Категории

Показывать по
12 24 48 Все
23A017 Подробнее Описание 6,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Pout,Вт 1 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A025 Подробнее Описание 2,0-2,3 ГГц, Класс A, схема с ОЭ, (работа от 0 Гц F, МГц 2300 Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 6 Vcc, В 20 Cob, пФ 6,5 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 11 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 23A025 Подробнее Описание 7,0-2,3 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2300 Pout,Вт 2 Gain,дБ 6 Vcc,В 20 Корпус 55BT-2 Бренд Microsemi 2A5 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55ET-2 Бренд Microsemi 2A5 Подробнее Описание 1,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2000 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55ET-2 Бренд Microsemi 2A8 Подробнее Описание 1,0-2,0 ГГц, Класс A, схема с ОЭ (работа от 0 Гц д F, МГц 2000 Gain min, дБ 7 Vcc, В 20 Cob, пФ 2 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55EU-2 Бренд Microsemi 2A8 Подробнее Описание 2,0-2,0 GHz, Class A, Общий эмиттер - (работа на т fO,МГц 2000 Gain,дБ 7 Vcc,В 20 Корпус 55EU-2 Бренд Microsemi 2N2857 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 1600 GNF, дБ 13 Vcc,В 10 Ic, мА 12 NF, дБ 5 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 2N5031 Подробнее F, МГц 400 Ft, МГц 1200 GNF, дБ 12 Vcc,В 6 Ic, мА 1 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 2N5109 Подробнее F, МГц 200 Ft, МГц 1200 GNF, дБ 12 Vcc,В 15 Ic, мА 50 Тип корпуса TO-39 Бренд Microsemi 2N5179 Подробнее F, МГц 100 Ft, МГц 1500 GNF, дБ 20 Vcc,В 6 Ic, мА 5 NF, дБ 4 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi 2N6304 Подробнее F, МГц 500 Ft, МГц 1400 GNF, дБ 14 Vcc,В 10 Ic, мА 14 NF, дБ 5 Тип корпуса TO-72 Бренд Microsemi