Категории

Показывать по
12 24 48 Все
23A017 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 4,8 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 16 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A017 Подробнее Описание 6,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Pout,Вт 1 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A025 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 6 Vcc, В 20 Cob, пФ 6,5 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 11 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A025 Подробнее Описание 7,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Pout,Вт 2 Gain,дБ 6 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 2424-25 Подробнее Описание 2007-2400 MHz, Class C, Общая база F,МГц 2470 Pout,Вт 25 Pin,Вт 4 Gain,дБ 7 Vcc,В 24 Корпус 55AP-1 Бренд Microsemi 2729-125 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 125 Pin,Вт 15 Gain,dB 9 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2729-125 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 125 Pin,Вт 15 Gain,dB 9 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2729-170 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 170 Pin,Вт 25 Gain,dB 8 Vcc,В 38 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2729-170 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 170 Pin,Вт 25 Gain,dB 8 Vcc,В 38 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2729-300P Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 300 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 2729-300P Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 300 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 2731-100M Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 100 Pin,Вт 16 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2731-100M Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 100 Pin,Вт 16 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2731-20 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 20 Pin,Вт 3 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55CR Бренд Microsemi 2731-20 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 20 Pin,Вт 3 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 100 DC,% 10 Корпус 55CR Бренд Microsemi 2731-200P Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 200 Pin,Вт 35 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 2731-200P Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 200 Pin,Вт 35 Gain,dB 8 Vcc,В 36 Ти,мкс 200 DC,% 10 Корпус (none) Бренд Microsemi 2931-150 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 150 Pin,Вт 21 Gain,dB 8 Vcc,В 38 Ти,мкс 50 DC,% 4 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2931-150 Подробнее Описание S-диапазон 2700-3100 MHz Pout,Вт 150 Pin,Вт 21 Gain,dB 8 Vcc,В 38 Ти,мкс 50 DC,% 4 Корпус 55KS-1 Бренд Microsemi 2A5 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55ET-2 Бренд Microsemi 2A5 Подробнее Описание 1,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2000 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55ET-2 Бренд Microsemi 2A8 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55EU-2 Бренд Microsemi 2A8 Подробнее Описание 2,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2000 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55EU-2 Бренд Microsemi 2N2857 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 1600 GNF, дБ 13 Vcc,В 10 Ic, мА 12 NF, дБ 5 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi