Категории

Показывать по
12 24 48 Все
2005 Подробнее Описание 2,0 GHz, Class C, Общая база F,МГц 2000 Pout,Вт 5 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 7 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2301 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 1 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 4 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2302 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 2 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 4 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2304 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 4 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 7 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 2307 Подробнее Описание 2,3 GHz Class C, Общая база F,МГц 2300 Pout,Вт 7 Pin,Вт 1 Gain,дБ 8 Vcc,В 20 Cob,пФ 10 Корпус 55BT-1 Бренд Microsemi 23A003 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 10 Vcc, В 15 Cob, пФ 2,5 КСВН 9:1 Rtjc, (°C/Вт) 45 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A003 Подробнее Описание 3,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 10 Vcc,В 15 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A005 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 2,4 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A005 Подробнее Описание 4,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A008 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 3 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 35 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A008 Подробнее Описание 5,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A017 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 4,8 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 16 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi