Категории
MRF586
Подробнее
F, МГц
300
Ft, МГц
3000
GNF, дБ
12
Vcc,В
15
Ic, мА
40
Тип корпуса
TO-39
Бренд
Microsemi
MRF5943
Подробнее
F, МГц
300
Ft, МГц
1000
GNF, дБ
15
Vcc,В
15
Ic, мА
35
NF, дБ
5
Тип корпуса
TO-39, SO-8
Бренд
Microsemi
MRF904
Подробнее
F, МГц
1000
Ft, МГц
4000
GNF, дБ
7
Vcc,В
10
Ic, мА
15
NF, дБ
1
Тип корпуса
TO-72
Бренд
Microsemi
MRF914
Подробнее
F, МГц
500
Ft, МГц
4500
GNF, дБ
15
Vcc,В
10
Ic, мА
15
NF, дБ
2
Тип корпуса
TO-72
MS3011
Подробнее
Описание
1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д
F, МГц
2000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
7
Vcc, В
18
Cob, пФ
5
КСВН
15:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
M210
MS3022
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
1
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
3
Корпус
M210
Бренд
Microsemi
MS3023
Подробнее
Описание
2,0 GHz, Class C, Общая база
F,МГц
2000
Pout,Вт
3
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
9
Корпус
M210
Бренд
Microsemi
MSC80064
Подробнее
Описание
1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д
F, МГц
2000
Gain min, дБ
9
Vcc, В
18
Cob, пФ
2,5
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
45
Корпус
M210
Z0-8F
Подробнее
Сопротивление, Ом
1,0
Корпус
55GU