200 Корпус TO-247CS COO A-E Бренд Microsemi ARF466AG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 45 VDD,В 250 Vdss,В 1000 Корпус TO-264 COO A-E Бренд Microsemi ARF466BG Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 45 VDD,В 250 Vdss,В 1000 Корпус TO-264 COO A-E Бренд Microsemi ARF466FL Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 45 VDD,В 200 Vdss,В 1000 Корпус T2 COO A-E Бренд Microsemi ARF467FL Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 45 VDD,В 200 Vdss,В 1000 Корпус T2 COO A-E Бренд Microsemi ARF473 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 150 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус M208 COO A-E Бренд Microsemi ARF475FL Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 130 VDD,В 160 Vdss,В 500 Корпус T3A COO A-E Бренд Microsemi ARF476FL Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 300 fo,МГц 150 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус T3C COO A-E Бренд Microsemi ARF477FL Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 400 fo,МГц 65 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус T3C COO A-E Бренд Microsemi ARF520 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 150 fo,МГц 100 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус M174 COO A-E Бренд Microsemi ARF521 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 150 fo,МГц 150 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус M174 COO A-E Бренд Microsemi BFR90 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 18 Vcc,В 5 Ic, мА 14 NF, дБ 2 Тип корпуса Macro T BFR91 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 16 Vcc,В 5 Ic, мА 30 NF, дБ 1 Тип корпуса Macro T BFR92ALTI Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 4500 Vcc,В 1 Ic, мА 3 NF, дБ 3 Тип корпуса SOT-23 BFR96 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 14 Vcc,В 10 Ic, мА 50 NF, дБ 2 Тип корпуса Macro T BFY90 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 1300 GNF, дБ 20 Vcc,В 5 Ic, мА 25 NF, дБ 2 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi BYI-1 Подробнее Сопротивление, Ом 1,0 Корпус 55FV Бренд Microsemi BYI-1F Подробнее Сопротивление, Ом 1,0 Корпус 55GV Бренд Microsemi BYI-1T Подробнее Сопротивление, Ом 1,0 Корпус 55LU Бренд Microsemi BYI-1Z Подробнее Сопротивление, Ом 1,0 Корпус 55FU Бренд Microsemi C1-28 Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 28 Cob,пФ 3,5 Корпус 55FU-2 Бренд Microsemi DME150 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус 55AY-1 Бренд Microsemi DME375A Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 375 Pin max, Вт 85 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi DME500 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 125 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi DME800 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 800 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 9 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 5:1 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi DRF100 Подробнее Описание ИС драйвера СВЧ-транзистора Pout,Вт 50 fo,МГц 30 VDD,В 25 Vdss,В 1 Корпус D-E Бренд Microsemi DRF1200 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 560 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Rjc,(°C/Вт) 1 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1201 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 2000 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1202 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 2000 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 500 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1203 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 650 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1300 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 1500 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 500 Корпус T4 COO D-E Бренд Microsemi DRF1301 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 1500 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T4 COO D-E Бренд Microsemi DRF200G Подробнее Описание ИС драйвера СВЧ-транзистора Pout,Вт 50 fo,МГц 30 VDD,В 25 Vdss,В 1 Корпус D-E Бренд Microsemi IA5 Подробнее Описание 500-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55ET-2 ITC1000 Подробнее Описание Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1000 Pin max, Вт 158 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 1 DC, % 1 КСВН 4:1 Корпус 55SW-1 Бренд Microsemi ITC1100 Подробнее Описание Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1000 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 50 Tи, мкс 1 DC, % 1 КСВН 4:1 Корпус 55SW-1 Бренд Microsemi JTDA150A Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 145 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 45 Tи, мкс 7 DC, % 22 КСВН 3:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi JTDA50 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 50 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 22 КСВН 10:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi JTDB25 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 25 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 40 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi JTDB75 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 15 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 40 КСВН 3:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi MDS1100 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1100 Pin max, Вт 115 Gain min, дБ 9 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 128 DC, % 2 КСВН 4:1 Корпус 55TU-1 Бренд Microsemi MDS140L Подробнее Описание MODE S-EML, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pin max, Вт 15 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi MDS400 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 90 Gain min, дБ 6 Vcc, В 45 КПД, % 35 Tи, мкс 32 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi MDS500L Подробнее Описание MODE S-EML, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 55 Tи, мкс 2400 DC, % 6 КСВН 3:1 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi MDS60L Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 6 Vcc, В 10 КПД, % 50 Tи, мкс 2400 DC, % 6 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi MDS70 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 70 Pin max, Вт 6 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 Tи, мкс 128 DC, % 2 Корпус 55CX-1 Бренд Microsemi MDS800 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 800 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 9 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 128 DC, % 2 КСВН 4:1 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi MMBR5179LT1 Подробнее F, МГц 200 Ft, МГц 1400 Vcc,В 6 Ic, мА 1 NF, дБ 4 Тип корпуса SOT-23 Бренд Microsemi MMBR911LT1 Подробнее F, МГц 1000 Ft, МГц 6000 GNF, дБ 11 Vcc,В 10 Ic, мА 10 NF, дБ 2 Тип корпуса SOT-23 Бренд Microsemi MPA201 Подробнее Описание 10-500 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1-500 Gain min, дБ 12 Vcc, В 12 Cob, пФ - КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55AZ-2 Бренд Microsemi MPA201 Подробнее Описание 10-500 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 500 Gain,дБ 12 Vcc,В 12 Корпус 55AU-2 Бренд Microsemi MRF3866 Подробнее F, МГц 400 Vcc, В 28 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Тип корпуса SO-8 MRF4427 Подробнее F, МГц 200 Ft, МГц 1300 GNF, дБ 18 Vcc,В 12 Ic, мА 50 Тип корпуса SO-8 Бренд Microsemi MRF517 Подробнее F, МГц 300 Ft, МГц 3000 GNF, дБ 10 Vcc,В 15 Ic, мА 60 NF, дБ 2 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi MRF544 Подробнее F, МГц 250 Ft, МГц 1500 GNF, дБ 13 Vcc,В 25 Ic, мА 50 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi MRF545 Подробнее F, МГц 250 Ft, МГц 1400 GNF, дБ 13 Vcc,В 25 Ic, мА 50 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi MRF553 Подробнее F, МГц 175 Vcc, В 12 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 11 Тип корпуса Pwr Macro Бренд Microsemi MRF553 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 12 КПД, % 55 Vcc, В 12 Ic, мА 12 Rtjc, (°C/Вт) 25 Корпус Pwr Macro Бренд Microsemi MRF555 Подробнее F, МГц 470 Vcc, В 12 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 11 Тип корпуса Pwr Macro Бренд Microsemi MRF555 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 11 КПД, % 60 Vcc, В 12 Ic, мА 5 Rtjc, (°C/Вт) 25 Корпус Pwr Macro Бренд Microsemi MRF557 Подробнее F, МГц 870 Vcc, В 12 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 8 Тип корпуса Pwr Бренд Microsemi MRF557 Подробнее Описание УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 8 КПД, % 60 Vcc, В 12 Ic, мА 6 Rtjc, (°C/Вт) 25 Корпус Pwr Macro Бренд Microsemi MRF559 Подробнее Описание УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения Gain,дБ 8 Vcc,В 12 Cob,пФ 3 fO,МГц 870 Корпус MACRO-X Бренд Microsemi MRF559 Подробнее Описание УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени Gain min, дБ 8 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 3 Rtjc, (°C/Вт) 50 Корпус Macro-X Бренд Microsemi MRF559G Подробнее Описание УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения Cob,пФ - Корпус MACRO-X Бренд Microsemi MRF559GT Подробнее Описание УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения Cob,пФ - Корпус MACRO-X MRF559T Подробнее Описание УВЧ 836-960 MHz,Class C, Общего назначения Cob,пФ - Корпус MACRO-X MRF581 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 15 Vcc,В 12 Ic, мА 50 NF, дБ 2 Тип корпуса Macro X Бренд Microsemi MRF5812 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 15 Vcc,В 12 Ic, мА 50 NF, дБ 2 Тип корпуса SO-8 Бренд Microsemi MRF581A Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 5000 GNF, дБ 15 Vcc,В 12 Ic, мА 50 NF, дБ 2 Тип корпуса Macro X MRF586 Подробнее F, МГц 300 Ft, МГц 3000 GNF, дБ 12 Vcc,В 15 Ic, мА 40 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi MRF5943 Подробнее F, МГц 300 Ft, МГц 1000 GNF, дБ 15 Vcc,В 15 Ic, мА 35 NF, дБ 5 Тип корпуса TO-39, SO-8 Бренд Microsemi MRF607 Подробнее F, МГц 175 Vcc, В 12 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 11 Тип корпуса TO-39 MRF607 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 12 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 15 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус TO-39 MRF837 Подробнее F, МГц 870 Vcc, В 12 Gain min, дБ 8 Тип корпуса SO-8, Pwr Бренд Microsemi MRF837 Подробнее Описание УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени Gain min, дБ 8 КПД, % 60 Vcc, В 12 Ic, мА 3 Rtjc, (°C/Вт) 45 Корпус SO-8 Бренд Microsemi MRF904 Подробнее F, МГц 1000 Ft, МГц 4000 GNF, дБ 7 Vcc,В 10 Ic, мА 15 NF, дБ 1 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi MRF914 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 4500 GNF, дБ 15 Vcc,В 10 Ic, мА 15 NF, дБ 2 Тип корпуса TO-72 MS1001 Подробнее Описание ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер Pout,Вт 75 Pin,Вт 3 Gain,дБ 14 Vcc,В 28 Cob,пФ 350 Корпус M174 Бренд Microsemi MS1001 Подробнее Описание ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 14 КПД, % 60 Vcc, В 12 Ic, мА 350 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M174 Бренд Microsemi MS1003 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 100 Pin,Вт 25 Gain,дБ 6 Vcc,В 12 Cob,пФ 390 Корпус M111 Бренд Microsemi MS1003 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 100 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 6 Vcc, В 12 Ic, мА 390 КСВН 10:1 Корпус M111 Бренд Microsemi MS1004 Подробнее Описание ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер Pout,Вт 250 Pin,Вт 10 Gain,дБ 14 Vcc,В 50 Cob,пФ - ICQ,А 150 Корпус M177 Бренд Microsemi MS1004 Подробнее Описание ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ Pout min, Вт 250 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 14 КПД, % 50 Vcc, В 50 Ic, мА 150 КСВН 20:1 Корпус M177 Бренд Microsemi MS1007 Подробнее Описание ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер Pout,Вт 150 Pin,Вт 6 Gain,дБ 14 Vcc,В 50 Cob,пФ - ICQ,А 100 Корпус M174 Бренд Microsemi MS1007f Подробнее Описание ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 6 Gain min, дБ 14 КПД, % 50 Vcc, В 50 Ic, мА 100 КСВН 20:1 Корпус M174 MS1008 Подробнее Описание ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер Pout,Вт 150 Pin,Вт 6 Gain,дБ 14 Vcc,В 50 Cob,пФ - ICQ,А 100 Корпус M164 Бренд Microsemi MS1008 Подробнее Описание ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 6 Gain min, дБ 14 КПД, % 50 Vcc, В 50 Ic, мА 100 КСВН 20:1 Корпус M164 Бренд Microsemi MS1011 Подробнее Описание ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ Pout min, Вт 250 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 14 КПД, % 50 Vcc, В 50 Ic, мА 150 КСВН 20:1 Корпус M177 MS1051 Подробнее Описание ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер Pout,Вт 100 Pin,Вт 7 Gain,дБ 11 Vcc,В 12 Cob,пФ - ICQ,А 150 Корпус M174 Бренд Microsemi MS1051 Подробнее Описание ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ Pout min, Вт 100 Pin max, Вт 7 Gain min, дБ 11 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 150 КСВН 20:1 Корпус M174 Бренд Microsemi MS1076 Подробнее Описание ВЧ 2-30 MHz, Class AB, Обший эмиттер Pout,Вт 220 Pin,Вт 13 Gain,дБ 12 Vcc,В 28 Cob,пФ - ICQ,А 750 Корпус M174 Бренд Microsemi MS1076 Подробнее Описание ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ Pout min, Вт 220 Pin max, Вт 13 Gain min, дБ 12 КПД, % 50 Vcc, В 28 Ic, мА 750 КСВН 20:1 Корпус M174 Бренд Microsemi MS1078 Подробнее Описание ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ Pout min, Вт 130 Pin max, Вт 8 Gain min, дБ 12 КПД, % 50 Vcc, В 28 Ic, мА 150 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M174 MS1079 Подробнее Описание ВЧ, 2-30 МГц, Класс AB, схема с ОЭ Pout min, Вт 220 Pin max, Вт 11 Gain min, дБ 13 КПД, % 50 Vcc, В 50 Ic, мА 150 КСВН 20:1 Корпус M174 MS1204 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 100 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 6 КПД, % 50 Vcc, В 28 Ic, мА 150 Корпус M174 MS1226 Подробнее Описание ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер Pout,Вт 30 Gain,дБ 18 Vcc,В 28 Корпус M113 Бренд Microsemi MS1226 Подробнее Описание ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 30 Gain min, дБ 18 КПД, % 60 Vcc, В 28 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M113 Бренд Microsemi MS1227 Подробнее Описание ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер Pout,Вт 20 Gain,дБ 15 Vcc,В 12 Cob,пФ 100 Корпус M113 Бренд Microsemi MS1227 Подробнее Описание ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 20 Gain min, дБ 15 КПД, % 60 Vcc, В 12 Ic, мА 100 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M113 Бренд Microsemi MS1261 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 15 Pin,Вт 1 Gain,дБ 12 Vcc,В 12 Cob,пФ 45 Корпус M122 Бренд Microsemi MS1261 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 12 КПД, % 60 Vcc, В 12 Ic, мА 45 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус M122 Бренд Microsemi MS1263 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 2 Gain min, дБ 7 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 50 Rtjc, (°C/Вт) 4 Корпус M142 MS1277 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 225 Pout min, Вт 14 Gain min, дБ 14 Vcc, В 28 Ic, мА 2 IMD, дБ -55 КСВН 1 Rtjc, (°C/Вт) M111 MS1278 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 225 Pout min, Вт 100 Gain min, дБ 11 Vcc, В 28 IMD, дБ -50 КСВН 1 Rtjc, (°C/Вт) M168 MS1279 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 225 Pout min, Вт 20 Gain min, дБ 8 Vcc, В 25 Ic, мА 2 IMD, дБ -50 КСВН 1 Rtjc, (°C/Вт) M130 MS1280 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 225 Pout min, Вт 20 Gain min, дБ 7 Vcc, В 28 Ic, мА 3 IMD, дБ -50 КСВН 1 Rtjc, (°C/Вт) M164 MS1281 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 18 Gain min, дБ 9 КПД, % 70 Vcc, В 28 Ic, мА 150 КСВН 20:1 Корпус M174 MS1329 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 60 Pin,Вт 12 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 80 Корпус M135 Бренд Microsemi MS1329 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 60 Pin max, Вт 12 Gain min, дБ 7 КПД, % 55 Vcc, В 28 Ic, мА 80 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M135 Бренд Microsemi MS1336 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 30 Pin,Вт 3 Gain,дБ 10 Vcc,В 12 Cob,пФ 120 Корпус M135 Бренд Microsemi MS1336 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 30 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 12 Ic, мА 120 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M135 Бренд Microsemi MS1337 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 30 Pin,Вт 3 Gain,дБ 10 Vcc,В 12 Cob,пФ 120 Корпус M113 Бренд Microsemi MS1337 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 30 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 12 Ic, мА 120 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M113 Бренд Microsemi MS1401 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 11 КПД, % 50 Vcc, В 7 Ic, мА 19 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 11 Корпус M123 MS1402 Подробнее Описание УВЧ 470 MHz, Class C, Общего назначения Pout,Вт 2 Gain,дБ 10 Vcc,В 12 Cob,пФ 10 Корпус M122 Бренд Microsemi MS1402 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 10 Vcc, В 12 Ic, мА 10 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус M122 Бренд Microsemi MS1403 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 12 КПД, % 50 Vcc, В 7 Ic, мА 6 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус M123 MS1404 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 5 Gain min, дБ 8 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 19 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 11 Корпус M122 MS1406 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 20 Pin,Вт 3 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 35 Корпус M135 Бренд Microsemi MS1406 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 20 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 8 КПД, % 60 Vcc, В 28 Ic, мА 35 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 5 Корпус M135 Бренд Microsemi MS1408 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 20 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 8 КПД, % 55 Vcc, В 28 Ic, мА 35 Rtjc, (°C/Вт) 5 Корпус M113 MS1426 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 10 Pin max, Вт 2 Gain min, дБ 7 Vcc, В 12 Ic, мА 26 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 3 Корпус M122 MS1453 Подробнее Описание УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 960 Pout min, Вт 30 Gain min, дБ 7 Vcc, В 24 КСВН 3 Rtjc, (°C/Вт) M142 MS1454 Подробнее Описание УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 30 Gain min, дБ 7 Vcc, В 24 КПД, % 50 IMD, дБ -60 КСВН 2 Rtjc, (°C/Вт) M142 MS1455 Подробнее Описание УВЧ, 836-960 МГц, Класс C, универсальное применени Pout min, Вт 45 Pin max, Вт 15 Gain min, дБ 4 Vcc, В 12 Ic, мА 100 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M142 MS1501 Подробнее Описание УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 8 Vcc, В 25 IMD, дБ -60 КСВН 11 Rtjc, (°C/Вт) M122 MS1502 Подробнее Описание УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 860 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 IMD, дБ -60 КСВН 5 Rtjc, (°C/Вт) M122 MS1503 Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 100 Pin max, Вт 20 Gain min, дБ 7 КПД, % 60 Vcc, В 28 Ic, мА 100 Корпус M111 MS1504 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 30 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 КПД, % 55 Vcc, В 13 Ic, мА 95 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M135 MS1505 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 30 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 КПД, % 55 Vcc, В 13 Ic, мА 95 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M113 MS1506 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 40 Pin,Вт 5 Gain,дБ 9 Vcc,В 13 Cob,пФ 95 Корпус M135 Бренд Microsemi MS1506 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 40 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 9 КПД, % 55 Vcc, В 13 Ic, мА 95 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M135 Бренд Microsemi MS1507 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 40 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 9 Vcc, В 13 Ic, мА 95 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M113 MS1509 Подробнее Описание УВЧ 100-500 MHz, Class C, Общий эмиттер Pout,Вт 100 Pin,Вт 28 Gain,дБ 5 Vcc,В 28 Cob,пФ 100 Корпус M168 Бренд Microsemi MS1509 Подробнее Описание УВЧ, 100-500 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 100 Pin max, Вт 28 Gain min, дБ 5 КПД, % 55 Vcc, В 28 Ic, мА 100 КСВН 5:1 Корпус M168 Бренд Microsemi MS1511 Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 70 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 8 КПД, % 50 Vcc, В 28 Ic, мА 65 КСВН 20:1 Корпус M111 MS1512 Подробнее Описание УВЧ 860-960 MHz, Class A/AB, Общий эмиттер Pout,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 20 IMD Type,дБ -60 Корпус M122 Бренд Microsemi MS1512 Подробнее Описание УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Vcc, В 20 IMD, дБ -60 КСВН 9 Rtjc, (°C/Вт) M122 Бренд Microsemi MS1533 Подробнее Описание УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 150 Gain min, дБ 6 Vcc, В 28 Ic, мА 2 КПД, % 45 Rtjc, (°C/Вт) M175 MS1579 Подробнее Описание УВЧ 860-960 MHz, Class A/AB, Общий эмиттер Pout,Вт 14 Gain,дБ 8 Vcc,В 25 ICQ,А 1 IMD Type,дБ -45 Корпус M156 Бренд Microsemi MS1579 Подробнее Описание УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 14 Gain min, дБ 8 Vcc, В 25 Ic, мА 1 IMD, дБ -45 КСВН 2 Rtjc, (°C/Вт) M156 Бренд Microsemi MS1581 Подробнее Описание УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 7 Vcc, В 25 IMD, дБ -60 КСВН 5 Rtjc, (°C/Вт) M122 MS1582 Подробнее Описание УВЧ 860-960 MHz, Class A/AB, Общий эмиттер Pout,Вт 25 Gain,дБ 9 Vcc,В 25 ICQ,А 3 IMD Type,дБ -45 Корпус M173 Бренд Microsemi MS1582 Подробнее Описание УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 25 Gain min, дБ 9 Vcc, В 25 Ic, мА 3 IMD, дБ -45 КСВН 1 Rtjc, (°C/Вт) M173 Бренд Microsemi MS1642P Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 10 Gain min, дБ 12 КПД, % 50 Vcc, В 28 Ic, мА 12 Rtjc, (°C/Вт) 6 Корпус M123 MS1649 Подробнее F, МГц 470 Vcc, В 12 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 10 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi MS1649 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 9 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 12 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус TO-39 Бренд Microsemi MS2003 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 7 КПД, % 35 Vcc, В 28 Cob, пФ 9 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус M210 MS2200 Подробнее Описание УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером Pout,Вт 500 Pin,Вт 54 Gain,dB 10 Vcc,В 40 Ти,мкс 250 DC,% 10 Корпус MS102 Бренд Microsemi MS2200 Подробнее Описание УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером Pout,Вт 500 Pin,Вт 54 Gain,dB 10 Vcc,В 40 Ти,мкс 250 DC,% 10 Корпус MS102 Бренд Microsemi MS2201 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 9 Vcc, В 28 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 Rtjc, (°C/Вт) 10 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2202 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 9 Vcc, В 35 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 10 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2203 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ Gain min, дБ 10 Vcc, В 18 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2204 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ Gain min, дБ 10 Vcc, В 18 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 25 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2205 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 9 Vcc, В 28 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 5 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2206 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 10 Vcc, В 28 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2207 Подробнее Описание TCAS 1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 63 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 15:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MS2209 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 90 Pin max, Вт 13 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 10 DC, % 10 Корпус M218 Бренд Microsemi MS2210 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 300 Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 10 DC, % 10 КСВН 15:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MS2211 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 6 Gain min, дБ 9 Vcc, В 28 КПД, % 45 Tи, мкс 6 DC, % 21 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 7 Корпус M22 Бренд Microsemi MS2212 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 2 Gain min, дБ 8 Vcc, В 28 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 21 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 3 Корпус M22 Бренд Microsemi MS2213 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 30 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 7 Vcc, В 35 КПД, % 40 Tи, мкс 6 DC, % 21 КСВН 15:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M214 Бренд Microsemi MS2214 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 85 Pin max, Вт 15 Gain min, дБ 7 Vcc, В 35 КПД, % 40 Tи, мкс 6 DC, % 21 КСВН 5:1 Корпус M218 Бренд Microsemi MS2215 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 26 Gain min, дБ 7 Vcc, В 35 КПД, % 45 Tи, мкс 7 DC, % 21 Корпус M216 Бренд Microsemi MS2267 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 250 Pin max, Вт 40 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 20 DC, % 5 Корпус M214 Бренд Microsemi MS2272 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 350 Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 10 DC, % 10 КСВН 15:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MS2290 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ Gain min, дБ 10 Vcc, В 18 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 25 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2321 Подробнее Описание DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 30 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M105 Бренд Microsemi MS2341 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 35 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 30 Tи, мкс 10 DC, % 1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2361 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 13 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 Tи, мкс 10 DC, % 1 Корпус M115 Бренд Microsemi MS2393 Подробнее Описание Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Класс С, сх Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус M138 Бренд Microsemi MS2421 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 300 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус M103 Бренд Microsemi MS2441 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 90 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус M112 Бренд Microsemi MS2472 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 550 Pin max, Вт 150 Gain min, дБ 5 Vcc, В 50 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус M112 Бренд Microsemi MS2473 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 600 Pin max, Вт 150 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус M112 Бренд Microsemi MS2553 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 35 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 43 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2553C Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 35 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 Tи, мкс 10 DC, % 1 Корпус M220 Бренд Microsemi MS2554 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 250 Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус M218 Бренд Microsemi MS2575 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 35 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 48 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M115 Бренд Microsemi MS3011 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 7 Vcc, В 18 Cob, пФ 5 КСВН 15:1 Rtjc, (°C/Вт) 17 Корпус M210 MS3022 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 1 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 3 Корпус M210 Бренд Microsemi MS3023 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 3 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 9 Корпус M210 Бренд Microsemi MS3024 Подробнее Описание 2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ F, МГц 2000 Pout min, Вт 5 Pinmax, Вт 1 Gain min, дБ 7 КПД, % 40 Vcc, В 28 Cob, пФ 10 Rtjc, (°C/Вт) 6 Корпус M210 MS652S Подробнее Описание УВЧ 470 MHz, Class C, Общего назначения Pout,Вт 5 Gain,дБ 10 Vcc,В 12 Cob,пФ 15 Корпус M123 Бренд Microsemi MS652S Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 5 Gain min, дБ 10 КПД, % 60 Vcc, В 12 Ic, мА 15 Rtjc, (°C/Вт) 11 Корпус M123 Бренд Microsemi MSC1015MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 Корпус M115 Бренд Microsemi MSC1075MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 13 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M115 Бренд Microsemi MSC1175M Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 175 Pin max, Вт 30 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус M218 Бренд Microsemi MSC1350M Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 350 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус M218 Бренд Microsemi MSC1400M Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 90 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 25:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MSC1450M Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 450 Pin max, Вт 90 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 25:1 Корпус M216 Бренд Microsemi MSC80064 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 9 Vcc, В 18 Cob, пФ 2,5 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 45 Корпус M210 S200-50 Подробнее Описание ВЧ 2-50 MHz, Class C, Общий эмиттер Pout,Вт 200 Pin,Вт 12 Gain,дБ 12 Vcc,В 50 Cob,пФ 300 Корпус 55HX-2 Бренд Microsemi S200-50 Подробнее Описание ВЧ, 2-50 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 200 Pin max, Вт 12 Gain min, дБ 12 КПД, % 60 Vcc, В 50 Ic, мА 300 КСВН 30:1 Корпус 55HX-2 Бренд Microsemi SD1013 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 10 Pin,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 28 Cob,пФ 15 Корпус M135 Бренд Microsemi SD1013 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 10 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 10 КПД, % 55 Vcc, В 28 Ic, мА 15 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 13 Корпус M135 Бренд Microsemi SD1013-03 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 10 Pin,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 28 Cob,пФ 15 Корпус M113 Бренд Microsemi SD1013-03 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 10 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 10 КПД, % 55 Vcc, В 28 Ic, мА 15 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 13 Корпус M113 Бренд Microsemi SD1014-06 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 6 КПД, % 60 Vcc, В 12 Ic, мА 10 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 5 Корпус M113 SD1015 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 30 Pin,Вт 3 Gain,дБ 10 Vcc,В 28 Cob,пФ 250 Корпус M135 Бренд Microsemi SD1015 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 30 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 28 Ic, мА 250 Rtjc, (°C/Вт) 4 Корпус M135 Бренд Microsemi SD1018 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 40 Pin,Вт 14 Gain,дБ 4 Vcc,В 12 Корпус M135 Бренд Microsemi SD1018 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 40 Pin max, Вт 14 Gain min, дБ 4 КПД, % 70 Vcc, В 12 Ic, мА 200 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M135 Бренд Microsemi SD1018-06 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 40 Pin,Вт 14 Gain,дБ 4 Vcc,В 12 Cob,пФ 200 Корпус M113 Бренд Microsemi SD1018-06 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 40 Pin max, Вт 14 Gain min, дБ 4 КПД, % 70 Vcc, В 12 Ic, мА 200 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M113 Бренд Microsemi SD1019 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 30 Pin,Вт 10 Gain,дБ 5 Vcc,В 13 Cob,пФ 150 Корпус M130 Бренд Microsemi SD1019 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 30 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 5 КПД, % 55 Vcc, В 13 Ic, мА 150 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M174, M130 Бренд Microsemi SD1019-05 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 100 Pin,Вт 25 Gain,дБ 6 Vcc,В 28 Cob,пФ 150 Корпус M174 Бренд Microsemi SD1127 Подробнее F, МГц 175 Vcc, В 12 Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 12 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi SD1127 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 12 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 20 Rtjc, (°C/Вт) 22 Корпус TO-39 Бренд Microsemi SD1143 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 10 Gain min, дБ 10 Vcc, В 12 Ic, мА 45 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус M135 SD1143-01 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 10 Gain min, дБ 10 Vcc, В 12 Ic, мА 45 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус M113 SD1146 Подробнее Описание УВЧ 470 MHz, Class C, Общего назначения Pout,Вт 10 Pin,Вт 2 Gain,дБ 6 Vcc,В 12 Cob,пФ 30 Корпус M122 Бренд Microsemi SD1146 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 10 Pin max, Вт 2 Gain min, дБ 6 Vcc, В 12 Ic, мА 30 Rtjc, (°C/Вт) 4 Корпус M122 Бренд Microsemi SD1224 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 40 Pin,Вт 7 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 65 Корпус M135 Бренд Microsemi SD1224 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 40 Pin max, Вт 7 Gain min, дБ 7 КПД, % 60 Vcc, В 28 Ic, мА 65 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M135 Бренд Microsemi SD1224-02 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 40 Pin,Вт 7 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 65 Корпус M113 Бренд Microsemi SD1420-01 Подробнее Описание УВЧ, 860-960 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 960 Gain min, дБ 9 Vcc, В 24 КСВН 20 Rtjc, (°C/Вт) M123 SD1422 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 25 Pin max, Вт 6 Gain min, дБ 6 Vcc, В 12 Ic, мА 70 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус M111 SD1429-03 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 2 Gain min, дБ 7 Vcc, В 12 Ic, мА 50 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 4 Корпус M111 SD1444 Подробнее F, МГц 470 Vcc, В 12 Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 8 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi SD1444 Подробнее Описание УВЧ, 470 МГц, Класс C, универсальное применение Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 8 КПД, % 50 Vcc, В 12 Ic, мА 15 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус TO-39 Бренд Microsemi SD1485 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 172-225 МГц, Класс A/AB, схема с ОЭ F, МГц 225 Pout min, Вт 200 Gain min, дБ 11 Vcc, В 32 Ic, мА 1 IMD, дБ -50 Rtjc, (°C/Вт) M175 SD1526-01 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 5 Gain min, дБ 9 Vcc, В 28 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 8 Корпус M115 Бренд Microsemi SD1536-03 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 90 Pin max, Вт 13 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус M115 Бренд Microsemi SD1536-08 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 90 Pin max, Вт 13 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус M105 Бренд Microsemi SRF4427 Подробнее F, МГц 175 Vcc, В 12 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 17 Тип корпуса SO-8 Бренд Microsemi SRF4427 Подробнее Описание ОВЧ 100-175 MHz, Class C, Общий Эмиттер Gain,дБ 17 Vcc,В 12 Cob,пФ 4 Корпус SO-8 Бренд Microsemi SRF4427 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Gain min, дБ 17 Vcc, В 12 Ic, мА 4 Rtjc, (°C/Вт) 125 Корпус SO-8 Бренд Microsemi TAN15 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 7 Vcc, В 40 КПД, % 40 Tи, мкс 20 DC, % 5 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55LT-1 Бренд Microsemi TAN150 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 30 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 38 Tи, мкс 20 DC, % 5 КСВН 10:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi TAN250A Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 250 Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 20 DC, % 5 КСВН 5:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi TAN300 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 300 Pin max, Вт 60 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 20 DC, % 5 КСВН 5:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi TAN350 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 350 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 10 КСВН 3:1 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi TAN500 Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 10 Tи, мкс 10 КСВН - Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi TAN75A Подробнее Описание TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 12 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 20 DC, % 5 КСВН 30:1 Корпус 55AZ-1 Бренд Microsemi TCS1200 Подробнее Описание TCAS 1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1200 Pin max, Вт 150 Gain min, дБ 9 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 4:1 Корпус 55TU-1 Бренд Microsemi TCS450 Подробнее Описание TCAS 1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 450 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 6 Vcc, В 45 КПД, % 35 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 10:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi TCS800 Подробнее Описание TCAS 1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 800 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 9 Vcc, В 45 КПД, % 45 Tи, мкс 32 DC, % 1 КСВН 4:1 Корпус 55SM-1 Бренд Microsemi TPR1000 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1000 Pin max, Вт 208 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 43 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 9:1 Корпус 55KV-1 Бренд Microsemi TPR175 Подробнее Описание Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Класс С, сх Pout min, Вт 175 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус 55CX-1 Бренд Microsemi TPR400 Подробнее Описание Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Класс С, сх Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 75 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус 55CT-1 Бренд Microsemi TPR500 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 150 Gain min, дБ 5 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55CT-1 Бренд Microsemi TPR500A Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 150 Gain min, дБ 5 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi TPR700 Подробнее Описание Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 700 Pin max, Вт 150 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi UMIL10 Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 10 Pin,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 28 Cob,пФ 11,5 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi UMIL10 Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 10 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 10 КПД, % 60 Vcc, В 28 Ic, мА 11 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 6 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi UMIL100 Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 100 Pin max, Вт 19 Gain min, дБ 7 КПД, % 55 Vcc, В 28 Ic, мА 120 КСВН 5:1 Корпус 55HV-2 UMIL100A Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 100 Pin,Вт 16 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 120 Корпус 55JU-2 Бренд Microsemi UMIL100A Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 100 Pin max, Вт 16 Gain min, дБ 8 КПД, % 55 Vcc, В 28 Ic, мА 120 КСВН 4,5:1 Корпус 55JU-2 Бренд Microsemi UMIL10P Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 10 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 10 КПД, % 50 Vcc, В 28 Ic, мА 11 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 6 Корпус 55FU-2 UMIL25 Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 25 Pin,Вт 3 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 22 Корпус 55HV-2 Бренд Microsemi UMIL25 Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 25 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 8 КПД, % 50 Vcc, В 28 Ic, мА 22 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус 55HV-2 Бренд Microsemi UMIL3 Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 3 Gain,дБ 11 Vcc,В 28 Cob,пФ 4,5 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi UMIL3 Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 11 КПД, % 60 Vcc, В 28 Ic, мА 4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 16 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi UMIL60 Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 60 Pin,Вт 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 70 Корпус 55HW-2 Бренд Microsemi UMIL60 Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 60 Pin max, Вт 8 Gain min, дБ 8 КПД, % 60 Vcc, В 28 Ic, мА 70 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55HW-2 Бренд Microsemi UMIL80 Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 80 Pin,Вт 10 Gain,дБ 9 Vcc,В 28 Cob,пФ 80 Корпус 55HU-2 Бренд Microsemi UMIL80 Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 80 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 9 КПД, % 60 Vcc, В 28 Ic, мА 80 КСВН 5:1 Корпус 55HV-2 Бренд Microsemi UTV005 Подробнее Описание УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 860 Gain,дБ 10 Vcc,В 20 IMD Type,дБ -60 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi UTV005 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 860 Gain min, дБ 10 Vcc, В 20 IMD, дБ -60 КСВН 22 Rtjc, (°C/Вт) 55FT-2 Бренд Microsemi UTV005P Подробнее Описание УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 860 Gain,дБ 10 Vcc,В 20 IMD Type,дБ -60 Корпус 55FU-2 Бренд Microsemi UTV010 Подробнее Описание УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 860 Pout,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 20 IMD Type,дБ -60 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi UTV010 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 10 Vcc, В 20 IMD, дБ -60 КСВН 12 Rtjc, (°C/Вт) 55FT-2 Бренд Microsemi UTV020 Подробнее Описание УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 860 Pout,Вт 2 Gain,дБ 10 Vcc,В 25 IMD Type,дБ -60 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi UTV020 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 10 Vcc, В 25 IMD, дБ -60 КСВН 10 Rtjc, (°C/Вт) 55FT-2 Бренд Microsemi UTV040 Подробнее Описание УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 860 Pout,Вт 4 Gain,дБ 8 Vcc,В 25 IMD Type,дБ -60 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi UTV040 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 8 Vcc, В 25 IMD, дБ -60 КСВН 7 Rtjc, (°C/Вт) 55FT-2 Бренд Microsemi UTV080 Подробнее Описание УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 860 Pout,Вт 8 Gain,дБ 9 Vcc,В 26 ICQ,А 1 IMD Type,дБ -58 Корпус 55JV-2 Бренд Microsemi UTV080 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 8 Gain min, дБ 9 Vcc, В 26 Ic, мА 1 IMD, дБ -58 КСВН 2 Rtjc, (°C/Вт) 55JV-2 Бренд Microsemi UTV120 Подробнее Описание УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 860 Pout,Вт 12 Gain,дБ 8 Vcc,В 26 ICQ,А 1 IMD Type,дБ -52 Корпус 55JT-2 Бренд Microsemi UTV120 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 12 Gain min, дБ 8 Vcc, В 26 Ic, мА 1 IMD, дБ -52 КСВН 1 Rtjc, (°C/Вт) 55JT-2 Бренд Microsemi UTV200 Подробнее Описание УВЧ TV 470-860 MHz, Class A, Общий эмиттер fO,МГц 860 Pout,Вт 20 Gain,дБ 8 Vcc,В 26 ICQ,А 2 IMD Type,дБ -48 Корпус 55JV-2 Бренд Microsemi UTV200 Подробнее Описание УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 20 Gain min, дБ 8 Vcc, В 26 Ic, мА 2 IMD, дБ -48 КСВН 1 Rtjc, (°C/Вт) 55JV-2 Бренд Microsemi UTV8100B Подробнее Описание УВЧ TV 470-860 MHz, Class AB, Общий эмиттер fO,МГц 860 Pout,Вт 100 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 IMD Type,дБ 55 Бренд Microsemi UTV8100B Подробнее Описание УВЧ ТВ, 470-860 МГц, Класс AB, схема с ОЭ F, МГц 860 Pout min, Вт 100 Gain min, дБ 8 Vcc, В 28 КПД, % 55 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 55RT-2 Бренд Microsemi VAM80 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 80 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 9 КПД, % 65 Vcc, В 27 Ic, мА 75 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус 55HT-2 VMIL100 Подробнее Описание УВЧ, 100-175 МГц, Класс C, схема с ОЭ (* пиковая м Pout min, Вт 100 Pin max, Вт 20 Gain min, дБ 7 КПД, % 60 Vcc, В 28 Ic, мА 220 КСВН 30:1 Корпус 55HV-2 VRF141 Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 150 Pin,Вт 15 Gain,дБ 10 VDD,В 28 Coss,пФ 420 Корпус M174 Бренд Microsemi VRF141 Подробнее Описание VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 7 Gain min, дБ 13 КПД, % 50 Vcc, В 28 Ic, мА 420 КСВН 30:1 Корпус M174 Бренд Microsemi VRF141G Подробнее Описание VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ Pout min, Вт 300 Pin max, Вт 7 Gain min, дБ 13 КПД, % 50 Vcc, В 28 Ic, мА 420 КСВН 30:1 Корпус M208 VRF148A Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 30 Pin,Вт 1 Gain,дБ 15 VDD,В 50 Coss,пФ 35 Корпус M113 Бренд Microsemi VRF148A Подробнее Описание VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ Pout min, Вт 30 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 15 КПД, % 50 Vcc, В 50 Ic, мА 35 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус M113 Бренд Microsemi VRF150 Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 150 Pin,Вт 15 Gain,дБ 10 VDD,В 50 Coss,пФ 240 Корпус M174 Бренд Microsemi VRF150 Подробнее Описание VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 15 Gain min, дБ 10 КПД, % 50 Vcc, В 50 Ic, мА 240 КСВН 30:1 Корпус M174 Бренд Microsemi VRF151 Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 150 Pin,Вт 6 Gain,дБ 14 VDD,В 50 Coss,пФ 220 Корпус M174 Бренд Microsemi VRF151 Подробнее Описание VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 6 Gain min, дБ 14 КПД, % 50 Vcc, В 50 Ic, мА 220 КСВН 30:1 Корпус M174 Бренд Microsemi VRF151E Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 150 Pin,Вт 6 Gain,дБ 14 VDD,В 50 Coss,пФ 220 Корпус M174 Бренд Microsemi VRF151G Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 300 Pin,Вт 6 Gain,дБ 14 VDD,В 50 Coss,пФ 200 Корпус M208 Бренд Microsemi VRF151G Подробнее Описание VDMOS, 2-175 МГц, Класс AB, схема с ОИ Pout min, Вт 300 Pin max, Вт 6 Gain min, дБ 14 КПД, % 50 Vcc, В 50 Ic, мА 220 КСВН 30:1 Корпус M208 Бренд Microsemi VRF152 Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 150 Pin,Вт 6 Gain,дБ 14 VDD,В 50 Coss,пФ 220 Корпус M174 Бренд Microsemi VRF152E Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 150 Pin,Вт 6 Gain,дБ 14 VDD,В 50 Coss,пФ 220 Корпус M174 Бренд Microsemi VRF154FL Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 600 Pin,Вт 16 Gain,дБ 17 VDD,В 50 Coss,пФ 950 Корпус T2 Бренд Microsemi VRF157FL Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 600 Pin,Вт 16 Gain,дБ 21 VDD,В 50 Coss,пФ 950 Корпус T2 Бренд Microsemi VRF2933 Подробнее Описание Рабочее напряжние 50В Pout,Вт 300 Pin,Вт 2 VDD,В 50 Корпус M177 Бренд Microsemi Z0-8F Подробнее Сопротивление, Ом 1,0 Корпус 55GU